Samsung DDR3 4ГБ SDRAM (E-die) – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с

Samsung DDR3 4Gb SDRAM (E-die) – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с

Память 4 Гбит DDR3 FBGA для модернизации систем, промышленных плат и устаревших платформ DDR3

SDRAM-память Samsung DDR3 4 Гбит E-die обеспечивает повышенную плотность и стабильную пропускную способность для систем, построенных на архитектуре DDR3. Поддерживая скорость передачи данных до 2133 Мбит/с на контакт (DDR3-2133), это устройство широко используется в настольных компьютерах, ноутбуках, встраиваемых платформах, автомобильной электронике и медицинских системах управления, требующих надежной поставки памяти DDR3.

Для клиентов, аттестующих микросхему памяти Samsung DDR3 4 Гбит 2133, поддерживающих промышленную DRAM DDR3 1600 1866 или закупающих устройство 4 Гбит DDR3 FBGA x4 x8 для обеспечения непрерывности производства, эта серия остается практичным долгосрочным решением.

Архитектура и электрические характеристики

• Плотность: 4 Гбит
• Ревизия кристалла: E-die
• Организация: 128 Мбит × 4 ввода-вывода × 8 банков или 64 Мбит × 8 ввода-вывода × 8 банков
• Скоростные классы: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
• Скорость передачи: до 2133 Мбит/с/контакт
• Напряжение: 1,5 В ± 0,075 В (VDD / VDDQ)
• Корпус: 78-шариковый FBGA (x4 / x8)
• Дифференциальный вход тактового сигнала (CK / CK#)
• Синхронный интерфейс на основе DQS
• Мультиплексная адресация RAS/CAS
• Поддерживаемые функции: Posted CAS, программируемый CWL, внутренняя самокалибровка, On-Die Termination (ODT), асинхронный сброс

Производительность и энергоэффективность

По сравнению с платформами DDR2, технология DDR3 удваивает пропускную способность, снижая при этом энергопотребление до 30%. Устройство 4 Гбит, созданное на основе 30-нм техпроцесса DRAM Samsung, сочетает более высокую плотность с контролируемыми тепловыми и энергетическими характеристиками, поддерживая модернизацию системы без перехода на новые поколения памяти.

Список номеров деталей – серия Samsung DDR3 4 Гбит

Часто задаваемые вопросы – Техническая справка

1. Какие скорости шины поддерживаются этой серией DDR3 4 Гбит?
Устройство поддерживает скоростные классы DDR3-1600, DDR3-1866 и DDR3-2133, обеспечивая до 2133 Мбит/с на контакт в зависимости от конфигурации контроллера.

2. Какие варианты организации доступны?
Устройство 4 Гбит E-die имеет организацию 128 Мбит × 4 ввода-вывода × 8 банков или 64 Мбит × 8 ввода-вывода × 8 банков, поставляется в 78-шариковых корпусах FBGA.

3. Какие требования к напряжению для проектирования системы?
Устройство работает при 1,5 В ±0,075 В как для VDD, так и для VDDQ, что соответствует стандартным требованиям к проектированию плат DDR3.