DDR3 2 Gb SDRAM (F-Die) – 1600 / 1866 / 2133 Mbit/s

Samsung DDR3 2Gb SDRAM (F-Die) – 1600 / 1866 / 2133 Mbit/s

2Gb DDR3 FBGA-Speicher für ältere Plattformen, Industriesteuerungen und Systemwartung

Samsung DDR3 2Gb F-Die SDRAM wurde für stabile, langlebige Systemanwendungen entwickelt, die eine konsistente Bandbreite und einen geringen Energieverbrauch erfordern. Mit Übertragungsraten von bis zu 2133 Mbit/s pro Pin (DDR3-2133) ist dieses Gerät in Embedded-Plattformen, Desktops, Notebooks, Automobilelektronik und medizinischen Steuerungssystemen, die auf DDR3-Architektur basieren, weit verbreitet.

Für Kunden, die einen Samsung DDR3 2Gb 2133 Speicherchip beziehen, eine DDR3 1600 1866 Industrie-DRAM-Versorgung aufrechterhalten oder ein 2Gb DDR3 FBGA x8-Gerät für die Legacy-Produktion qualifizieren, bietet diese Serie eine praktische Lösung, ohne auf neuere Speichergenerationen umsteigen zu müssen.

Architektur & elektrische Eigenschaften

• Dichte: 2Gb
• Die-Revision: F-Die
• Organisation: 32 Mbit × 8 I/Os × 8 Bänke
• Geschwindigkeitsstufen: DDR3-1600 / DDR3-1866 / DDR3-2133
• Übertragungsrate: Bis zu 2133 Mbit/s/Pin
• Spannung: 1,5 V ± 0,075 V (VDD / VDDQ)
• Gehäuse: 78-Ball FBGA (x8)
• Differenzieller Takteingang (CK / CK#)
• DQS-basierte quellensynchrone Datenschnittstelle
• RAS/CAS-Multiplex-Adressierung
• Unterstützte Funktionen: Posted CAS, programmierbares CWL, interne Selbstkalibrierung, On-Die Termination (ODT), asynchroner Reset

Leistungs- & Performance-Positionierung

Im Vergleich zu DDR2-Plattformen verdoppelt die DDR3-Architektur die Bandbreite und reduziert den Stromverbrauch um bis zu 30 %. Basierend auf der 30-nm-DRAM-Technologie von Samsung unterstützt dieses Gerät ein effizientes thermisches Verhalten und niedrigere Gesamtbetriebskosten in energieempfindlichen Systemen.

Teileliste – Samsung DDR3 2Gb Serie

FAQ – Technische Klärung

1. Welche Systemtaktraten werden unterstützt?
Diese Serie unterstützt die Geschwindigkeitsstufen DDR3-1600, DDR3-1866 und DDR3-2133 und liefert je nach Controller-Konfiguration bis zu 2133 Mbit/s pro Pin.

2. Welche Spannungsanforderungen gelten für das Platinendesign?
Das Gerät arbeitet mit einer einzelnen Versorgungsspannung von 1,5 V ±0,075 V für VDD und VDDQ, konsistent mit dem Standard-DDR3-Systemdesign.

3. Welche Gehäuse- und Busbreitenkonfiguration wird verwendet?
Das 2Gb F-Die-Gerät ist als 32 Mbit × 8 I/Os × 8 Bänke organisiert und wird in einem 78-Ball FBGA (x8)-Gehäuse geliefert.