Samsung V-NAND der 8. Generation

Grundlegende Informationen

Kategorie: Flash-Speicherchip

Marke: :SAMSUNG

Status: Massenproduktion

Anwendungen

Mobiler Speicher · USB 2.0 · USB 3.0 · eMMC · Micro SD · Flash-Karte · Embedded Speicher · SSD

Wichtige Spezifikationen

Generation: V-NAND der 8. Generation

Kapazität: 1 Tbit

NAND I/O-Geschwindigkeit: Bis zu 2,4 Gbit/s

Schnittstelle: Toggle DDR 5.0

Produktbeschreibung

Samsungs V-NAND der 8. Generation bietet eine Kapazität von 1 Tbit und nutzt eine fortschrittliche 3D-Skalierungstechnologie, um die Oberfläche und die Gesamthöhe zu reduzieren und gleichzeitig die Zell-zu-Zell-Interferenz zu minimieren.

Basierend auf der Toggle DDR 5.0-Schnittstelle, dem neuesten NAND-Flash-Standard, liefert sie Eingangs-/Ausgangsgeschwindigkeiten von bis zu 2,4 Gbit/s und erfüllt damit die Leistungsanforderungen von PCIe 4.0 und zukünftigen PCIe 5.0 Speicherlösungen.