Samsung DDR3 1GB DRAM – 1600 / 1866 / 2133 MBit/s

Samsung DDR3 1GB DRAM – 1600 / 1866 / 2133 Mbit/s

Industrietaugliches DDR3 SDRAM für Embedded-, PC- und ältere Systemanwendungen

Samsung DDR3 1-Gbit-I-Die-Bausteine sind für den stabilen Betrieb in Notebooks, Desktops und Industriesystemen konzipiert, die zuverlässigen DDR3-Speicher erfordern. Diese Bausteine unterstützen Übertragungsraten von bis zu 2133 Mbit/s pro Pin bei gleichzeitig effizientem Stromverbrauch bei 1,5 V Betrieb. Mit Funktionen wie Posted CAS, programmierbarem CWL, On-Die Termination (ODT) und interner Kalibrierung wird diese Serie häufig in Plattformen mit langer Lebensdauer eingesetzt, darunter Automatisierungsgeräte, Automobilelektronik und medizinische Geräte.

Unternehmen, die Samsung DDR3 1 Gbit 1600 1866 2133 Speicherchips beschaffen, einen industriellen DDR3-DRAM-Ersatz für ältere Systeme planen oder originale Samsung 1 Gbit DDR3 x16 FBGA-Teile vergleichen, werden diese Serie für Wartung und Produktionskontinuität als geeignet empfinden.

Technische Hauptmerkmale

• Dichte: 1 Gbit
• Organisation: 8 Mbit × 16 I/O × 8 Bänke
• Geschwindigkeitsstufen: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
• Spannung: 1,5 V ±0,075 V (VDD, VDDQ)
• Gehäuse: 96-Ball FBGA (x16)
• Synchrone differentielle Taktschaltkreisarchitektur (CK / CK#)
• DQS-basierter quellensynchroner Datentransfer
• Adressenmultiplexing: RAS / CAS-Schema

Typische Anwendungen

• Eingebettete Steuerungen und Industrieplatinen
• Ältere Desktop- oder Notebook-Speichermodule
• Automobil- und Medizinelektronik, die DDR3-Plattformen erfordert
• Reparatur und Wartung von DDR3-basierten Systemen

Teilenummerliste (Samsung DDR3 1 Gbit Serie)

FAQ (Technisch)

1. Welche Taktraten werden von dieser DDR3-Serie unterstützt?
Diese Geräte unterstützen DDR3-1600, DDR3-1866 und DDR3-2133 Übertragungsraten, abhängig von der spezifischen Geschwindigkeitsstufe und der Systemkonfiguration.

2. Welche Spannungsanforderungen muss die Platine erfüllen?
Das Gerät arbeitet mit einer einzelnen 1,5V-Versorgung (VDD und VDDQ) mit einer Toleranz von ±0,075V, was für DDR3 SDRAM-Designs Standard ist.

3. Welche Schnittstellenmerkmale sind für den ordnungsgemäßen Betrieb erforderlich?
Der Speicher benötigt einen differentiellen Takteingang (CK/CK#), DQS-Strobes für die Datensynchronisation und unterstützt ODT, Posted CAS, programmierbares CWL und interne Kalibrierung, wie in den DDR3-Spezifikationen definiert.