Samsung V-NAND девятого поколения

Основная информация

Категория: Чип флэш-памяти

Бренд: :SAMSUNG

Применение

Мобильные накопители · eMMC · Micro SD · Флэш-карты · Встраиваемые накопители · SSD

Основные характеристики

Поколение: V-NAND 9-го поколения

Емкость: 1 Тбит

Скорость ввода-вывода NAND: До 3,2 Гбит/с

Интерфейс: Toggle 5.1

Описание продукта

Samsung V-NAND 9-го поколения 1 Тбит TLC запущен в массовое производство. Благодаря самому маленькому размеру ячейки и самой тонкой архитектуре стека Samsung на сегодняшний день, плотность битов увеличилась примерно на 50% по сравнению с предыдущим 8-м поколением V-NAND.

Оснащенный флэш-интерфейсом NAND следующего поколения Toggle 5.1, скорость ввода и вывода данных увеличена на 33%, достигая 3,2 Гбит/с.

По сравнению с предыдущим поколением энергопотребление снижено примерно на 10%.

Samsung планирует начать массовое производство V-NAND 9-го поколения с четырёхуровневыми ячейками (QLC) во второй половине года.