{"title":"Память с высокой пропускной способностью - HBM","description":"","products":[{"product_id":"samsung-hbm3e","title":"Samsung HBM3E","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung HBM3E\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновная информация\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКатегория:\u003c\/strong\u003e Чип памяти\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eБренд:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eПрименение\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Серверы · Автомобильная промышленность · Сетевое оборудование\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновные характеристики\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСерия:\u003c\/strong\u003e HBM3E\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 36 ГБ\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 9,8 Гбит\/с на контакт\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСтек:\u003c\/strong\u003e 12 слоев\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОписание продукта\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung HBM3E 12-High (12H) использует передовые технологии, такие как High-K Metal Gate (HKMG),\n    которая заменяет обычные изолирующие слои материалами, уменьшающими утечку тока.\n    Эта технология оптимизирует внутреннюю схему, повышает производительность и увеличивает\n    энергоэффективность примерно на 12% по сравнению с предыдущим поколением.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Устройство обеспечивает скорость передачи данных до 9,8 Гбит\/с на контакт, обеспечивая совокупную\n    пропускную способность до 1250 ГБ\/с. Samsung HBM3E 12H использует технологию Through-Silicon Via (TSV) для стекирования\n    двенадцати слоев 24-гигабитных кристаллов DRAM, достигая лучшей в отрасли емкости 36 ГБ.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    По сравнению с предыдущим 8-слойным поколением HBM3 емкость увеличена на 50%.\n    Усовершенствованная термокомпрессионная непроводящая пленка (TC NCF) применяется для улучшения\n    отвода тепла и поддержания стабильной работы в оптимальных температурных диапазонах.\n    HBM3E совместим по контактам с HBM3, что позволяет легко переходить с HBM3 на HBM3E в\n    существующих аппаратных конструкциях.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394863841519,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3E.png?v=1776853156"},{"product_id":"samsung-hbm3","title":"Samsung HBM3","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung HBM3\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновная информация\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКатегория:\u003c\/strong\u003e Чип памяти\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eБренд:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eПрименение\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Серверы · Автомобильная промышленность · Сетевое оборудование\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновные характеристики\u003c\/h3\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eМодель:\u003c\/strong\u003e KHBA84A03D-MC1H | \u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 16ГБ | \u003cstrong\u003eАрхитектура:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 6.4 Гбит\/с\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eМодель:\u003c\/strong\u003e KHBAC4A03D-MC1H | \u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 24ГБ | \u003cstrong\u003eАрхитектура:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 6.4 Гбит\/с\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eМодель:\u003c\/strong\u003e KHBA84A03C-MC1H | \u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 16ГБ | \u003cstrong\u003eАрхитектура:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 6.4 Гбит\/с\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eМодель:\u003c\/strong\u003e KHBAC4A03C-MC1H | \u003cstrong\u003eЕмкость:\u003c\/strong\u003e 24ГБ | \u003cstrong\u003eАрхитектура:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 6.4 Гбит\/с\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОписание продукта\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung HBM3 Icebolt состоит из двенадцати слоев 16-гигабитных кристаллов DRAM класса 10 нм, обеспечивая\n    емкость до 24 ГБ. Он поддерживает скорость передачи данных до 6,4 Гбит\/с и\n    обеспечивает общую пропускную способность до 819 ГБ\/с.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Разработанный с ультравысокой эффективностью, Samsung HBM3 улучшает энергоэффективность примерно на\n    10% по сравнению с предыдущим поколением, помогая снизить нагрузку на серверы\n    при одновременном повышении производительности.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394866823407,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm2-aquabolt-4gb","title":"Samsung HBM2 Aquabolt – 4 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Aquabolt – 4GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для ИИ, высокопроизводительных вычислений и графических ускорителей\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Aquabolt 4 ГБ — это многослойное решение DRAM с высокой пропускной способностью, разработанное для передовых вычислительных платформ, включая ускорители ИИ, графические процессоры и системы высокопроизводительных вычислений (HPC). Используя технологию TSV (сквозные кремниевые переходы) и широкую архитектуру ввода\/вывода, Aquabolt обеспечивает значительно более высокую пропускную способность по сравнению с обычными архитектурами графической памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eКаждый стек HBM2 поддерживает до 1024 каналов ввода\/вывода со скоростью передачи данных до 2,4 Гбит\/с на контакт при напряжении 1,2 В. В многостековых конфигурациях пропускная способность на системном уровне может масштабироваться до 1,2 ТБ\/с в зависимости от конструкции платформы.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eТехнический обзор\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2 (High Bandwidth Memory)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЕмкость: 4 ГБ на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина шины ввода\/вывода: 1024 бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 2,4 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eНапряжение: 1,2 В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТехнология: многослойная DRAM на основе TSV\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЦелевые применения: ускорители ИИ, графические процессоры, суперкомпьютерные платформы\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eНомера деталей\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eМодель\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MC12\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MC13\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MN12\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MN13\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eАрхитектура и надежность\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eСтек памяти Samsung HBM2 Aquabolt 4 ГБ объединяет усовершенствованные структуры тепловых бампов и защитный базовый слой для повышения механической прочности и термической стабильности в средах с высокой плотностью размещения графических процессоров.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля системных разработчиков, ищущих стек Samsung HBM2 Aquabolt 4 ГБ, это решение обеспечивает память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ и архитектур графических процессоров, требующих компактного форм-фактора и экстремальной пропускной способности данных.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eВ1: Является ли HBM2 Aquabolt модулем памяти?\u003cbr\u003eНет. HBM2 Aquabolt — это многослойный пакет DRAM, использующий технологию межсоединений TSV, который монтируется непосредственно на интерпозере или подложке в передовых конструкциях графических процессоров и ускорителей.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ2: Чем HBM2 отличается от памяти GDDR?\u003cbr\u003eHBM2 использует широкий интерфейс ввода\/вывода и многослойную архитектуру для обеспечения более высокой пропускной способности в меньшем физическом объеме, оптимизированную для высокопроизводительных вычислительных нагрузок.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ3: Какие приложения используют стеки HBM2 объемом 4 ГБ?\u003cbr\u003eУскорители обучения ИИ, процессоры глубокого обучения, высокопроизводительные графические процессоры и суперкомпьютерные системы.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47758620066031,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"},{"product_id":"samsung-hbm2-aquabolt-8gb","title":"Samsung HBM2 Aquabolt – 8 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Aquabolt – 8 ГБ\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eВысокопроизводительная память для платформ ИИ и высокопроизводительных вычислений\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Aquabolt 8 ГБ — это многослойное решение DRAM с высокой пропускной способностью, разработанное для передовых графических процессоров, ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем. Используя технологию TSV (сквозные кремниевые переходы) и широкий интерфейс ввода-вывода 1024 бит, Aquabolt значительно увеличивает пропускную способность памяти при компактных размерах.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eКаждый стек Samsung HBM2 Aquabolt 8 ГБ поддерживает до 1024 каналов ввода-вывода, работающих со скоростью передачи данных до 2,4 Гбит\/с на контакт при напряжении 1,2 В. В многостековых конфигурациях общая пропускная способность системы может достигать примерно 1,2 ТБ\/с в зависимости от архитектуры платформы.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eТехнические характеристики\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2 (High Bandwidth Memory)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЕмкость: 8 ГБ на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина ввода-вывода: 1024 бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 2,4 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eНапряжение: 1,2 В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eАрхитектура: многослойная DRAM на основе TSV\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЦелевые применения: ускорители ИИ, графические процессоры, суперкомпьютерные платформы\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eНомера деталей\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MC13\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MN12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MN13\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eАрхитектура и производительность\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e1024-битная архитектура высокопроизводительной памяти HBM2 обеспечивает чрезвычайно широкие пути передачи данных по сравнению с традиционными конструкциями памяти GDDR. Этот подход уменьшает сложность трассировки сигналов при одновременном увеличении эффективной пропускной способности на квадратный миллиметр.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля системных дизайнеров, создающих высокопроизводительную память для ускорителей ИИ, стек Samsung HBM2 Aquabolt 8 ГБ обеспечивает стабильную пропускную способность данных для глубокого обучения, научных симуляций и рабочих нагрузок, требующих интенсивной графики.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eТермическая и надежная конструкция\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eAquabolt включает улучшенные структуры термопластичных контактов и усиленную защиту базового слоя для повышения механической прочности и термической стабильности в средах с высокой плотностью GPU и ускорителей.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eВ: HBM2 Aquabolt — это DIMM или модуль?\u003cbr\u003eНет. HBM2 Aquabolt — это многослойный пакет DRAM, разработанный для интеграции на интерпозер или подложку в передовых платформах GPU или ускорителей.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ: Чем HBM2 отличается от GDDR5?\u003cbr\u003eHBM2 использует многослойную архитектуру памяти и широкий интерфейс ввода-вывода для обеспечения более высокой совокупной пропускной способности в меньшей физической области, оптимизированной для высокопроизводительных вычислительных систем.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47758725873903,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"},{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-8gb","title":"Samsung HBM2E Flashbolt — 8 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2E Flashbolt — 8 ГБ\u003c\/h1\u003e\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для ИИ и высокопроизводительных вычислений\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003eSamsung HBM2E Flashbolt 8 ГБ — это многоуровневое решение DRAM с высокой пропускной способностью, разработанное для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных и передовых высокопроизводительных вычислительных платформ. Являясь развитием технологии HBM2, HBM2E увеличивает пропускную способность каждого стека и плотность памяти, сохраняя при этом целостность сигнала и термическую стабильность при длительных вычислительных нагрузках.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eПо сравнению с предыдущими поколениями HBM2, такими как Aquabolt, HBM2E Flashbolt улучшает скорость выводов и общую пропускную способность стека, обеспечивая более высокую эффективную пропускную способность для крупномасштабного обучения нейронных сетей, имитационного моделирования и параллельной обработки данных.\u003c\/p\u003e\u003ch2\u003eАрхитектура и пропускная способность\u003c\/h2\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eЕмкость: 8 ГБ на стек\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eШирина ввода-вывода: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 3,6 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 460 ГБ\/с на стек\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eТехнология: Многоуровневая DRAM TSV (Through-Silicon Via)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eКоррекция ошибок: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003cp\u003eБлагодаря 1024-битному интерфейсу и сигнализации 3,6 Гбит\/с, один стек HBM2E Flashbolt 8 ГБ может обеспечить пропускную способность до 460 ГБ\/с. В многостековых конфигурациях ускорителей совокупная пропускная способность значительно увеличивается, поддерживая память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ и процессоров глубокого обучения.\u003c\/p\u003e\u003ch2\u003eПлотность и масштабирование вычислений\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003eЕмкость 8 ГБ достигается за счет укладки восьми слоев 16-гигабитных кристаллов DRAM класса 10 нм. Более высокая плотность стека сокращает расстояние между соединениями и повышает эффективность использования полосы пропускания по сравнению с традиционными архитектурами памяти GDDR.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eДля инженеров, проектирующих системы на основе стека Samsung HBM2E Flashbolt 8 ГБ, эта конфигурация обеспечивает улучшенную локальность памяти и стабильную пропускную способность для ресурсоемких рабочих нагрузок ИИ и HPC.\u003c\/p\u003e\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt повышает энергоэффективность по сравнению с более ранними реализациями HBM2. Оптимизированная внутренняя маршрутизация и расширенное распределение силовых контактов улучшают стабильность напряжения в условиях высокой пакетной передачи данных.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eЭто делает его подходящим для систем памяти графических процессоров класса центров обработки данных, где тепловая нагрузка и долгосрочная надежность являются критически важными ограничениями конструкции.\u003c\/p\u003e\u003ch2\u003eНадежность и целостность данных\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003eВстроенная функция On-Die ECC позволяет обнаруживать и исправлять внутренние ошибки до передачи данных, повышая стабильность в крупномасштабных кластерах ИИ и суперкомпьютерных развертываниях.\u003c\/p\u003e\u003ch2\u003eСписок номеров деталей\u003c\/h2\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC17\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC16\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003ch2\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003eВопрос 1: В чем разница между HBM2 и HBM2E?\u003cbr\u003eHBM2E увеличивает скорость передачи данных на контакт и плотность стека по сравнению с HBM2. Хотя оба используют 1024-битный интерфейс ввода-вывода, HBM2E обеспечивает более высокую пропускную способность и повышенную эффективность для систем ИИ и HPC.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eВопрос 2: Является ли HBM2E Flashbolt модулем памяти?\u003cbr\u003eНет. HBM2E Flashbolt — это многоуровневый корпус DRAM на основе TSV, предназначенный для интеграции на интерпозере или подложке в архитектурах графических процессоров и ускорителей.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eВопрос 3: Какие приложения обычно используют стеки HBM2E 8 ГБ?\u003cbr\u003eУскорители обучения ИИ, процессоры глубокого обучения, системы научных вычислений и высокопроизводительные графические платформы, требующие памяти с высокой пропускной способностью.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764164182255,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754"},{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-16gb","title":"Samsung HBM2E Flashbolt — 16 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamSung HBM2E Flashbolt - 16 ГБ\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для платформ ИИ и суперкомпьютеров\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamSung HBM2E Flashbolt 16 ГБ — это многослойное решение DRAM с высокой пропускной способностью, разработанное для ускорителей ИИ, суперкомпьютерных систем и графических процессоров центров обработки данных нового поколения. Созданный на основе технологии HBM2E, он увеличивает плотность памяти, сохраняя при этом высокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с более ранними реализациями HBM2, HBM2E Flashbolt увеличивает емкость стека и улучшает скорость передачи сигналов, обеспечивая более эффективное масштабирование в условиях обучения больших нейронных сетей и высокопроизводительных вычислений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eАрхитектура производительности\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЕмкость: 16 ГБ на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина ввода\/вывода: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 3,6 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 460 ГБ\/с на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТехнология: Многослойная DRAM TSV (Through-Silicon Via)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКоррекция ошибок: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eПри скорости передачи сигналов 3,6 Гбит\/с через 1024-битный интерфейс, один стек может обеспечить пропускную способность до 460 ГБ\/с. В конфигурациях многостековых ускорителей общая пропускная способность масштабируется для поддержки архитектур памяти для обучения ИИ и рабочих нагрузок по обработке крупномасштабных матриц.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eРасширенная емкость для глубокого обучения\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eЕмкость 16 ГБ достигается за счет восьми сложенных 10-нм 16-гигабитных кристаллов DRAM, что фактически удваивает плотность по сравнению с предыдущими поколениями HBM. Более высокая емкость на стек позволяет использовать более глубокие нейронные сети и снижает зависимость от внешнего расширения памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля инженеров, разрабатывающих память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ, увеличенная плотность стека улучшает локальность данных и минимизирует узкие места в памяти во время непрерывных вычислительных операций.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt повышает энергоэффективность примерно на 18% по сравнению с предыдущими решениями HBM2. Усовершенствованная внутренняя маршрутизация и расширенное распределение силовых контактов улучшают стабильность напряжения в условиях высокой пропускной способности.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eЭто делает его подходящим для платформ памяти графических процессоров центров обработки данных, работающих в условиях строгих тепловых и энергетических ограничений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНадежность и стабильность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eВстроенная функция On-Die ECC поддерживает внутреннюю коррекцию ошибок до передачи данных, повышая стабильность в длительных развертываниях суперкомпьютеров и кластеров ИИ.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eСписок артикулов\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC16\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC16\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eВ1: В чем разница между HBM2 и HBM2E Flashbolt?\u003cbr\u003eHBM2E увеличивает плотность стека и скорость передачи сигналов по сравнению с HBM2. Хотя обе используют 1024-битный интерфейс, HBM2E поддерживает более высокую емкость на стек и улучшенную эффективность пропускной способности.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ2: Является ли HBM2E Flashbolt 16 ГБ модулем памяти?\u003cbr\u003eНет. Это многослойный пакет DRAM на основе TSV, предназначенный для интеграции на интерпозере в системах GPU и ускорителей, а не DIMM или подключаемый модуль.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eВ3: Какие приложения обычно используют HBM2E 16 ГБ?\u003cbr\u003eУскорители обучения ИИ, высокопроизводительные вычислительные системы, платформы GPU центров обработки данных и крупномасштабные среды моделирования.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764193214703,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754"},{"product_id":"samsung-hbm3-icebolt-16gb","title":"Samsung HBM3 Icebolt - 16 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM3 Icebolt - 16 Гбит\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eВысокоскоростная память нового поколения для ИИ и высокопроизводительных вычислений\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM3 Icebolt 16 Гбит — это высокоскоростное решение памяти нового поколения, разработанное для ускорителей ИИ, гипермасштабных центров обработки данных и высокопроизводительных вычислительных платформ (HPC). Построенная на усовершенствованной архитектуре сквозных кремниевых соединений (TSV), HBM3 значительно увеличивает плотность полосы пропускания, одновременно повышая тепловую и энергетическую эффективность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eРазработанная для крупномасштабного обучения ИИ и вычислений с интенсивным использованием данных, HBM3 Icebolt обеспечивает более высокие скорости передачи данных на контакт и улучшенную масштабируемость стека по сравнению с предыдущими поколениями HBM.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eТехнический обзор\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность кристалла: кристалл DRAM 16 Гбит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКонфигурация стека: до 12 слоев\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных на контакт: до 6,4 Гбит\/с\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 819 ГБ\/с на стек (в зависимости от конфигурации)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина интерфейса: 1024 бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЗащита от ошибок: усовершенствованная встроенная функция исправления ошибок (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eПри скорости 6,4 Гбит\/с на контакт через 1024-битный интерфейс HBM3 Icebolt может обеспечивать пропускную способность до 819 ГБ\/с на стек. Это делает его хорошо подходящим для высокопроизводительной памяти для ускорителей ИИ, кластеров обучения на базе GPU и эксаскейлинговых вычислительных систем.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eАрхитектура стека и масштабирование емкости\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt объединяет до 12 слоев кристаллов DRAM 16 Гбит класса 10 нм с использованием технологии вертикальных межсоединений TSV. В зависимости от конфигурации стека общая емкость стека может достигать 24 ГБ, увеличивая плотность памяти примерно в 1,5 раза по сравнению с предыдущими поколениями.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eБолее высокая плотность и более быстрые скорости передачи данных уменьшают узкие места памяти при обучении глубоких нейронных сетей, больших рабочих нагрузках моделирования и расширенных конвейерах анализа данных.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt повышает энергоэффективность примерно на 10% по сравнению с решениями HBM предыдущего поколения. Оптимизированная передача сигналов и усовершенствованная внутренняя маршрутизация снижают энергопотребление на передаваемый бит, помогая снизить общую мощность системы при развертывании памяти GPU в центрах обработки данных.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eПовышение надежности\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eУсовершенствованная реализация встроенной функции исправления ошибок (ODECC) улучшает возможности внутренней коррекции ошибок. В отличие от предыдущих поколений, которые исправляли однобитовые ошибки, HBM3 Icebolt поддерживает коррекцию более широких многобитовых паттернов ошибок, улучшая целостность данных при длительных высокопроизводительных нагрузках.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНомер детали\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBA84A03D-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBA84A03C-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ1: Является ли Samsung HBM3 Icebolt 16 Гбит модулем?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eНет. Это компонент стекированной DRAM, предназначенный для интеграции на кремниевых интерпозерах в графических процессорах и ускорителях ИИ. Это не DIMM или подключаемый модуль памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ2: В чем разница между HBM2E и HBM3?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM3 увеличивает скорость передачи данных на контакт (до 6,4 Гбит\/с против ~3,6 Гбит\/с в HBM2E), улучшает масштабируемость стека и повышает надежность механизмов ODECC. Он также обеспечивает значительно более высокую пропускную способность на стек.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ3: Какие системы обычно используют HBM3 Icebolt?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУскорители обучения ИИ, эксаскейлинговые суперкомпьютеры, гипермасштабные облачные платформы GPU и передовые кластеры HPC.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764228276463,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm3-icebolt-24gb","title":"Samsung HBM3 Icebolt - 24 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM3 Icebolt - 24 Гбит\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHBM3 высокой плотности для ИИ и экзамасштабных вычислений\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM3 Icebolt 24 Гбит — это высокоскоростная память нового поколения, разработанная для ускорителей ИИ, гипермасштабных центров обработки данных и передовых высокопроизводительных вычислительных платформ. Основанная на архитектуре TSV (Through-Silicon Via), она увеличивает плотность каждого кристалла, сохраняя при этом сверхвысокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eПлотность 24 Гбит позволяет увеличить общую емкость стека при конфигурации в многослойных стеках HBM3, поддерживая крупномасштабное обучение моделей ИИ, научное моделирование и интенсивные по данным вычислительные среды с использованием графических процессоров.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eТехнический обзор\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность кристалла: 24 Гбит DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКонфигурация стека: до 12 слоев\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина интерфейса: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорость передачи данных: до 6,4 Гбит\/с на контакт\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 819 ГБ\/с на стек (зависит от конфигурации)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЗащита от ошибок: Расширенная внутрикристальная ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eРаботая со скоростью до 6,4 Гбит\/с на контакт через 1024-битный интерфейс, HBM3 Icebolt обеспечивает пропускную способность до 819 ГБ\/с на стек. Этот уровень пропускной способности поддерживает высокоскоростную память для ускорителей ИИ и крупномасштабных кластеров графических процессоров, где устойчивое перемещение данных имеет решающее значение.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eМасштабирование плотности для передовых рабочих нагрузок ИИ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eБлагодаря плотности кристалла 24 Гбит, HBM3 Icebolt обеспечивает большую эффективную емкость стека по сравнению с предыдущими реализациями 16 Гбит. В 12-слойных конфигурациях стека общая емкость памяти значительно увеличивается без ущерба для пропускной способности.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eБолее высокая плотность улучшает локальность данных и уменьшает узкие места в памяти при обучении больших языковых моделей, генеративных рабочих нагрузках ИИ, финансовом моделировании и экзамасштабных вычислительных системах.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eПовышенная энергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt внедряет архитектурные оптимизации, которые повышают энергоэффективность примерно на 10% по сравнению с предыдущими поколениями HBM. Усовершенствованная маршрутизация сигналов и улучшенное распределение питания снижают энергию на переданный бит, поддерживая стабильную работу в развертываниях памяти графических процессоров в центрах обработки данных.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eПовышенная надежность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eУсовершенствованный механизм On-Die ECC поддерживает коррекцию более широких многобитовых ошибок, помимо коррекции одиночных битов, используемой в более ранних решениях HBM. Это повышает долгосрочную стабильность в серверах обучения ИИ, кластерах высокопроизводительных вычислений и средах устойчивого вывода.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНомера деталей\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBAC4A03D-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBAC4A03C-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eЧасто задаваемые вопросы\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ1: Является ли Samsung HBM3 Icebolt 24 Гбит модулем памяти?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eНет. Это стек-компонент DRAM, предназначенный для интеграции на кремниевые интерпозеры внутри графических процессоров и ускорителей ИИ. Это не DIMM или подключаемый модуль памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ2: Что означает 24 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e24 Гбит относится к плотности хранения данных на кристалле. Когда несколько кристаллов вертикально уложены в стек, общая емкость памяти на стек HBM3 соответственно увеличивается.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ3: Какие системы обычно используют HBM3 Icebolt 24 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eПлатформы ускорителей ИИ, гипермасштабная облачная инфраструктура графических процессоров, экзамасштабные вычислительные системы и передовые высокопроизводительные вычислительные кластеры.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764304199919,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","title":"Samsung HBM2 Flarebolt - 4 ГБ \/ 8 ГБ","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Flarebolt - 4 Гбит \/ 8 Гбит\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eПамять с высокой пропускной способностью для ИИ, высокопроизводительных вычислений и обработки графики\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Flarebolt — это решение DRAM с высокой пропускной способностью, созданное на основе технологии стекирования TSV (Through-Silicon Via). Разработанное для ускорителей ИИ, высокопроизводительных вычислительных систем и передовых графических процессоров, HBM2 Flarebolt обеспечивает существенное увеличение пропускной способности при сохранении более низкого рабочего напряжения и компактной интеграции.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДоступный в вариантах с плотностью кристалла 4 Гбит и 8 Гбит, Flarebolt обеспечивает масштабируемые конфигурации стека памяти, подходящие для ресурсоемких приложений ГП и сетевых приложений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eТехнический обзор\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: HBM2\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность кристалла: 4 Гбит \/ 8 Гбит DRAM кристалл\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eШирина интерфейса: 1024-бит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКаналы: 8 каналов на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eПропускная способность: до 256 ГБ\/с на стек\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСистемная пропускная способность: до 1 ТБ\/с (конфигурация с несколькими стеками)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eРабочее напряжение: 1,35 В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТехнология: Многослойная архитектура TSV\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eС интерфейсом 1024 бит и 8 независимыми каналами один стек HBM2 Flarebolt может обеспечить пропускную способность до 256 ГБ\/с. В конфигурациях ГП с несколькими стеками совокупная пропускная способность системной памяти может достигать примерно 1 ТБ\/с, поддерживая память с высокой пропускной способностью для ускорителей ИИ и передовых сред высокопроизводительных вычислений.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eАрхитектура и масштабирование производительности\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 Flarebolt увеличивает плотность ввода-вывода до 1024 линий данных, что обеспечивает значительно более высокую пропускную способность по сравнению с системами памяти на основе GDDR5. Широкая конструкция интерфейса снижает зависимость от чрезвычайно высоких тактовых частот, улучшая целостность сигнала и термическую стабильность.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с традиционными архитектурами памяти GDDR5, HBM2 Flarebolt предлагает значительно более высокую пропускную способность на ватт и улучшенную производительность на единицу площади печатной платы.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eЭнергоэффективность\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eРаботая при напряжении 1,35 В, HBM2 Flarebolt снижает энергопотребление примерно на 20% по сравнению с решениями GDDR5 с напряжением 1,5 В. Работа при более низком напряжении повышает общую эффективность системы в кластерах ГП и платформах ускорителей с высокой плотностью.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eКомпактная интеграция\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 интегрирует стеки памяти непосредственно рядом с процессором, используя технологию кремниевого интерпозера. Это уменьшает площадь печатной платы до 94% по сравнению с обычными конструкциями на основе GDDR, что обеспечивает более высокую вычислительную плотность и улучшенную эффективность маршрутизации сигналов.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eНомера деталей\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA843801B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA883901B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ1: Является ли Samsung HBM2 Flarebolt DIMM или подключаемым модулем?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eНет. HBM2 Flarebolt — это многослойный компонент DRAM, интегрированный на кремниевый интерпозер вместе с кристаллами ГП или ускорителя. Это не подключаемый модуль памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ2: Что означают 4 Гбит или 8 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4 Гбит и 8 Гбит указывают плотность хранения на кристалле. Несколько кристаллов уложены вертикально для формирования полного стека памяти HBM2.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВ3: В чем разница между HBM2 Flarebolt и HBM2E?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM2E увеличивает плотность кристалла и скорость передачи данных на контакт по сравнению с HBM2. Хотя оба используют 1024-битный интерфейс, HBM2E поддерживает большую общую емкость стека и улучшенную эффективность пропускной способности.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764358004975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"}],"url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/collections\/high-bandwidth-memory-hbm.oembed","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}