{"product_id":"samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","title":"Samsung HBM2 Flarebolt - 4 ГБ \/ 8 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Flarebolt - 4 Гбит \/ 8 Гбит\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для ИИ, высокопроизводительных вычислений и обработки графики\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Flarebolt — это решение DRAM с высокой пропускной способностью, созданное на основе технологии стекирования TSV (Through-Silicon Via). Разработанное для ускорителей ИИ, высокопроизводительных вычислительных систем и передовых графических процессоров, HBM2 Flarebolt обеспечивает существенное увеличение пропускной способности при сохранении более низкого рабочего напряжения и компактной интеграции.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДоступный в вариантах с плотностью кристалла 4 Гбит и 8 Гбит, Flarebolt обеспечивает масштабируемые конфигурации стека памяти, подходящие для ресурсоемких приложений ГП и сетевых приложений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eТехнический обзор\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность кристалла: 4 Гбит \/ 8 Гбит DRAM кристалл\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина интерфейса: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКаналы: 8 каналов на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 256 ГБ\/с на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСистемная пропускная способность: до 1 ТБ\/с (конфигурация с несколькими стеками)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eРабочее напряжение: 1,35 В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТехнология: Многослойная архитектура TSV\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eС интерфейсом 1024 бит и 8 независимыми каналами один стек HBM2 Flarebolt может обеспечить пропускную способность до 256 ГБ\/с. В конфигурациях ГП с несколькими стеками совокупная пропускная способность системной памяти может достигать примерно 1 ТБ\/с, поддерживая память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ и передовых сред высокопроизводительных вычислений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eАрхитектура и масштабирование производительности\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 Flarebolt увеличивает плотность ввода-вывода до 1024 линий данных, что обеспечивает значительно более высокую пропускную способность по сравнению с системами памяти на основе GDDR5. Широкая конструкция интерфейса снижает зависимость от чрезвычайно высоких тактовых частот, улучшая целостность сигнала и термическую стабильность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с традиционными архитектурами памяти GDDR5, HBM2 Flarebolt предлагает значительно более высокую пропускную способность на ватт и улучшенную производительность на единицу площади печатной платы.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eРаботая при напряжении 1,35 В, HBM2 Flarebolt снижает энергопотребление примерно на 20% по сравнению с решениями GDDR5 с напряжением 1,5 В. Работа при более низком напряжении повышает общую эффективность системы в кластерах ГП и платформах ускорителей с высокой плотностью.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eКомпактная интеграция\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 интегрирует стеки памяти непосредственно рядом с процессором, используя технологию кремниевого интерпозера. Это уменьшает площадь печатной платы до 94% по сравнению с обычными конструкциями на основе GDDR, что обеспечивает более высокую вычислительную плотность и улучшенную эффективность маршрутизации сигналов.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНомера деталей\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA843801B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA883901B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ1: Является ли Samsung HBM2 Flarebolt DIMM или подключаемым модулем?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eНет. HBM2 Flarebolt — это многослойный компонент DRAM, интегрированный на кремниевый интерпозер вместе с кристаллами ГП или ускорителя. Это не подключаемый модуль памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ2: Что означают 4 Гбит или 8 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4 Гбит и 8 Гбит указывают плотность хранения на кристалле. Несколько кристаллов уложены вертикально для формирования полного стека памяти HBM2.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ3: В чем разница между HBM2 Flarebolt и HBM2E?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM2E увеличивает плотность кристалла и скорость передачи данных на контакт по сравнению с HBM2. Хотя оба используют 1024-битный интерфейс, HBM2E поддерживает большую общую емкость стека и улучшенную эффективность пропускной способности.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764358004975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/products\/samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}