Ключевые особенности

·       4 ГБ DDR4 SDRAM SODIMM с 260-контактным разъемом для компактных, высокопроизводительных приложений

·       Поддерживает скорость передачи данных PC4-2400 с задержкой CAS CL17

·       Номинальное рабочее напряжение: VDD = 1,2 В, VPP = 2,5 В

·       Встроенная поддержка оконечной нагрузки на кристалле (ODT) и инверсии шины данных (DBI)

·       Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR) для повышения энергоэффективности

·       Встроенная микросхема I2C SPD EEPROM для надежной настройки и обнаружения

·       Безгалогеновая конструкция с позолоченными контактными площадками для долговечности и соответствия стандартам

Описание продукта

Micron MTA4ATF51264HZ-2G3B1 — это модуль DDR4 SDRAM SODIMM объемом 4 ГБ, разработанный для обеспечения стабильной производительности и энергоэффективности в современных вычислительных системах. Благодаря форм-фактору SODIMM с 260 контактами, это решение памяти поддерживает скорость передачи данных до PC4-2400 с задержкой CL17. Интеграция передовых технологий DDR4, таких как инверсия шины данных (DBI), оконечная нагрузка на кристалле (ODT) и автоматическое самообновление, повышает целостность сигнала и энергоэффективность. Благодаря одноранговой конфигурации x64 и широкому диапазону рабочих температур, этот модуль идеально подходит для ноутбуков, встраиваемых систем и промышленных приложений, где производительность и надежность имеют первостепенное значение.

Технические характеристики

Параметр	Значение
Плотность модуля	4 ГБ (512 Мбит x 64, одноранговый)
Тип модуля	260-контактный DDR4 SDRAM SODIMM
Скорость передачи данных	PC4-2400 (2400 МТ/с)
Латентность CAS	CL17
Напряжение	VDD = 1,2 В, VPP = 2,5 В, VDDSPD = 2,5 В
Длина пакета	Выбираемая BC4 или BL8
Внутренние банки	8 банков; 2 группы по 4
Рабочая температура	от 0°C до 95°C (коммерческий)
Оконечная нагрузка	Номинальная и динамическая ODT
Особые характеристики	Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением, инверсия шины данных (DBI), топология Fly-by

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

·       В: В чем главное преимущество модулей DDR4 SODIMM по сравнению с DDR3?

О: DDR4 предлагает более высокую скорость передачи данных, сниженное энергопотребление при номинальном напряжении 1,2 В и расширенные функции, такие как DBI и ODT, для обеспечения целостности сигнала.

·       В: Поддерживает ли MTA4ATF51264HZ-2G3B1 автоматическое самообновление?

О: Да, он включает автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR), повышающее энергоэффективность, особенно в мобильных и встраиваемых системах.

·       В: Для каких приложений подходит этот модуль?

О: Он широко используется в ноутбуках, компактных ПК, встраиваемых вычислительных устройствах и промышленных системах, требующих надежной высокоскоростной памяти.

·       В: Как обеспечивается целостность данных в этом модуле?

О: Такие функции, как оконечная нагрузка на кристалле (ODT), топология Fly-by и инверсия шины данных (DBI), повышают надежность и снижают уровень шума.