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Samsung KLM8G1GESD-B03Q eMMC 5.0 8GB Managed-NAND-Flash-Speicher

Samsung KLM8G1GESD-B03Q eMMC 5.0 8GB Managed-NAND-Flash-Speicher

Hauptmerkmale

• 8 GB eMMC 5.0 verwalteter NAND Flash-Speicher

• Kompaktes FBGA-Gehäuse (11,5 x 13 x 1,0 mm), optimiert für mobile und eingebettete Systeme

• Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis zu 180 MB/s / 20 MB/s

• Zufällige IOPS-Leistung bis zu 4000 / 700

• JEDEC-standardisierte Schnittstelle gewährleistet breite Kompatibilität und Zuverlässigkeit

• Unterstützt erweiterte Sicherheitsfunktionen wie RPMB, Secure Erase und Secure Trim

• Integrierter intelligenter MMC-Controller mit Firmware-Optimierung

• Geringer Stromverbrauch, geeignet für Smartphones, Tablets und Unterhaltungselektronik

Produktübersicht

Das Samsung KLM8G1GESD-B03Q ist eine 8-GB-eMMC-5.0-verwaltete NAND-Flash-Lösung, die für Unterhaltungselektronik und eingebettete Systeme entwickelt wurde, die einen zuverlässigen Speicher mit kompaktem Design erfordern. Durch die Kombination von NAND Flash mit einem MMC-Controller in einem kleinen FBGA-Gehäuse liefert es sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s, zusammen mit einer robusten zufälligen Lese-/Schreibleistung. Seine JEDEC-standardisierte Schnittstelle gewährleistet die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Plattformen, während erweiterte Sicherheitsfunktionen und ein geringer Stromverbrauch es gut für mobile Geräte geeignet machen.

Anwendungen

• Smartphones und Tablets

• Infotainment- und Navigationssysteme für Kraftfahrzeuge

• Tragbare Multimedia-Geräte

• Industrie- und Embedded-Computing-Systeme

• Unterhaltungselektronik, die kompakte Speicherlösungen erfordert

Technische Daten

Parameter

Spezifikation

Teilenummer

KLM8G1GESD-B03Q

Speichertyp

eMMC 5.0 Managed NAND Flash

Dichte

8 GB

Gehäuse

11,5 x 13 x 1,0 mm FBGA

Sequenzielles Lesen

Bis zu 180 MB/s

Sequenzielles Schreiben

Bis zu 20 MB/s

Zufällige Lese-IOPS

Bis zu 4000

Zufällige Schreib-IOPS

Bis zu 700

Busbreite

x4 / x8

Betriebsspannung

VCCQ: 1,7–1,95 V / 2,7–3,6 V; VCC: 2,7–3,6 V

Betriebstemperatur

0 °C bis 85 °C

Konformität

JEDEC eMMC 5.0 Standard

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

F1: Welche Leistungsdaten hat der Samsung KLM8G1GESD-B03Q?

A1: Er bietet sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s, Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s und zufällige IOPS von 4000/700.

F2: Welche Geräte verwenden typischerweise diese eMMC-Lösung?

A2: Sie wird häufig in Smartphones, Tablets, Infotainmentsystemen für Kraftfahrzeuge und tragbaren Multimediageräten eingesetzt.

F3: Welche Sicherheitsfunktionen enthält das Modul?

A3: Es unterstützt RPMB, Secure Erase und Secure Trim für verbesserte Datensicherheit und Zuverlässigkeit.

F4: Wie kommt das kompakte FBGA-Gehäuse dem Gerätedesign zugute?

A4: Mit einer Grundfläche von 11,5 x 13 x 1,0 mm spart es Platz auf der Leiterplatte, ermöglicht schlankere Gerätedesigns und effiziente eingebettete Anwendungen.

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