Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 SODIMM Non ECC 2133 МГц CL15 2Rx8 для ноутбука (извлечена)

Повысьте производительность вашего ноутбука с помощью модуля памяти Samsung 8GB 2133MHz DDR4 PC4-17000 ECC Unbuffered 260-pin SoDIMM. Разработанный для надежности и эффективности, этот модуль памяти идеально подходит для расширения возможностей вашего ноутбука, будь то для профессионального использования, игр или многозадачности.

Эта 8 ГБ память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц, обеспечивая более быструю обработку данных и уменьшенную задержку, что приводит к более плавной работе. Небуферизованная конструкция означает, что этот модуль памяти обеспечивает оптимальный баланс между скоростью и эффективностью, что делает его отличным выбором для пользователей, которым требуется высокая производительность от своих систем.

Благодаря технологии коррекции ошибок (ECC) эта память минимизирует повреждение данных и сбои системы, обеспечивая повышенную стабильность, что крайне важно для приложений, которые зависят от точности и надежности. Это делает ее идеальным выбором для специалистов в таких областях, как анализ данных, инженерия и графический дизайн.

Двухранговая архитектура модуля M474A1G43DB0-CPB дополнительно увеличивает пропускную способность памяти, обеспечивая повышенную производительность, что позволяет вашему ноутбуку обрабатывать несколько открытых приложений без ущерба для производительности. Его 260-контактный форм-фактор обеспечивает совместимость с широким спектром ноутбуков.

Благодаря передовому качеству и инновациям Samsung этот модуль памяти соответствует строгим стандартам, необходимым для долговременной производительности и долговечности. Обновите возможности вашего ноутбука без усилий с помощью этого надежного решения, которое разработано как для OEM-установок, так и для вторичного рынка. Оцените сочетание производительности и надежности, которые обеспечивает память Samsung, и измените способ использования вашего ноутбука уже сегодня.