{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-16gb","title":"Samsung HBM2E Flashbolt — 16 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamSung HBM2E Flashbolt - 16 ГБ\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для платформ ИИ и суперкомпьютеров\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamSung HBM2E Flashbolt 16 ГБ — это многослойное решение DRAM с высокой пропускной способностью, разработанное для ускорителей ИИ, суперкомпьютерных систем и графических процессоров центров обработки данных нового поколения. Созданный на основе технологии HBM2E, он увеличивает плотность памяти, сохраняя при этом высокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с более ранними реализациями HBM2, HBM2E Flashbolt увеличивает емкость стека и улучшает скорость передачи сигналов, обеспечивая более эффективное масштабирование в условиях обучения больших нейронных сетей и высокопроизводительных вычислений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eАрхитектура производительности\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЕмкость: 16 ГБ на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина ввода\/вывода: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 3,6 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 460 ГБ\/с на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТехнология: Многослойная DRAM TSV (Through-Silicon Via)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКоррекция ошибок: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eПри скорости передачи сигналов 3,6 Гбит\/с через 1024-битный интерфейс, один стек может обеспечить пропускную способность до 460 ГБ\/с. В конфигурациях многостековых ускорителей общая пропускная способность масштабируется для поддержки архитектур памяти для обучения ИИ и рабочих нагрузок по обработке крупномасштабных матриц.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eРасширенная емкость для глубокого обучения\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eЕмкость 16 ГБ достигается за счет восьми сложенных 10-нм 16-гигабитных кристаллов DRAM, что фактически удваивает плотность по сравнению с предыдущими поколениями HBM. Более высокая емкость на стек позволяет использовать более глубокие нейронные сети и снижает зависимость от внешнего расширения памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля инженеров, разрабатывающих память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ, увеличенная плотность стека улучшает локальность данных и минимизирует узкие места в памяти во время непрерывных вычислительных операций.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt повышает энергоэффективность примерно на 18% по сравнению с предыдущими решениями HBM2. Усовершенствованная внутренняя маршрутизация и расширенное распределение силовых контактов улучшают стабильность напряжения в условиях высокой пропускной способности.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eЭто делает его подходящим для платформ памяти графических процессоров центров обработки данных, работающих в условиях строгих тепловых и энергетических ограничений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНадежность и стабильность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eВстроенная функция On-Die ECC поддерживает внутреннюю коррекцию ошибок до передачи данных, повышая стабильность в длительных развертываниях суперкомпьютеров и кластеров ИИ.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eСписок артикулов\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC16\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC16\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eВ1: В чем разница между HBM2 и HBM2E Flashbolt?\u003cbr\u003eHBM2E увеличивает плотность стека и скорость передачи сигналов по сравнению с HBM2. Хотя обе используют 1024-битный интерфейс, HBM2E поддерживает более высокую емкость на стек и улучшенную эффективность пропускной способности.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ2: Является ли HBM2E Flashbolt 16 ГБ модулем памяти?\u003cbr\u003eНет. Это многослойный пакет DRAM на основе TSV, предназначенный для интеграции на интерпозере в системах GPU и ускорителей, а не DIMM или подключаемый модуль.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ3: Какие приложения обычно используют HBM2E 16 ГБ?\u003cbr\u003eУскорители обучения ИИ, высокопроизводительные вычислительные системы, платформы GPU центров обработки данных и крупномасштабные среды моделирования.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764193214703,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/products\/samsung-hbm2e-flashbolt-16gb","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}