Samsung V-NAND der 9. Generation

Grundlegende Informationen

Kategorie: Flash-Speicherchip

Marke: :SAMSUNG

Anwendungen

Mobile Speicher · eMMC · Micro SD · Flash Card · Eingebetteter Speicher · SSD

Wichtige Spezifikationen

Generation: V-NAND der 9. Generation

Kapazität: 1 Tb

NAND I/O-Geschwindigkeit: Bis zu 3,2 Gb/s

Schnittstelle: Toggle 5.1

Produktbeschreibung

Die Samsung V-NAND 1Tb TLC der 9. Generation ist in die Massenproduktion gegangen. Mit der bisher kleinsten Zellgröße und der dünnsten Stapelhöhe von Samsung hat sich die Bitdichte im Vergleich zur vorherigen V-NAND der 8. Generation um ca. 50 % erhöht.

Ausgestattet mit der nächsten Generation der NAND-Flash-Schnittstelle, Toggle 5.1, erhöht sich die Daten-Input- und Output-Geschwindigkeit um 33 % und erreicht bis zu 3,2 Gb/s.

Im Vergleich zur Vorgängergeneration wird der Stromverbrauch um ca. 10 % reduziert.

Samsung plant, die Massenproduktion von Quad-Level Cell (QLC) V-NAND der 9. Generation in der zweiten Jahreshälfte aufzunehmen.