DDR3 2 ГБ SDRAM (F-die) – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с

Samsung DDR3 2Гбит SDRAM (F-die) – 1600 / 1866 / 2133 Мбит/с

2Гбит DDR3 FBGA Память для устаревших платформ, промышленных плат и системного обслуживания

Samsung DDR3 2Гбит F-die SDRAM разработана для стабильных, долгосрочных системных приложений, требующих постоянной пропускной способности и низкого энергопотребления. Поддерживая скорость передачи до 2133 Мбит/сек на контакт (DDR3-2133), это устройство широко используется во встраиваемых платформах, настольных компьютерах, ноутбуках, автомобильной электронике и медицинских системах управления, построенных на архитектуре DDR3.

Для клиентов, закупающих чипы памяти Samsung DDR3 2Гбит 2133, поддерживающих поставки промышленной DRAM DDR3 1600 1866 или квалифицирующих устройства 2Гбит DDR3 FBGA x8 для устаревшего производства, эта серия предлагает практическое решение без перехода на новые поколения памяти.

Архитектура и электрические характеристики

• Плотность: 2Гбит
• Ревизия кристалла: F-die
• Организация: 32Мбит × 8 входов/выходов × 8 банков
• Классы скорости: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
• Скорость передачи: До 2133 Мбит/сек/контакт
• Напряжение: 1.5В ± 0.075В (VDD / VDDQ)
• Корпус: 78-шариковый FBGA (x8)
• Дифференциальный тактовый вход (CK / CK#)
• Синхронный интерфейс данных на основе DQS
• Мультиплексная адресация RAS/CAS
• Поддерживаемые функции: Posted CAS, программируемый CWL, внутренняя самокалибровка, встроенное терминирование (ODT), асинхронный сброс

Энергопотребление и производительность

По сравнению с платформами DDR2, архитектура DDR3 удваивает пропускную способность, снижая энергопотребление до 30%. Созданное по технологии DRAM Samsung класса 30 нм, это устройство поддерживает эффективное тепловое поведение и более низкую общую стоимость владения в системах, чувствительных к энергопотреблению.

Список номеров деталей – Серия Samsung DDR3 2Гбит

FAQ – Технические уточнения

1. Какие тактовые частоты системы поддерживаются?
Эта серия поддерживает классы скорости DDR3-1600, DDR3-1866 и DDR3-2133, обеспечивая до 2133 Мбит/сек на контакт в зависимости от конфигурации контроллера.

2. Каковы требования к напряжению для проектирования платы?
Устройство работает от одного источника питания 1.5В ±0.075В для VDD и VDDQ, что соответствует стандартному дизайну системы DDR3.

3. Какой корпус и ширина шины используются?
Устройство 2Гбит F-die организовано как 32Мбит × 8 входов/выходов × 8 банков и поставляется в 78-шариковом корпусе FBGA (x8).