Перейти к информации о продукте
1 из 1

Samsung GDDR6 8 Гбит DRAM – 512М x 32

Samsung GDDR6 8 Гбит DRAM – 512М x 32

Samsung GDDR6 8 Гбит DRAM – 512M x 32

Высокоскоростная графическая память DRAM для графических процессоров и вычислительных платформ

Samsung GDDR6 8 Гбит (512M x 32) — это высокопроизводительная дискретная графическая память DRAM, разработанная для игровых графических процессоров, ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем. Она обеспечивает увеличенную пропускную способность и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими реализациями GDDR5.

Благодаря скорости передачи данных до 16,0 Гбит/с (зависит от класса скорости) Samsung GDDR6 обеспечивает высокопроизводительный графический рендеринг и ресурсоемкие рабочие нагрузки при более низком рабочем напряжении 1,1 В.

Основные характеристики

  • Тип памяти: GDDR6
  • Плотность: 8 Гбит
  • Организация: 512M x 32
  • Скорость передачи данных: 12,0 / 14,0 / 16,0 Гбит/с
  • Напряжение: 1,1 В
  • Корпус: 180-контактный FBGA
  • Обновление: 16K / 32 мс
  • Статус: Производство зависит от наличия

Характеристики производительности

32-битная интерфейсная архитектура в сочетании с высокоскоростной передачей сигналов значительно увеличивает пропускную способность памяти по сравнению с GDDR5. В многочиповых конфигурациях графических процессоров общая пропускная способность может превышать 700 ГБ/с в зависимости от ширины шины памяти и конструкции системы.

Это делает Samsung GDDR6 8 Гбит подходящим в качестве графической памяти для игровых графических процессоров, встроенных систем с графическими процессорами и платформ вывода искусственного интеллекта, требующих высокоскоростных решений с микросхемами памяти.

Энергоэффективность

Работая при напряжении 1,1 В, Samsung GDDR6 снижает напряжение ядра по сравнению с более ранними поколениями GDDR5. Динамическое переключение напряжения (DVS) повышает общую энергоэффективность, снижая тепловыделение в плотных компоновках печатных плат графических процессоров.

Список артикулов

  • K4Z80325BC-HC12 – 12,0 Гбит/с – 180 FBGA
  • K4Z80325BC-HC14 – 14,0 Гбит/с – 180 FBGA
  • K4Z80325BC-HC16 – 16,0 Гбит/с – 180 FBGA

Часто задаваемые вопросы

В1: Является ли Samsung GDDR6 8 Гбит модулем памяти?
Нет. Это отдельный чип DRAM, предназначенный для установки на печатные платы графических процессоров.

В2: В чем разница между 8 Гбит и 8 ГБ?
8 Гбит означает 8 гигабит на чип. Восемь чипов по 8 Гбит равны 8 ГБ общей памяти.

В3: Что означает 512M x 32?
Это определяет внутреннюю организацию памяти: 512 миллионов адресов с 32-битной шириной данных.


Просмотреть всю информацию