Ключевые особенности

· Модуль UDIMM SDRAM DDR4 8 ГБ (1 Гбит x 64)

· Высокая скорость передачи данных: DDR4-2666 (PC4-21300)

· 288-контактный небуферизованный DIMM (UDIMM), позолоченные контакты

· Рабочее напряжение: VDD = 1,2 В (НОМ), VPP = 2,5 В (НОМ)

· Одноранговая конструкция, 16 внутренних банков (4 группы по 4)

· Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR)

· Терминирование на кристалле (ODT) для сигналов данных, стробов и маски

· Поддержка инверсии шины данных (DBI) для улучшения целостности сигнала

· Генерация и калибровка VREFDQ на кристалле

· Топология Fly-by для оптимизированного качества сигнала

Описание продукта

Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 — это высокопроизводительный модуль памяти UDIMM DDR4 SDRAM емкостью 8 ГБ, разработанный для настольных и встраиваемых компьютерных систем. Созданный с использованием технологии DDR4 SDRAM, этот модуль обеспечивает эффективную передачу данных с повышенной надежностью. Он работает со скоростью DDR4-2666 с задержкой CL=19, обеспечивая стабильную производительность в широком диапазоне приложений. Благодаря 288-контактной компоновке UDIMM, позолоченным контактам и безгалогенной конструкции он обеспечивает совместимость со стандартами JEDEC и экологичность. Модуль использует передовые конструктивные особенности Micron, такие как автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR), терминирование на кристалле (ODT) и инверсия шины данных (DBI) для поддержания целостности сигнала и энергоэффективности.

Технические характеристики

Параметр	Спецификация
Тип модуля	288-контактный DDR4 UDIMM
Емкость	8 ГБ (1 Гбит x 64)
Класс скорости	DDR4-2666 (PC4-21300)
Скорость передачи данных	2666 МТ/с
Задержка CAS (CL)	19-19-19
Напряжение	VDD = 1,2 В, VPP = 2,5 В, VDDSPD = 2,5 В
Ранг	Одиночный ранг (SR)
Внутренние банки	16 (4 группы по 4)
Длина пакета	BC4 или BL8 (выбирается на лету)
Высота модуля	31,25 мм (1,23 дюйма)
Рабочая температура	От 0°C до 95°C (коммерческий диапазон)

Приложения

Этот модуль DDR4 UDIMM идеально подходит для использования в настольных ПК, промышленных компьютерных системах и встраиваемых решениях, требующих стабильной, высокоскоростной памяти. Его конструкция с низким энергопотреблением делает его хорошо подходящим для энергочувствительных приложений, где эффективность и надежность имеют решающее значение.

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

· В1: Каково рабочее напряжение этого модуля?

О1: Модуль работает с номинальными значениями VDD = 1,2 В, VPP = 2,5 В и VDDSPD = 2,5 В.

· В2: Поддерживает ли этот модуль ECC (код с исправлением ошибок)?

О2: Нет, это стандартный небуферизованный UDIMM, и он не включает функцию ECC.

· В3: Может ли этот модуль работать в условиях высоких температур?

О3: Да, он поддерживает работу в коммерческом диапазоне температур от 0°C до 95°C, при этом требуется регулировка частоты обновления при температуре выше 85°C.

· В4: Какую скорость поддерживает MTA8ATF1G64AZ-2G6E1?

О4: Этот модуль поддерживает DDR4-2666 с задержкой CL=19, предлагая пропускную способность до 21,3 ГБ/с.