V-NAND Samsung 8-го поколения

Основная информация

Категория: Чип флеш-памяти

Бренд: :SAMSUNG

Статус: Серийное производство

Применение

Мобильные накопители · USB 2.0 · USB 3.0 · eMMC · Micro SD · Флеш-карты · Встраиваемые накопители · SSD

Основные характеристики

Поколение: V-NAND 8-го поколения

Емкость: 1 Тб

Скорость ввода/вывода NAND: До 2,4 Гбит/с

Интерфейс: Toggle DDR 5.0

Описание продукта

Samsung V-NAND 8-го поколения предлагает емкость 1 Тб и использует передовую технологию 3D-масштабирования для уменьшения площади поверхности и общей высоты при минимизации межъячеечных помех.

Основываясь на интерфейсе Toggle DDR 5.0, новейшем стандарте флеш-памяти NAND, он обеспечивает скорость ввода/вывода до 2,4 Гбит/с, отвечая требованиям производительности PCIe 4.0 и решений хранения данных следующего поколения PCIe 5.0.