Samsung KLM8G1GESD-B04P eMMC 5.0 8GB Managed NAND Flash Speicher
Samsung KLM8G1GESD-B04P eMMC 5.0 8GB Managed NAND Flash Speicher
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Hauptmerkmale
• 8 GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Speicherlösung
• Kompaktes FBGA-Gehäuse, optimiert für platzbeschränkte mobile Geräte
• Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis zu 180 MB/s / 20 MB/s
• Zufällige IOPS-Leistung bis zu 4000 / 700
• Standardisierte JEDEC-Schnittstelle gewährleistet Zuverlässigkeit und Kompatibilität
• Sicherheitsfunktionen einschließlich RPMB, Secure Erase und Secure Trim
• Integrierter intelligenter MMC-Controller mit fortschrittlicher Firmware
• Geringer Stromverbrauch, ideal für Smartphones, Tablets und tragbare Multimediasysteme
Produktübersicht
Die Samsung KLM8G1GESD-B04P ist eine 8 GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Lösung, die für Unterhaltungselektronik und eingebettete Systeme entwickelt wurde, die einen zuverlässigen, kompakten Speicher benötigen. Sie kombiniert fortschrittlichen NAND-Flash mit einem MMC-Controller in einem kleinen FBGA-Gehäuse und liefert sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s. Mit einer zufälligen IOPS-Leistung von 4000/700 sowie JEDEC-konformen Sicherheits- und Zuverlässigkeitsfunktionen unterstützt diese eMMC-Lösung eine effiziente und sichere Datenverwaltung. Ihr geringer Stromverbrauch macht sie gut geeignet für mobile und Multimedia-Anwendungen.
Anwendungen
• Smartphones und Tablets
• Tragbare Multimedia- und Navigationsgeräte
• Automobil-Infotainmentsysteme
• Industrielle Embedded-Computing-Plattformen
• Unterhaltungselektronik, die kompakte Speicherlösungen erfordert
Technische Daten
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Parameter |
Spezifikation |
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Teilenummer |
KLM8G1GESD-B04P |
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Speichertyp |
eMMC 5.0 verwalteter NAND-Flash |
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Dichte |
8GB |
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Gehäuse |
11.5 x 13 x 1.0 mm FBGA |
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Sequenzielles Lesen |
Bis zu 180 MB/s |
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Sequenzielles Schreiben |
Bis zu 20 MB/s |
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Zufällige Lese-IOPS |
Bis zu 4000 |
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Zufällige Schreib-IOPS |
Bis zu 700 |
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Busbreite |
x4 / x8 |
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Betriebsspannung |
VCCQ: 1.7–1.95V / 2.7–3.6V; VCC: 2.7–3.6V |
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Betriebstemperatur |
0°C bis 85°C |
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Konformität |
JEDEC eMMC 5.0 Standard |
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Q1: Welche Leistung kann die Samsung KLM8G1GESD-B04P liefern?
A1: Sie bietet sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s, Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s und eine zufällige IOPS-Leistung von 4000/700.
Q2: Für welche Anwendungen ist diese Speicherlösung am besten geeignet?
A2: Sie wird häufig in Smartphones, Tablets, Automobil-Infotainmentsystemen und tragbaren Multimediageräten eingesetzt.
Q3: Unterstützt dieses Modul erweiterte Sicherheitsfunktionen?
A3: Ja, es unterstützt RPMB, Secure Erase und Secure Trim für eine sichere und zuverlässige Datenverarbeitung.
Q4: Wie profitiert das Gerätedesign von seinem kompakten FBGA-Gehäuse?
A4: Mit einer Größe von 11,5 x 13 x 1,0 mm spart es PCB-Platz, wodurch Hersteller schlankere und effizientere Geräte entwerfen können.
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