Hauptmerkmale

·       4GB DDR4 SDRAM SODIMM mit 260-Pin-Design für kompakte Hochleistungsanwendungen

·       Unterstützt PC4-2400 Datenraten mit CAS Latenz CL17

·       Nennbetriebsspannung: VDD = 1,2V, VPP = 2,5V

·       Integrierte On-Die-Termination (ODT) und Data Bus Inversion (DBI) Unterstützung

·       Low-Power Auto Self Refresh (LPASR) für verbesserte Energieeffizienz

·       On-Board I2C SPD EEPROM für zuverlässige Konfiguration und Erkennung

·       Halogenfreies Design mit Goldrandkontakten für Langlebigkeit und Konformität

Produktbeschreibung

Das Micron MTA4ATF51264HZ-2G3B1 ist ein 4GB DDR4 SDRAM SODIMM-Modul, das für eine konstante Leistung und Energieeffizienz in modernen Computersystemen entwickelt wurde. Mit seinem 260-Pin Small-Outline Dual In-line Memory Module (SODIMM)-Formfaktor unterstützt diese Speicherlösung Datenübertragungsraten von bis zu PC4-2400 mit CL17-Latenz. Die Integration fortschrittlicher DDR4-Technologien wie Data Bus Inversion (DBI), On-Die Termination (ODT) und Auto Self-Refresh verbessert sowohl die Signalintegrität als auch die Energieeffizienz. Mit einer Single-Rank x64-Konfiguration und einem robusten thermischen Betriebsbereich ist dieses Modul ideal für Laptops, eingebettete Systeme und Industrieanwendungen, bei denen Leistung und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Moduldichte	4GB (512 Meg x 64, Single Rank)
Modultyp	260-Pin DDR4 SDRAM SODIMM
Datenrate	PC4-2400 (2400 MT/s)
CAS-Latenz	CL17
Spannung	VDD = 1,2V, VPP = 2,5V, VDDSPD = 2,5V
Burstlänge	BC4 oder BL8 wählbar
Interne Bänke	8 Bänke; 2 Gruppen à 4
Betriebstemperatur	0°C bis 95°C (gewerblich)
Terminierung	Nominale und dynamische ODT
Besondere Merkmale	Low-Power Auto Self Refresh, Datenbusinversion (DBI), Fly-by-Topologie

Häufig gestellte Fragen (FAQs)

·       F: Was ist der Hauptvorteil von DDR4 SODIMM-Modulen gegenüber DDR3?

A: DDR4 bietet höhere Datenübertragungsraten, einen reduzierten Stromverbrauch bei 1,2 V Nennspannung und verbesserte Funktionen wie DBI und ODT für die Signalintegrität.

·       F: Unterstützt das MTA4ATF51264HZ-2G3B1 den automatischen Selbstrefresh?

A: Ja, es verfügt über einen Low-Power Auto Self-Refresh (LPASR), der die Energieeffizienz insbesondere in mobilen und eingebetteten Systemen verbessert.

·       F: Für welche Anwendungen ist dieses Modul geeignet?

A: Es wird häufig in Laptops, kompakten PCs, Embedded-Computing-Geräten und Industriesystemen eingesetzt, die zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher benötigen.

·       F: Wie wird die Datenintegrität in diesem Modul gewährleistet?

A: Funktionen wie On-Die-Termination (ODT), Fly-by-Topologie und Data Bus Inversion (DBI) verbessern die Zuverlässigkeit und reduzieren Rauschen.