Чип памяти Samsung 4 ГБ DDR3 K4B4G1646E-BYMA

Бренд: Samsung
Модель: K4B4G1646E-BYMA
Тип монтажа: поверхностный
Версия eStorage: DDR3
Емкость хранилища: 4 Гбит
Размер корпуса: FBGA
Добавленный параметр: 2023+
Серия продукта: DRAM
Метод упаковки: Коробка
Номер производственной партии: 2022+
Выходной ток: стандартный
Выходное напряжение: стандартное
Быстрая доставка: 1-3 дня
Послепродажное обслуживание: гарантия производителя