{"product_id":"samsung-hbm3e","title":"Samsung HBM3E","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung HBM3E\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновная информация\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКатегория:\u003c\/strong\u003e Чип памяти\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eБренд:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eПрименение\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Серверы · Автомобильная промышленность · Сетевое оборудование\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновные характеристики\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСерия:\u003c\/strong\u003e HBM3E\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 36 ГБ\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 9,8 Гбит\/с на контакт\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСтек:\u003c\/strong\u003e 12 слоев\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОписание продукта\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung HBM3E 12-High (12H) использует передовые технологии, такие как High-K Metal Gate (HKMG),\n    которая заменяет обычные изолирующие слои материалами, уменьшающими утечку тока.\n    Эта технология оптимизирует внутреннюю схему, повышает производительность и увеличивает\n    энергоэффективность примерно на 12% по сравнению с предыдущим поколением.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Устройство обеспечивает скорость передачи данных до 9,8 Гбит\/с на контакт, обеспечивая совокупную\n    пропускную способность до 1250 ГБ\/с. Samsung HBM3E 12H использует технологию Through-Silicon Via (TSV) для стекирования\n    двенадцати слоев 24-гигабитных кристаллов DRAM, достигая лучшей в отрасли емкости 36 ГБ.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    По сравнению с предыдущим 8-слойным поколением HBM3 емкость увеличена на 50%.\n    Усовершенствованная термокомпрессионная непроводящая пленка (TC NCF) применяется для улучшения\n    отвода тепла и поддержания стабильной работы в оптимальных температурных диапазонах.\n    HBM3E совместим по контактам с HBM3, что позволяет легко переходить с HBM3 на HBM3E в\n    существующих аппаратных конструкциях.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394863841519,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3E.png?v=1776853156","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/products\/samsung-hbm3e","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}