{"product_id":"samsung-eufs-3-0","title":"Samsung eUFS 3.0","description":"\u003csection class=\"product-series\"\u003e\n  \u003ch2\u003eSamsung eUFS 3.0\u003c\/h2\u003e\n\n\n  \u003cdiv class=\"product-meta\"\u003e\n\n    \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКатегория:\u003c\/strong\u003e Встраиваемая память\u003c\/p\u003e\n\n    \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eБренд:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n    \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eПрименение:\u003c\/strong\u003e Планшеты, смартфоны\u003c\/p\u003e\n\n  \u003c\/div\u003e\n\n\n  \u003ctable class=\"product-table\"\u003e\n\n    \u003cthead\u003e\n\n      \u003ctr\u003e\n\n        \u003cth\u003eСерия\u003c\/th\u003e\n\n        \u003cth\u003eЕмкость\u003c\/th\u003e\n\n        \u003cth\u003eИнтерфейс\u003c\/th\u003e\n\n        \u003cth\u003eПоследовательное чтение\u003c\/th\u003e\n\n        \u003cth\u003eПоследовательная запись\u003c\/th\u003e\n\n        \u003cth\u003eПодробнее\u003c\/th\u003e\n\n      \u003c\/tr\u003e\n\n    \u003c\/thead\u003e\n\n    \u003ctbody\u003e\n\n      \u003ctr\u003e\n\n        \u003ctd\u003eeUFS 3.0\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003e128 ГБ\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eUFS 3.0\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eДо 2100 МБ\/с\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eДо 410 МБ\/с\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eПросмотр\u003c\/td\u003e\n\n      \u003c\/tr\u003e\n\n      \u003ctr\u003e\n\n        \u003ctd\u003eeUFS 3.0\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003e512 ГБ\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eUFS 3.0\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eДо 2100 МБ\/с\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eДо 410 МБ\/с\u003c\/td\u003e\n\n        \u003ctd\u003eПросмотр\u003c\/td\u003e\n\n      \u003c\/tr\u003e\n\n    \u003c\/tbody\u003e\n\n  \u003c\/table\u003e\n\n\n  \u003cdiv class=\"series-overview\"\u003e\n\n    \u003ch3\u003eОбзор серии\u003c\/h3\u003e\n\n    \u003cp\u003e\n      Samsung eUFS 3.0 использует V-NAND 5-го поколения, предлагая емкости 128 ГБ и 512 ГБ, \n      с планами на версию 1 ТБ позднее в этом году. eUFS 3.0 на 512 ГБ состоит из \n      восьми многослойных чипов V-NAND по 512 Гбит со встроенным высокопроизводительным контроллером.\n    \u003c\/p\u003e\n\n    \u003cp\u003e\n      eUFS 3.0 обеспечивает скорость последовательного чтения до 2100 МБ\/с — в четыре раза быстрее, чем \n      твердотельные накопители SATA, и в 20 раз быстрее, чем традиционные карты microSD. Скорость последовательной записи \n      достигает 410 МБ\/с, что эквивалентно твердотельным накопителям SATA, с улучшением производительности записи на 50%. \n      Модель на 512 ГБ также обеспечивает на 36% более высокую производительность случайного чтения\/записи по сравнению \n      с eUFS 2.1, достигая 63K и 68K IOPS соответственно.\n    \u003c\/p\u003e\n\n  \u003c\/div\u003e\n\n\u003c\/section\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394949595375,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/eUFS3.0.jpg?v=1768034271","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/products\/samsung-eufs-3-0","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}