Samsung UFS 4.0
Samsung UFS 4.0
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
Samsung UFS 4.0
Kategorie: Embedded Memory
Marke: Samsung
Anwendungen: Smartphone, Laptop, Automobil, Wearables
| Modell | Kapazität | NAND-Flash | Sequenzielles Lesen | Sequenzielles Schreiben | Details |
|---|---|---|---|---|---|
| UFS 4.0 | 1 TB | 176-Schicht 7. Generation V-NAND | 4.200 MB/s | 2.800 MB/s | Anzeigen |
Serienübersicht
Samsung UFS 4.0 verwendet 176-Schicht 7. Generation V-NAND und fortschrittliche Controller, die sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 4.200 MB/s und sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.800 MB/s bieten. Im Vergleich zu früheren UFS 2.1-Produkten bedeutet dies eine etwa 6-mal schnellere Lese- und 3,1-mal schnellere Schreibleistung.
In Bezug auf die Energieeffizienz liefert UFS 4.0 6,0 MB/s pro mA sequenziellem Lesen, eine Verbesserung von 46 % gegenüber der vorherigen Generation. Das kompakte Gehäuse mit 11 mm × 13 mm × 1 mm optimiert die Raumnutzung und ist in Kapazitäten von bis zu 1 TB erhältlich.
Teilen
