Оперативная память Samsung DDR4 DRAM

Основная информация

Категория: Чип памяти

Бренд: Samsung

Применение

Серверы · Аэрокосмическая и оборонная промышленность · Телекоммуникации · Модули памяти · ИИ

Основные характеристики

Варианты плотности: 4 Гбит / 8 Гбит / 16 Гбит / 32 Гбит

Организация: 512M x 8 · 256M x 16 · 1G x 8 · 1G x 16 · 2G x 8 · 2G x 16 · 4G x 4 · 4G x 8

Скорость передачи данных: 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Мбит/с

Рабочее напряжение: 1.2 В

Рабочая температура: 0 ~ 85 °C

Корпус: 96 FBGA

Описание продукта

Оперативная память Samsung DDR4 DRAM создана с использованием передовой 1x-нанометровой технологической нормы, что позволяет снизить энергопотребление при одновременном повышении производительности. По сравнению с предыдущими поколениями, энергопотребление снижено до 25%, что способствует снижению общих системных затрат.

Работая при низком напряжении 1,2 В, оперативная память Samsung DDR4 DRAM поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с с использованием сигнализации Pseudo Open Drain (POD), что делает ее подходящей для требовательных серверных, телекоммуникационных, ИИ и критически важных приложений.