Перейти к информации о продукте
1 из 1

Samsung KLM8G1GESD-B03Q eMMC 5.0 8 ГБ управляемая флеш-память NAND

Samsung KLM8G1GESD-B03Q eMMC 5.0 8 ГБ управляемая флеш-память NAND

Ключевые особенности

• Управляемая флэш-память NAND 8 ГБ eMMC 5.0

• Компактный корпус FBGA (11,5 x 13 x 1,0 мм), оптимизированный для мобильных и встраиваемых систем

• Скорость последовательного чтения/записи до 180 МБ/с / 20 МБ/с

• Производительность случайных операций ввода-вывода (IOPS) до 4000 / 700

• Стандартизированный интерфейс JEDEC обеспечивает широкую совместимость и надежность

• Поддерживает расширенные функции безопасности, такие как RPMB, Secure Erase и Secure Trim

• Встроенный интеллектуальный контроллер MMC с оптимизацией прошивки

• Низкое энергопотребление, подходящее для смартфонов, планшетов и бытовой электроники

Обзор продукта

Samsung KLM8G1GESD-B03Q — это управляемая флэш-память NAND eMMC 5.0 объемом 8 ГБ, предназначенная для бытовой электроники и встраиваемых систем, требующих надежного хранения данных в компактном исполнении. Благодаря сочетанию флэш-памяти NAND и контроллера MMC в небольшом корпусе FBGA, она обеспечивает скорость последовательного чтения до 180 МБ/с и скорость записи до 20 МБ/с, а также высокую производительность случайных операций чтения/записи. Стандартизированный интерфейс JEDEC обеспечивает совместимость с широким спектром платформ, а расширенные функции безопасности и низкое энергопотребление делают ее хорошо подходящей для мобильных устройств.

Приложения

• Смартфоны и планшеты

• Автомобильные информационно-развлекательные и навигационные системы

• Портативные мультимедийные устройства

• Промышленные и встраиваемые вычислительные системы

• Бытовая электроника, требующая компактных решений для хранения данных

Технические характеристики

Параметр

Спецификация

Номер детали

KLM8G1GESD-B03Q

Тип памяти

eMMC 5.0 Managed NAND Flash

Плотность

8 ГБ

Корпус

11,5 x 13 x 1,0 мм FBGA

Последовательное чтение

До 180 МБ/с

Последовательная запись

До 20 МБ/с

Произвольное чтение IOPS

До 4000

Произвольная запись IOPS

До 700

Ширина шины

x4 / x8

Рабочее напряжение

VCCQ: 1,7–1,95 В / 2,7–3,6 В; VCC: 2,7–3,6 В

Рабочая температура

от 0°C до 85°C

Соответствие

Стандарт JEDEC eMMC 5.0

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

В1: Каковы характеристики производительности Samsung KLM8G1GESD-B03Q?

О1: Он обеспечивает скорость последовательного чтения до 180 МБ/с, скорость записи до 20 МБ/с и произвольное количество операций ввода-вывода (IOPS) 4000/700.

В2: Какие устройства обычно используют это решение eMMC?

О2: Оно широко используется в смартфонах, планшетах, автомобильных информационно-развлекательных системах и портативных мультимедийных устройствах.

В3: Какие функции безопасности включает в себя модуль?

О3: Он поддерживает RPMB, Secure Erase и Secure Trim для повышения безопасности и надежности данных.

В4: Каковы преимущества компактного корпуса FBGA для конструкции устройства?

О4: Благодаря размеру 11,5 x 13 x 1,0 мм, он экономит место на печатной плате, что позволяет создавать более тонкие конструкции устройств и эффективные встроенные приложения.

Просмотреть всю информацию