Samsung HBM3E

Grundlegende Informationen

Kategorie: Speicherchip

Marke: Samsung

Anwendungen

Server · Automobil · Netzwerktechnik

Hauptmerkmale

Serie: HBM3E

Kapazität: 36 GB

Datenrate: 9,8 Gbit/s pro Pin

Stapelung: 12-fach

Produktbeschreibung

Samsung HBM3E 12-High (12H) verwendet fortschrittliche Technologien wie High-K Metal Gate (HKMG), die herkömmliche Isolierschichten durch Materialien ersetzen, die Leckströme reduzieren. Diese Technologie optimiert die interne Schaltung, verbessert die Leistung und erhöht die Energieeffizienz um ca. 12 % im Vergleich zur vorherigen Generation.

Das Gerät liefert eine Datenrate von bis zu 9,8 Gbit/s pro Pin und ermöglicht eine aggregierte Bandbreite von bis zu 1.250 GB/s. Samsung HBM3E 12H verwendet die Through-Silicon Via (TSV)-Technologie, um zwölf Schichten von 24-Gbit-DRAM-Dies zu stapeln und so eine branchenführende Kapazität von 36 GB zu erreichen.

Im Vergleich zur vorherigen 8-schichtigen HBM3-Generation erhöht sich die Kapazität um 50 %. Die Advanced Thermal Compression Non-Conductive Film (TC NCF)-Technologie wird angewendet, um die Wärmeableitung zu verbessern und einen stabilen Betrieb innerhalb optimaler Temperaturbereiche zu gewährleisten. HBM3E ist pin-kompatibel mit HBM3, was einen einfachen Übergang von HBM3 zu HBM3E in bestehenden Hardware-Designs ermöglicht.