Основные характеристики

• Управляемое решение флэш-памяти NAND eMMC 5.0 емкостью 8 ГБ

• Компактный корпус FBGA (11,5 x 13 x 1,0 мм) идеально подходит для мобильных и встраиваемых систем

• Скорость последовательного чтения/записи до 180 МБ/с / 20 МБ/с

• Производительность случайных операций ввода/вывода (IOPS) до 4000 / 700

• Стандартизированный JEDEC интерфейс обеспечивает широкую совместимость и надежность

• Расширенные функции безопасности: RPMB, Secure Erase, Secure Trim

• Интегрированный интеллектуальный контроллер MMC с оптимизированной прошивкой

• Низкое энергопотребление, оптимизированное для смартфонов, планшетов и автомобильных систем

Обзор продукта

Samsung KLM8G1GESD-B03P — это решение флэш-памяти NAND eMMC 5.0 емкостью 8 ГБ, предназначенное для мобильных и встраиваемых устройств нового поколения. Оно сочетает в себе высокопроизводительную флэш-память NAND со встроенным контроллером MMC, обеспечивая скорость последовательного чтения до 180 МБ/с и скорость записи до 20 МБ/с, а также производительность случайных операций ввода/вывода (IOPS) 4000/700. Соответствие стандартам JEDEC eMMC 5.0 обеспечивает бесшовную интеграцию, высокую надежность и упрощенную конструкцию системы. Благодаря расширенным функциям безопасности и низкому энергопотреблению, оно идеально подходит для смартфонов, планшетов, информационно-развлекательных систем и компактной бытовой электроники.

Приложения

• Смартфоны и планшеты

• Автомобильные информационно-развлекательные и навигационные системы

• Портативные мультимедийные устройства

• Промышленные и встраиваемые вычислительные платформы

• Бытовая электроника, требующая компактного встроенного хранилища

Технические характеристики

Параметр	Спецификация
Номер детали	KLM8G1GESD-B03P
Тип памяти	Управляемая флэш-память NAND eMMC 5.0
Емкость	8 ГБ
Корпус	FBGA 11,5 x 13 x 1,0 мм
Последовательное чтение	До 180 МБ/с
Последовательная запись	До 20 МБ/с
Производительность случайного чтения (IOPS)	До 4000
Производительность случайной записи (IOPS)	До 700
Ширина шины	x4 / x8
Рабочее напряжение	VCCQ: 1,7–1,95 В / 2,7–3,6 В; VCC: 2,7–3,6 В
Рабочая температура	От 0°C до 85°C
Соответствие стандартам	Стандарт JEDEC eMMC 5.0

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

В1: Каковы возможности производительности Samsung KLM8G1GESD-B03P?

О1: Он поддерживает скорость последовательного чтения до 180 МБ/с, скорость записи до 20 МБ/с и случайные операции ввода/вывода (IOPS) 4000/700.

В2: Для каких приложений подходит это решение памяти?

О2: Оно используется в смартфонах, планшетах, автомобильных информационно-развлекательных системах и встраиваемых платформах, требующих эффективного хранения данных.

В3: Какие функции безопасности доступны?

О3: Модуль включает функции RPMB, Secure Erase и Secure Trim для расширенной защиты данных.

В4: Какую выгоду производителям устройств дает корпус FBGA?

О4: Его компактный размер (11,5 x 13 x 1,0 мм) позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате, что способствует созданию более тонких и интегрированных конструкций.