{"product_id":"samsung-ddr4-16gb-sdram-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 16Gb SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 16Гбит SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВысокоскоростная память DDR4 для современных платформ и систем, критичных к производительности\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eУстройства памяти Samsung DDR4 16Гбит обеспечивают увеличенную пропускную способность, повышенную надежность и пониженное энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями DDR. Поддерживая скорости 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с, эта серия широко используется в высокопроизводительных настольных ПК, рабочих станциях, встраиваемых системах и платформах с интенсивной обработкой данных, требующих стабильной работы DDR4.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eДля клиентов, приобретающих \u003cem\u003eчипы памяти Samsung DDR4 16Гбит 3200\u003c\/em\u003e, проходящую квалификацию \u003cem\u003eпромышленную DRAM DDR4 2666\u003c\/em\u003e или поддерживающих доступность \u003cem\u003eвысокоскоростных устройств памяти DDR4 1.2В\u003c\/em\u003e для производства, эта серия обеспечивает сбалансированную производительность и эффективность для современных архитектур процессоров.\u003c\/p\u003e\u003ch3\u003eАрхитектура и характеристики производительности\u003c\/h3\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eПлотность: 16Гбит\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eТип памяти: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eКлассы скорости: 2666 Мбит\/с \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eНапряжение: рабочее напряжение 1.2В\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСтруктура банков: 4 группы банков (всего 16 банков)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eИнтерфейс: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eУлучшенная эффективность чередования для уменьшения задержки\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПовышенная пропускная способность по сравнению с платформами DDR3\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003ch3\u003eУлучшения по питанию и надежности\u003c\/h3\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eТехнологический процесс класса 1x нм\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСниженное потребление мощности ядра и в режиме ожидания\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСнижение энергопотребления до 25% по сравнению с DDR3\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eWrite CRC для обнаружения многоразрядных ошибок\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПроверка четности для сигналов CMD\/ADD\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003cp\u003eПо сравнению с DDR3, работающей при 1.5В, DDR4 работает при 1.2В, что повышает энергоэффективность при одновременном увеличении пропускной способности данных. Благодаря улучшенной архитектуре банков и более высоким скоростям передачи до 3200 Мбит\/с, эта память обеспечивает более быструю обработку больших рабочих нагрузок и улучшенную отзывчивость системы.\u003c\/p\u003e\u003ch3\u003eСписок артикулов – серия Samsung DDR4 16Гбит\u003c\/h3\u003e\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003eНомер детали\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eПлотность\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eКласс скорости\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCTD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCT\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\u003c\/table\u003e\u003cbr\u003e\u003ch3\u003eFAQ – Техническая справка\u003c\/h3\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Какие варианты скорости поддерживаются в этой серии DDR4 16Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eЭта серия поддерживает скорости 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с, в зависимости от конфигурации системного контроллера.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Какое напряжение требуется для разработки платы?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУстройство работает при 1.2В, что снижает общее энергопотребление по сравнению с платформами DDR3, работающими при 1.5В.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Какие механизмы надежности интегрированы?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eSamsung DDR4 интегрирует Write CRC для обнаружения многоразрядных ошибок и проверки четности сигналов CMD\/ADD для повышения надежности на системном уровне.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747744497903,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4AAG085WA.png?v=1771498851","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/products\/samsung-ddr4-16gb-sdram-2666-3200-mbps","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}