K4A4G165WG-BCWE DDR4 DRAM IC | Samsung

Обзор

K4A4G165WG-BCWE — это микросхема Samsung DDR4 SDRAM, разработанная для систем, использующих дискретные компоненты памяти DRAM, а не съемные модули памяти.

Продукты памяти Samsung обычно используются во встроенном оборудовании, промышленных системах, сетевых платформах и вычислительных средах с длительным жизненным циклом, где важна точная совместимость памяти.

Почему используется этот компонент памяти

Микросхемы памяти DDR4 с меньшей плотностью часто используются в компактном встроенном оборудовании, промышленных устройствах и приложениях с фиксированными требованиями к архитектуре памяти.

Микросхемы DDR4 SDRAM — это компоненты памяти, предназначенные для прямой интеграции на печатные платы во встроенных и системных архитектурах памяти.

Типичные области применения

K4A4G165WG-BCWE может рассматриваться для промышленного управляющего оборудования, встраиваемых плат, систем связи и проектов по ремонту памяти DDR4.

• Интеграция DRAM на уровне платы
• Встроенные архитектуры памяти
• Промышленное и сетевое оборудование
• Проекты по поиску и замене памяти

Основная техническая информация

Производитель	Samsung
Номер детали	K4A4G165WG-BCWE
Категория памяти	Микросхема DDR4 DRAM
Класс плотности	4 Гбит
Тип корпуса	Корпус памяти BGA
Назначение применения	приложения с компонентами памяти DDR4 низкой плотности

Примечания по выбору

Перед закупкой или заменой микросхемы DRAM проверьте организацию плотности, совместимость контроллера, требования к корпусу и точный суффикс номера детали, используемый в целевой платформе.

Этот тип устройства памяти предназначен для прямой интеграции на уровне платы и не должен путаться с полными модулями памяти DIMM или SO-DIMM.

Сравнимые варианты памяти

• Микросхемы памяти Samsung DDR4
• Компоненты Micron DDR4 SDRAM
• Поставка промышленной памяти DDR4
• Интеграция памяти DDR4 на уровне платы

Поддержка запросов и поиска поставщиков

Свяжитесь с нами для проверки наличия на складе, поддержки замены и помощи в поиске компонентов памяти Samsung и встроенных решений DRAM.