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Samsung KLM8G1GESD-B04P eMMC 5.0 8GB Managed NAND Flash Speicher

Samsung KLM8G1GESD-B04P eMMC 5.0 8GB Managed NAND Flash Speicher

Hauptmerkmale

• 8 GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Speicherlösung

• Kompaktes FBGA-Gehäuse, optimiert für platzbeschränkte mobile Geräte

• Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis zu 180 MB/s / 20 MB/s

• Zufällige IOPS-Leistung bis zu 4000 / 700

• Standardisierte JEDEC-Schnittstelle gewährleistet Zuverlässigkeit und Kompatibilität

• Sicherheitsfunktionen einschließlich RPMB, Secure Erase und Secure Trim

• Integrierter intelligenter MMC-Controller mit fortschrittlicher Firmware

• Geringer Stromverbrauch, ideal für Smartphones, Tablets und tragbare Multimediasysteme

Produktübersicht

Die Samsung KLM8G1GESD-B04P ist eine 8 GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Lösung, die für Unterhaltungselektronik und eingebettete Systeme entwickelt wurde, die einen zuverlässigen, kompakten Speicher benötigen. Sie kombiniert fortschrittlichen NAND-Flash mit einem MMC-Controller in einem kleinen FBGA-Gehäuse und liefert sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s. Mit einer zufälligen IOPS-Leistung von 4000/700 sowie JEDEC-konformen Sicherheits- und Zuverlässigkeitsfunktionen unterstützt diese eMMC-Lösung eine effiziente und sichere Datenverwaltung. Ihr geringer Stromverbrauch macht sie gut geeignet für mobile und Multimedia-Anwendungen.

Anwendungen

• Smartphones und Tablets

• Tragbare Multimedia- und Navigationsgeräte

• Automobil-Infotainmentsysteme

• Industrielle Embedded-Computing-Plattformen

• Unterhaltungselektronik, die kompakte Speicherlösungen erfordert

Technische Daten

Parameter

Spezifikation

Teilenummer

KLM8G1GESD-B04P

Speichertyp

eMMC 5.0 verwalteter NAND-Flash

Dichte

8GB

Gehäuse

11.5 x 13 x 1.0 mm FBGA

Sequenzielles Lesen

Bis zu 180 MB/s

Sequenzielles Schreiben

Bis zu 20 MB/s

Zufällige Lese-IOPS

Bis zu 4000

Zufällige Schreib-IOPS

Bis zu 700

Busbreite

x4 / x8

Betriebsspannung

VCCQ: 1.7–1.95V / 2.7–3.6V; VCC: 2.7–3.6V

Betriebstemperatur

0°C bis 85°C

Konformität

JEDEC eMMC 5.0 Standard

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Q1: Welche Leistung kann die Samsung KLM8G1GESD-B04P liefern?

A1: Sie bietet sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s, Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s und eine zufällige IOPS-Leistung von 4000/700.

Q2: Für welche Anwendungen ist diese Speicherlösung am besten geeignet?

A2: Sie wird häufig in Smartphones, Tablets, Automobil-Infotainmentsystemen und tragbaren Multimediageräten eingesetzt.

Q3: Unterstützt dieses Modul erweiterte Sicherheitsfunktionen?

A3: Ja, es unterstützt RPMB, Secure Erase und Secure Trim für eine sichere und zuverlässige Datenverarbeitung.

Q4: Wie profitiert das Gerätedesign von seinem kompakten FBGA-Gehäuse?

A4: Mit einer Größe von 11,5 x 13 x 1,0 mm spart es PCB-Platz, wodurch Hersteller schlankere und effizientere Geräte entwerfen können.

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