Samsung DDR4 16Gb SDRAM – 2666 / 3200 MBit/s

Samsung DDR4 16 Gbit SDRAM – 2666 / 3200 Mbit/s

DDR4-Speicher mit hoher Bandbreite für moderne Plattformen und leistungskritische Systeme

Samsung DDR4 16 Gbit-Speicherbausteine bieten im Vergleich zu früheren DDR-Generationen eine höhere Bandbreite, verbesserte Zuverlässigkeit und einen geringeren Betriebsverbrauch. Mit Geschwindigkeitsstufen von 2666 Mbit/s und 3200 Mbit/s wird diese Serie häufig in leistungsstarken Desktops, Workstations, Embedded Systems und datenintensiven Computerplattformen eingesetzt, die eine stabile DDR4-Versorgung erfordern.

Für Kunden, die Samsung DDR4 16 Gbit 3200 Speicherchips beschaffen, DDR4 2666 Industrie-DRAM qualifizieren oder die Verfügbarkeit von 1,2 V DDR4-Speicherbausteinen mit hoher Bandbreite für die Produktion sicherstellen müssen, bietet diese Serie eine ausgewogene Leistung und Effizienz für moderne Prozessorarchitekturen.

Architektur- und Leistungsmerkmale

• Dichte: 16 Gbit
• Speichertyp: DDR4 SDRAM
• Geschwindigkeitsstufen: 2666 Mbit/s / 3200 Mbit/s
• Spannung: 1,2 V Betriebsspannung
• Bankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)
• Schnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)
• Verbesserte Interleaving-Effizienz zur Reduzierung von Verzögerungen
• Verbesserte Bandbreite im Vergleich zu DDR3-Plattformen

Verbesserungen bei Leistung und Zuverlässigkeit

• 1x nm Class Prozesstechnologie
• Reduzierter Kern- und Standby-Stromverbrauch
• Bis zu 25 % geringerer Energieverbrauch im Vergleich zu DDR3
• Write CRC zur Multibit-Fehlererkennung
• Paritätsprüfung für CMD/ADD-Signale

Im Vergleich zu DDR3, das mit 1,5 V arbeitet, arbeitet DDR4 mit 1,2 V, wodurch die Energieeffizienz verbessert und der Datendurchsatz erhöht wird. Mit einer verbesserten Bankarchitektur und höheren Übertragungsraten von bis zu 3200 Mbit/s ermöglicht dieser Speicher eine schnellere Verarbeitung großer Arbeitslasten und eine verbesserte Systemreaktionsfähigkeit.

Teilenummerliste – Samsung DDR4 16 Gbit Serie

FAQ – Technische Referenz

1. Welche Geschwindigkeitsoptionen werden in dieser 16 Gbit DDR4-Serie unterstützt?
Diese Serie unterstützt Geschwindigkeitsstufen von 2666 Mbit/s und 3200 Mbit/s, abhängig von der Konfiguration des Systemcontrollers.

2. Welche Spannung ist für das Platinendesign erforderlich?
Das Gerät arbeitet mit 1,2 V, was den Gesamtstromverbrauch im Vergleich zu DDR3-Plattformen, die mit 1,5 V arbeiten, reduziert.

3. Welche Zuverlässigkeitsmechanismen sind integriert?
Samsung DDR4 integriert Write CRC zur Multibit-Fehlererkennung und Paritätsprüfungen an CMD/ADD-Signalen, um die Systemzuverlässigkeit zu erhöhen.