Основные характеристики

·       Высокоскоростной модуль SDRAM DDR3, поддерживающий скорость передачи данных до 1600 МТ/с

·       240-контактный небуферизованный двухрядный модуль памяти (UDIMM)

·       Плотность модуля: 4 ГБ (512 Мбит x 64)

·       Номинальное напряжение питания: VDD = VDDQ = 1,5 В ±0,075 В

·       EEPROM с последовательным определением присутствия (SPD) для простой системной интеграции

·       Позолоченные контакты и безгалогеновая конструкция

·       «Пролетная» топология для улучшения целостности сигнала

·       Вывод сброса и оконечная нагрузка на кристалле (ODT) для стабильности

Описание продукта

Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 — это 4 ГБ небуферизованный двухрядный модуль памяти (UDIMM) DDR3 SDRAM, разработанный для высокопроизводительных вычислительных систем. Созданный с использованием передовой технологии DDR3, этот модуль поддерживает высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его пригодным для настольных компьютеров, встраиваемых систем и промышленного применения. Благодаря 240-контактному разъему UDIMM, безгалогеновой конструкции и позолоченным контактам он обеспечивает надежное подключение и соответствие современным экологическим стандартам.

Технические характеристики

Параметр	Характеристика
Плотность модуля	4 ГБ (512 Мбит x 64)
Скорость передачи данных	1600 МТ/с (PC3-12800)
Латентность CAS (CL)	11-11-11
Пропускная способность модуля	12,8 ГБ/с
Напряжение	1,5 В ±0,075 В
Количество контактов	240-контактный UDIMM
Длина пакета	8 (через регистр режима)
Рабочая температура	От 0°C до +70°C (коммерческий)
Корпус	Безгалогеновый, с позолоченными контактами
Топология	Командно-адресная шина типа «fly-by»

Часто задаваемые вопросы

·       В: Каково рабочее напряжение модуля Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1?

О: Модуль работает при VDD = VDDQ = 1,5 В ±0,075 В, с VDDSPD от 3,0 В до 3,6 В.

·       В: С какими системами совместим этот модуль DDR3 UDIMM?

О: Он предназначен для настольных компьютеров, промышленных систем и встраиваемых платформ, поддерживающих 240-контактные модули памяти DDR3 UDIMM.

·       В: Какова максимальная поддерживаемая скорость передачи данных?

О: Этот модуль поддерживает скорость передачи данных до 1600 МТ/с, что соответствует отраслевым стандартам PC3-12800.

·       В: Поддерживает ли модуль термодатчики?

О: Да, он включает EEPROM SPD для настройки и поддерживает расширенные функции термического и системного мониторинга.