Samsung DDR4 DRAM

Grundlegende Informationen

Kategorie: Speicherchip

Marke: Samsung

Anwendungen

Server · Luft- und Raumfahrt & Verteidigung · Telekommunikation · Speichermodule · KI

Wichtige Spezifikationen

Dichteoptionen: 4 Gbit / 8 Gbit / 16 Gbit / 32 Gbit

Organisation: 512 M x 8 · 256 M x 16 · 1 G x 8 · 1 G x 16 · 2 G x 8 · 2 G x 16 · 4 G x 4 · 4 G x 8

Datenraten: 2133 / 2400 / 2666 / 3200 Mbit/s

Betriebsspannung: 1,2 V

Betriebstemperatur: 0 ~ 85 °C

Gehäuse: 96 FBGA

Produktbeschreibung

Samsung DDR4 DRAM wird mit der branchenführenden 1x-Nanometer-Klasse-Prozesstechnologie hergestellt, die einen geringeren Stromverbrauch bei höherer Leistung ermöglicht. Im Vergleich zu früheren Generationen wird der Stromverbrauch um bis zu 25 % gesenkt, was dazu beiträgt, die Gesamtsystemkosten zu reduzieren.

Mit einer niedrigen Spannung von 1,2 V unterstützt Samsung DDR4 DRAM Datenraten von bis zu 3200 Mbit/s unter Verwendung von Pseudo Open Drain (POD)-Signalisierung, wodurch es für anspruchsvolle Server-, Telekommunikations-, KI- und missionskritische Anwendungen geeignet ist.