Основные характеристики

·       Модуль оперативной памяти DDR4 SDRAM объемом 8 ГБ, форм-фактор 260-контактный SODIMM

·       Скорость передачи данных до 2666 МТ/с (PC4-2666)

·       Работает при напряжении питания VDD 1,2 В и VPP 2,5 В

·       Конфигурация x64 с одним ранком и 16 внутренними банками

·       Поддерживает оконечную согласующую нагрузку на кристалле (ODT) и инверсию шины данных (DBI)

·       Низкое энергопотребление при автоматическом самообновлении (LPASR) для повышения энергоэффективности

·       Встроенная SPD EEPROM для настройки модуля

·       Fly-by топология для улучшения целостности сигнала

·       Безгалогенная конструкция с позолоченными контактными площадками

Описание продукта

Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 — это модуль DDR4 SDRAM SODIMM объемом 8 ГБ, разработанный для высокопроизводительных вычислительных платформ. Этот модуль, построенный на конфигурации 1 гигабит x 64, обеспечивает надежную производительность памяти при сохранении энергоэффективности. Он поддерживает скорость передачи данных до 2666 МТ/с и предоставляет расширенные функции, такие как оконечная согласующая нагрузка на кристалле, инверсия шины данных и автоматическое самообновление с низким энергопотреблением. Модуль включает встроенную SPD EEPROM для точной настройки системы и использует топологию Fly-by для обеспечения целостности сигнала через свой 260-контактный интерфейс.

Технические характеристики

Параметр	Спецификация
Плотность модуля	8 ГБ
Конфигурация	1 Гигабит x 64, один ранк
Форм-фактор	260-контактный DDR4 SODIMM
Скорость передачи данных	2666 МТ/с (PC4-2666)
CAS-латентность	CL19
Напряжение	VDD = 1,2 В (ном.), VPP = 2,5 В (ном.), VDDSPD = 2,5 В
Длина пакета	BC4 или BL8 (выбирается)
Поддержка ODT/DBI	Да
Рабочая температура	от 0°C до 95°C (коммерческий диапазон)
Высота модуля	30 мм

Часто задаваемые вопросы

В: Каково основное преимущество модуля Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6E1?

О: Он обеспечивает надежную производительность DDR4 на скорости 2666 МТ/с при низком рабочем напряжении (1,2 В), повышая энергоэффективность в ноутбуках и компактных системах.

В: Поддерживает ли этот модуль автоматическое самообновление для экономии энергии?

О: Да, он включает функцию автоматического самообновления с низким энергопотреблением (LPASR), что делает его подходящим для энергочувствительных приложений.

В: Какой форм-фактор использует этот модуль памяти?

О: Это 260-контактный модуль SODIMM, что делает его совместимым с ноутбуками, компактными настольными компьютерами и встраиваемыми системами, которым требуются модули DDR4 SODIMM.

В: Как повышается целостность данных в этом модуле?

О: Модуль поддерживает оконечную согласующую нагрузку на кристалле (ODT) и инверсию шины данных (DBI), что улучшает качество сигнала и снижает шум при передаче данных.