Samsung DDR3 1 ГБ DRAM – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с
Samsung DDR3 1 ГБ DRAM – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с
Не удалось загрузить сведения о доступности самовывоза
Samsung DDR3 1GB DRAM – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с
DDR3 SDRAM промышленного класса для встраиваемых систем, ПК и устаревших систем
Устройства Samsung DDR3 1 Гбит с кристаллом I разработаны для стабильной работы в ноутбуках, настольных компьютерах и промышленных системах, требующих надежной памяти DDR3. Эти устройства поддерживают скорость передачи данных до 2133 Мбит/с на контакт, обеспечивая при этом эффективное энергопотребление при напряжении 1,5 В. Разработанная с такими функциями, как posted CAS, программируемый CWL, внутрикристальное терминирование (ODT) и внутренняя калибровка, эта серия широко используется в долговечных платформах, включая оборудование для автоматизации, автомобильную электронику и медицинские устройства.
Организации, закупающие чипы памяти Samsung DDR3 1 Гбит 1600 1866 2133, планирующие замену промышленной DRAM DDR3 для устаревших систем или сравнивающие оригинальные детали Samsung 1 Гбит DDR3 x16 FBGA, найдут эту серию подходящей для обслуживания и обеспечения непрерывности производства.
Ключевые технические характеристики
- Плотность: 1 Гбит
- Организация: 8 Мбит × 16 вводов/выводов × 8 банков
- Классы скорости: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
- Напряжение: 1,5 В ±0,075 В (VDD, VDDQ)
- Корпус: 96-шариковый FBGA (x16)
- Архитектура синхронных дифференциальных тактовых сигналов (CK / CK#)
- Синхронная передача данных на основе DQS
- Мультиплексирование адресов: схема RAS / CAS
Типичные применения
- Встраиваемые контроллеры и промышленные платы
- Модули памяти для устаревших настольных компьютеров или ноутбуков
- Автомобильная и медицинская электроника, требующая платформ DDR3
- Ремонт и обслуживание систем на базе DDR3
Список номеров деталей (серия Samsung DDR3 1 Гбит)
| Номер детали | Организация | Корпус |
|---|---|---|
| K4B1G1646I-BYNB | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G0846I-BCK0 | 1 Гбит | FBGA |
| K4B1G0846I-BCNB | 1 Гбит | FBGA |
| K4B1G0846I-BYK0 | 1 Гбит | FBGA |
| K4B1G0846I-BYMA | 1 Гбит | FBGA |
| K4B1G1646I-BCK0 | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BCMA | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BCNB | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BFMA | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BHMA | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BMK0 | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BMMA | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BYK0 | 1 Гбит x16 | FBGA |
| K4B1G1646I-BYMA | 1 Гбит x16 | FBGA |
Часто задаваемые вопросы (технические)
1. Какие тактовые частоты поддерживаются этой серией DDR3?
Эти устройства поддерживают скорости передачи данных DDR3-1600, DDR3-1866 и DDR3-2133 в зависимости от конкретного класса скорости и конфигурации системы.
2. Какие требования к напряжению должна обеспечивать плата?
Устройство работает от одного источника питания 1,5 В (VDD и VDDQ) с допуском ±0,075 В, что является стандартом для проектов DDR3 SDRAM.
3. Какие интерфейсные функции необходимы для правильной работы?
Память требует дифференциального тактового входа (CK/CK#), стробов DQS для синхронизации данных и поддерживает ODT, posted CAS, программируемый CWL и внутреннюю калибровку, как определено в спецификациях DDR3.
SOURCEMEMORYCHIPS
Ваш ведущий мировой поставщик профессиональных чипов памяти
WhatsApp: +1 702 886 6700
Email: sales@sourcememorychips.com
Быстрый ответ на запросы о DDR, NAND, eMMC, LPDDR и промышленной памяти.
Поделиться
