Hauptmerkmale

• 8GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Speicherlösung

• Kompaktes FBGA-Gehäuse (11,5 x 13 x 1,0 mm) ideal für mobile und eingebettete Systeme

• Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis zu 180 MB/s / 20 MB/s

• Zufällige IOPS-Leistung bis zu 4000 / 700

• JEDEC-standardisierte Schnittstelle gewährleistet breite Kompatibilität und Zuverlässigkeit

• Erweiterte Sicherheitsfunktionen: RPMB, Secure Erase, Secure Trim

• Integrierter intelligenter MMC-Controller mit optimierter Firmware

• Geringer Stromverbrauch, optimiert für Smartphones, Tablets und Automotive-Systeme

Produktübersicht

Das Samsung KLM8G1GESD-B03P ist eine 8GB eMMC 5.0 verwaltete NAND-Flash-Lösung, die für mobile und eingebettete Geräte der nächsten Generation entwickelt wurde. Es kombiniert hochleistungsfähigen NAND-Flash mit einem integrierten MMC-Controller und liefert sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s sowie eine zufällige Lese-/Schreib-IOPS-Leistung von 4000/700. Die Einhaltung der JEDEC eMMC 5.0-Standards gewährleistet eine nahtlose Integration, robuste Zuverlässigkeit und eine vereinfachte Systementwicklung. Mit erweiterten Sicherheitsfunktionen und geringem Stromverbrauch ist es ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme und kompakte Unterhaltungselektronik.

Anwendungen

• Smartphones und Tablets

• Infotainment- und Navigationssysteme für Kraftfahrzeuge

• Tragbare Multimediageräte

• Industrielle und eingebettete Computerplattformen

• Unterhaltungselektronik, die kompakten eingebetteten Speicher benötigt

Technische Daten

Parameter	Spezifikation
Teilenummer	KLM8G1GESD-B03P
Speichertyp	eMMC 5.0 Managed NAND Flash
Kapazität	8GB
Gehäuse	11.5 x 13 x 1.0 mm FBGA
Sequenzielles Lesen	Bis zu 180 MB/s
Sequenzielles Schreiben	Bis zu 20 MB/s
Zufälliges Lesen IOPS	Bis zu 4000
Zufälliges Schreiben IOPS	Bis zu 700
Busbreite	x4 / x8
Betriebsspannung	VCCQ: 1,7–1,95V / 2,7–3,6V; VCC: 2,7–3,6V
Betriebstemperatur	0°C bis 85°C
Konformität	JEDEC eMMC 5.0 Standard

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

F1: Welche Leistungsfähigkeit hat der Samsung KLM8G1GESD-B03P?

A1: Er unterstützt sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 180 MB/s, Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 20 MB/s und zufällige IOPS von 4000/700.

F2: Für welche Anwendungen ist diese Speicherlösung geeignet?

A2: Sie wird in Smartphones, Tablets, Automotive-Infotainmentsystemen und eingebetteten Plattformen eingesetzt, die effizienten Speicher benötigen.

F3: Welche Sicherheitsfunktionen sind verfügbar?

A3: Das Modul beinhaltet RPMB, Secure Erase und Secure Trim Funktionen für erweiterten Datenschutz.

F4: Wie profitieren Gerätehersteller vom FBGA-Gehäuse?

A4: Seine kompakte Größe (11,5 x 13 x 1,0 mm) ermöglicht eine effiziente Nutzung des PCB-Platzes und damit schlankere und stärker integrierte Designs.