Samsung eUFS 3.0
Samsung eUFS 3.0
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Samsung eUFS 3.0
Kategorie: Eingebetteter Speicher
Marke: Samsung
Anwendungen: Tablet, Smartphone
| Serie | Kapazität | Schnittstelle | Sequenzielles Lesen | Sequenzielles Schreiben | Details |
|---|---|---|---|---|---|
| eUFS 3.0 | 128GB | UFS 3.0 | Bis zu 2.100 MB/s | Bis zu 410 MB/s | Ansehen |
| eUFS 3.0 | 512GB | UFS 3.0 | Bis zu 2.100 MB/s | Bis zu 410 MB/s | Ansehen |
Serienübersicht
Samsung eUFS 3.0 verwendet V-NAND der 5. Generation und bietet Kapazitäten von 128 GB und 512 GB, wobei eine 1-TB-Version später in diesem Jahr geplant ist. Das 512-GB-eUFS 3.0 besteht aus acht gestapelten 512-Gbit-V-NAND-Chips mit einem integrierten Hochleistungscontroller.
eUFS 3.0 bietet sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.100 MB/s – viermal schneller als SATA-SSDs und 20-mal schneller als herkömmliche microSD-Karten. Sequenzielle Schreibgeschwindigkeiten erreichen 410 MB/s, was SATA-SSDs entspricht, mit einer um 50 % verbesserten Schreibleistung. Das 512-GB-Modell bietet außerdem eine um 36 % höhere zufällige Lese-/Schreibleistung im Vergleich zu eUFS 2.1, nämlich 63.000 bzw. 68.000 IOPS.
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