Samsung DDR4 4 ГБ SDRAM – 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Мбит/с
Samsung DDR4 4 ГБ SDRAM – 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Мбит/с
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Samsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Мбит/с
Энергоэффективная память DDR4 для массовых платформ и экономичных систем
Устройства Samsung DDR4 4 Гбит обеспечивают стабильную пропускную способность, сниженное рабочее напряжение и повышенную надежность для современных платформ на базе DDR4. Поддерживая скорости от 2133 Мбит/с до 3200 Мбит/с, эта серия широко применяется в настольных компьютерах, ноутбуках, встраиваемых контроллерах и рабочих станциях начального уровня, требующих эффективных и масштабируемых решений для памяти.
Для клиентов, закупающих чипы памяти Samsung DDR4 4 Гбит 3200, поддерживающих поставки промышленной памяти DDR4 2666 или квалифицирующих 1.2В DDR4 SDRAM для перехода от устаревших к современным платформам, эта серия обеспечивает сбалансированную производительность и долгосрочную доступность.
Архитектура и электрические характеристики
- Плотность: 4 Гбит
- Тип памяти: DDR4 SDRAM
- Скорости: 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Мбит/с
- Рабочее напряжение: 1.2В
- Структура банков: 4 группы банков (всего 16 банков)
- Интерфейс: Pseudo Open Drain (POD)
- Контрольная сумма записи (Write CRC) для обнаружения многобитных ошибок
- Защита четности для целостности сигналов CMD/ADD
- Разработан для совместимости с современными контроллерами DDR4
Производительность и эффективность
По сравнению с DDR3, работающей при 1.5В, DDR4 работает при 1.2В, снижая энергопотребление и увеличивая пропускную способность данных. Улучшенная группировка банков повышает эффективность чередования и уменьшает задержку доступа при умеренных нагрузках.
- До 30% увеличение пропускной способности по сравнению с платформами DDR3
- Более низкое энергопотребление благодаря передовой технологической обработке
- Улучшенная последовательная пропускная способность данных
- Оптимизировано для современных процессоров и системных чипсетов
Список номеров деталей – серия Samsung DDR4 4 Гбит
| Номер детали | Плотность | Тип памяти |
|---|---|---|
| K4A4G085WF-BCWE | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WF-BIWE | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WF-BCWE | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WF-BIWE | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WF-BCTD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WF-BITD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BCWE | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WF-BCTD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WF-BITD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G045WE-BCRC | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G045WE-BCTD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WE-BCPB | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WE-BCRC | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WE-BCTD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WE-BIRC | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G085WE-BITD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BCPB | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BCRC | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BCTD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BIRC | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BITD | 4Gb | DDR4 |
| K4A4G165WE-BIW | 4Gb | DDR4 |
Часто задаваемые вопросы – Инженерная и закупочная перспективы
1. Для инженеров-разработчиков, когда следует выбирать 3200 Мбит/с вместо 2133/2400?
Выбор зависит от возможностей контроллера памяти и запаса целостности сигнала. 3200 Мбит/с повышает пропускную способность для высоконагруженных сред, таких как многозадачность или легкая виртуализация. Для консервативных промышленных решений, приоритетом которых являются стабильность и совместимость, 2133 или 2400 Мбит/с могут обеспечить больший запас.
2. С точки зрения системной интеграции, каковы преимущества плотности 4 Гбит?
Устройства 4 Гбит обеспечивают гибкие конфигурации памяти при сохранении более низкой стоимости и энергопотребления. Они подходят для массовых настольных компьютеров, ноутбуков и встраиваемых плат, где достаточна умеренная емкость памяти без усложнения теплового дизайна.
3. С точки зрения закупок, что обеспечивает стабильность жизненного цикла?
Поддержание последовательности в семействе кристаллов и проверенных номеров деталей снижает риск перепроектирования. 1.2В DDR4 соответствует современным стандартам платформ, что упрощает планирование замены и минимизирует накладные расходы на квалификацию в текущих производственных или обслуживающих программах.
Поделиться
