Samsung eUFS 3.0
Samsung eUFS 3.0
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Samsung eUFS 3.0
Категория: Встраиваемая память
Бренд: Samsung
Применение: Планшеты, смартфоны
| Серия | Емкость | Интерфейс | Последовательное чтение | Последовательная запись | Подробнее |
|---|---|---|---|---|---|
| eUFS 3.0 | 128 ГБ | UFS 3.0 | До 2100 МБ/с | До 410 МБ/с | Просмотр |
| eUFS 3.0 | 512 ГБ | UFS 3.0 | До 2100 МБ/с | До 410 МБ/с | Просмотр |
Обзор серии
Samsung eUFS 3.0 использует V-NAND 5-го поколения, предлагая емкости 128 ГБ и 512 ГБ, с планами на версию 1 ТБ позднее в этом году. eUFS 3.0 на 512 ГБ состоит из восьми многослойных чипов V-NAND по 512 Гбит со встроенным высокопроизводительным контроллером.
eUFS 3.0 обеспечивает скорость последовательного чтения до 2100 МБ/с — в четыре раза быстрее, чем твердотельные накопители SATA, и в 20 раз быстрее, чем традиционные карты microSD. Скорость последовательной записи достигает 410 МБ/с, что эквивалентно твердотельным накопителям SATA, с улучшением производительности записи на 50%. Модель на 512 ГБ также обеспечивает на 36% более высокую производительность случайного чтения/записи по сравнению с eUFS 2.1, достигая 63K и 68K IOPS соответственно.
Поделиться
