Samsung DDR3 4 GB SDRAM (E-Die) – 1600 / 1866 / 2133 MBit/s

Samsung DDR3 4Gb SDRAM (E-die) – 1600 / 1866 / 2133 Mbit/s

4Gb DDR3 FBGA Speicher für System-Upgrades, Industrie-Boards und ältere DDR3-Plattformen

Samsung DDR3 4Gb E-die SDRAM bietet erhöhte Dichte und stabile Bandbreite für Systeme, die auf DDR3-Architektur basieren. Dieses Bauteil unterstützt Datenraten von bis zu 2133 Mb/s pro Pin (DDR3-2133) und wird häufig in Desktops, Notebooks, Embedded-Plattformen, Automobilelektronik und medizinischen Steuerungssystemen eingesetzt, die eine zuverlässige DDR3-Speicherversorgung benötigen.

Für Kunden, die Samsung DDR3 4Gb 2133 Speicherchips qualifizieren, DDR3 1600 1866 Industrie-DRAM warten oder 4Gb DDR3 FBGA x4 x8 Bauteile für die Produktionskontinuität beschaffen, bleibt diese Serie eine praktische Langzeitlösung.

Architektur & elektrische Eigenschaften

• Dichte: 4 Gbit
• Die-Revision: E-die
• Organisation: 128 Mbit × 4 I/Os × 8 Bänke oder 64 Mbit × 8 I/Os × 8 Bänke
• Geschwindigkeitsstufen: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
• Übertragungsrate: Bis zu 2133 Mb/s/Pin
• Spannung: 1,5 V ± 0,075 V (VDD / VDDQ)
• Gehäuse: 78-Ball FBGA (x4 / x8)
• Differenzieller Takteingang (CK / CK#)
• DQS-basierte quellsynchrone Schnittstelle
• RAS/CAS-multiplexierte Adressierung
• Unterstützte Funktionen: Posted CAS, programmierbarer CWL, interne Selbstkalibrierung, On-Die Termination (ODT), asynchroner Reset

Leistung & Energieeffizienz

Im Vergleich zu DDR2-Plattformen verdoppelt die DDR3-Technologie die Bandbreite und reduziert gleichzeitig den Stromverbrauch um bis zu 30 %. Das 4-Gbit-Bauteil, das auf der 30-nm-Klasse von Samsung DRAM-Prozessoren basiert, gleicht eine höhere Dichte mit kontrollierten thermischen und Leistungsmerkmalen aus und unterstützt System-Upgrades ohne Migration zu neueren Speichergenerationen.

Teilenummernliste – Samsung DDR3 4Gb Serie

Teilenummer	Dichte	Gehäuse
K4B4G0846E-BCNB	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BCNB	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-YCK0	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-YCMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-YCK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-YCMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846D-BCH9	4Gb	FBGA
K4B4G0846D-BYK0	4Gb	FBGA
K4B4G0846D-BYMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BCK0	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BCMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BMK0	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BMMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BYK0	4Gb	FBGA
K4B4G0846E-BYMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846R-BFMA	4Gb	FBGA
K4B4G0846R-BHMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BCH9	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BCK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BCMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BCNB	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BFMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BHMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BMK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BMMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BYH9	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BYK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BYMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646D-BYNB	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BCK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BCMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BMK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BMMA	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BYK0	4Gb	FBGA
K4B4G1646E-BYMA	4Gb	FBGA

FAQ – Technische Referenz

1. Welche Busgeschwindigkeiten werden von dieser 4Gb DDR3-Serie unterstützt?
Das Gerät unterstützt die Geschwindigkeitsstufen DDR3-1600, DDR3-1866 und DDR3-2133 und liefert je nach Controller-Konfiguration bis zu 2133 Mb/s pro Pin.

2. Welche Organisationsoptionen sind verfügbar?
Das 4-Gbit-E-Die-Bauteil ist als 128 Mbit × 4 I/Os × 8 Bänke oder 64 Mbit × 8 I/Os × 8 Bänke organisiert und wird in 78-Ball-FBGA-Gehäusen geliefert.

3. Welche Spannungsanforderungen gelten für das Systemdesign?
Das Gerät arbeitet mit 1,5 V ±0,075 V für VDD und VDDQ, was den Standardanforderungen für DDR3-Platinen entspricht.