{"title":"DDR4","description":"","products":[{"product_id":"samsung-16gb-ddr4-dram-k4aag165wa-bcwe-memory-chip","title":"Чип памяти Samsung 16ГБ DDR4 DRAM K4AAG165WA-BCWE","description":"\u003cp\u003eБренд: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4AAG165WA-BCWE\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: поверхностный монтаж\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость хранилища: 16 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСпособ упаковки: Коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамое быстрое время доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Polaris Electronic","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187792111,"sku":"K4AAG165WA-BCWE","price":27.9,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4AAG085WA_8c783397-2c4e-4860-8aaa-51f811b979c9.png?v=1771779722"},{"product_id":"samsung-4gb-ddr4-dram-k4a4g085we-bcrc-memory-chip","title":"Чип памяти Samsung 4 ГБ DDR4 DRAM K4A4G085WE-BCRC","description":"\u003cp\u003eБренд: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4A4G085WE-BCRC\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: для поверхностного монтажа\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость хранилища: 4 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eРазмер корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМетод упаковки: коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамый быстрый срок доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Polaris Electronic","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187824879,"sku":"K4A4G085WE-BCRC","price":1.9,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573"},{"product_id":"samsung-4gb-ddr4-dram-k4a4g165we-bcrc-memory-chip","title":"Чип памяти Samsung 4GB DDR4 DRAM K4A4G165WE-BCRC","description":"\u003cp\u003eБренд: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4A4G165WE-BCRC\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: для поверхностного монтажа\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость хранилища: 4 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eРазмер корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМетод упаковки: коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамый быстрый срок доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия оригинального производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Polaris Electronic","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187857647,"sku":"K4A4G165WE-BCRC","price":1.9,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573"},{"product_id":"samsung-4gb-ddr4-dram-k4a4g165wf-bctd-memory-chip","title":"K4A4G165WF-BCTD Samsung 4 ГБ DDR4 DRAM чип памяти","description":"\u003cp\u003eБренд: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4A4G165WF-BCTD\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: для поверхностного монтажа\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость хранилища: 4 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eРазмер корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСпособ упаковки: Коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамый быстрый срок доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Samsung","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187890415,"sku":"K4A4G165WF-BCTD","price":12.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573"},{"product_id":"samsung-8gb-ddr4-dram-k4a8g165wb-bcrc-memory-chip","title":"Чип памяти Samsung 8ГБ DDR4 DRAM K4A8G165WB-BCRC","description":"\u003cp\u003eБренд: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4A8G165WB-BCRC\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: для поверхностного монтажа\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость памяти: 8 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eРазмер корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМетод упаковки: Коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамый быстрый срок доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Polaris Electronic","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187955951,"sku":"K4A8G165WB-BCRC","price":2.9,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4A8G085WC_1_1c56e78a-1c81-4fe1-9737-7aaa2dcf09ba.png?v=1771778780"},{"product_id":"samsung-8gb-ddr4-dram-k4a8g165wc-bctd-memory-chip","title":"Микросхема памяти Samsung 8GB DDR4 DRAM K4A8G165WC-BCTD","description":"\u003cp\u003eТорговая марка: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eМодель: K4A8G165WC-BCTD\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eТип монтажа: для поверхностного монтажа\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВерсия eStorage: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eЕмкость хранилища: 8 Гбит\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eРазмер корпуса: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eДобавленный параметр: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСерия продукта: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСпособ упаковки: Коробка\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eНомер производственной партии: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходной ток: стандартный\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eВыходное напряжение: стандартное\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eСамый быстрый срок доставки: 1-3 дня\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eПослепродажное обслуживание: гарантия производителя\u003c\/p\u003e","brand":"Polaris Electronic","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47303187988719,"sku":"K4A8G165WC-BCTD","price":2.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4A8G085WC_1.png?v=1771778709"},{"product_id":"samsung-ddr4-dram","title":"Оперативная память Samsung DDR4 DRAM","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung DDR4 DRAM\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновная информация\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКатегория:\u003c\/strong\u003e Чип памяти\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eБренд:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eПрименение\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Серверы · Аэрокосмическая и оборонная промышленность · Телекоммуникации · Модули памяти · ИИ\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОсновные характеристики\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВарианты плотности:\u003c\/strong\u003e 4 Гбит \/ 8 Гбит \/ 16 Гбит \/ 32 Гбит\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eОрганизация:\u003c\/strong\u003e 512M x 8 · 256M x 16 · 1G x 8 · 1G x 16 · 2G x 8 · 2G x 16 · 4G x 4 · 4G x 8\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eСкорость передачи данных:\u003c\/strong\u003e 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eРабочее напряжение:\u003c\/strong\u003e 1.2 В\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eРабочая температура:\u003c\/strong\u003e 0 ~ 85 °C\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eКорпус:\u003c\/strong\u003e 96 FBGA\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eОписание продукта\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Оперативная память Samsung DDR4 DRAM создана с использованием передовой 1x-нанометровой технологической нормы,\n    что позволяет снизить энергопотребление при одновременном повышении производительности. По сравнению с\n    предыдущими поколениями, энергопотребление снижено до 25%, что способствует снижению общих\n    системных затрат.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Работая при низком напряжении 1,2 В, оперативная память Samsung DDR4 DRAM поддерживает скорость передачи данных до\n    3200 Мбит\/с с использованием сигнализации Pseudo Open Drain (POD), что делает ее подходящей для требовательных\n    серверных, телекоммуникационных, ИИ и критически важных приложений.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394896216303,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/db8bab66165df29913e68c77a53a8a3.jpg?v=1768031975"},{"product_id":"samsung-ddr4-16gb-sdram-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 16Gb SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 16Гбит SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eВысокоскоростная память DDR4 для современных платформ и систем, критичных к производительности\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eУстройства памяти Samsung DDR4 16Гбит обеспечивают увеличенную пропускную способность, повышенную надежность и пониженное энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями DDR. Поддерживая скорости 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с, эта серия широко используется в высокопроизводительных настольных ПК, рабочих станциях, встраиваемых системах и платформах с интенсивной обработкой данных, требующих стабильной работы DDR4.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eДля клиентов, приобретающих \u003cem\u003eчипы памяти Samsung DDR4 16Гбит 3200\u003c\/em\u003e, проходящую квалификацию \u003cem\u003eпромышленную DRAM DDR4 2666\u003c\/em\u003e или поддерживающих доступность \u003cem\u003eвысокоскоростных устройств памяти DDR4 1.2В\u003c\/em\u003e для производства, эта серия обеспечивает сбалансированную производительность и эффективность для современных архитектур процессоров.\u003c\/p\u003e\u003ch3\u003eАрхитектура и характеристики производительности\u003c\/h3\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eПлотность: 16Гбит\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eТип памяти: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eКлассы скорости: 2666 Мбит\/с \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eНапряжение: рабочее напряжение 1.2В\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСтруктура банков: 4 группы банков (всего 16 банков)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eИнтерфейс: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eУлучшенная эффективность чередования для уменьшения задержки\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПовышенная пропускная способность по сравнению с платформами DDR3\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003ch3\u003eУлучшения по питанию и надежности\u003c\/h3\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eТехнологический процесс класса 1x нм\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСниженное потребление мощности ядра и в режиме ожидания\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСнижение энергопотребления до 25% по сравнению с DDR3\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eWrite CRC для обнаружения многоразрядных ошибок\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПроверка четности для сигналов CMD\/ADD\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003cp\u003eПо сравнению с DDR3, работающей при 1.5В, DDR4 работает при 1.2В, что повышает энергоэффективность при одновременном увеличении пропускной способности данных. Благодаря улучшенной архитектуре банков и более высоким скоростям передачи до 3200 Мбит\/с, эта память обеспечивает более быструю обработку больших рабочих нагрузок и улучшенную отзывчивость системы.\u003c\/p\u003e\u003ch3\u003eСписок артикулов – серия Samsung DDR4 16Гбит\u003c\/h3\u003e\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003eНомер детали\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eПлотность\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eКласс скорости\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCTD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCT\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e16Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\u003c\/table\u003e\u003cbr\u003e\u003ch3\u003eFAQ – Техническая справка\u003c\/h3\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Какие варианты скорости поддерживаются в этой серии DDR4 16Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eЭта серия поддерживает скорости 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с, в зависимости от конфигурации системного контроллера.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Какое напряжение требуется для разработки платы?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУстройство работает при 1.2В, что снижает общее энергопотребление по сравнению с платформами DDR3, работающими при 1.5В.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Какие механизмы надежности интегрированы?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eSamsung DDR4 интегрирует Write CRC для обнаружения многоразрядных ошибок и проверки четности сигналов CMD\/ADD для повышения надежности на системном уровне.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747744497903,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4AAG085WA.png?v=1771498851"},{"product_id":"samsung-ddr4-32gb-sdram-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 32 ГБ SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 32 Гбит SDRAM – 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/h2\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDDR4-память высокой плотности для рабочих станций, систем обработки данных и критически важных платформ\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eУстройства Samsung DDR4 32 Гбит обеспечивают повышенную плотность, более высокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность для современных вычислительных архитектур. Поддерживая скорость 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с, эта серия широко применяется в производительных настольных компьютерах, профессиональных рабочих станциях, системах виртуализации и встраиваемых платформах с интенсивной обработкой данных.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003eДля клиентов, приобретающих \u003cem\u003eчипы памяти Samsung DDR4 32 Гбит 3200\u003c\/em\u003e, закупающих \u003cem\u003eпромышленные модули DDR4 2666\u003c\/em\u003e или поддерживающих непрерывность поставок \u003cem\u003eDDR4 SDRAM высокой плотности 1,2 В\u003c\/em\u003e для производства систем, эта серия предлагает сбалансированную производительность, масштабируемость и долгосрочную надежность.\u003c\/p\u003e\u003ch3\u003eАрхитектура и электрические характеристики\u003c\/h3\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eПлотность: 32 Гбит\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eТип памяти: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eКлассы скорости: 2666 Мбит\/с \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eРабочее напряжение: 1,2 В\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСтруктура банков: 4 группы банков (всего 16 банков)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eИнтерфейс: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eCRC для записи для обнаружения многобитовых ошибок\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eПроверка четности для целостности сигнала CMD\/ADD\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eОптимизировано для процессоров и платформ последнего поколения\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003ch3\u003eОбзор производительности и эффективности\u003c\/h3\u003e\u003cp\u003eПо сравнению с DDR3, работающей при 1,5 В, DDR4 работает при 1,2 В, снижая общее энергопотребление системы при одновременном увеличении эффективной пропускной способности. Благодаря улучшенной архитектуре банков и эффективности чередования, DDR4 повышает последовательную пропускную способность данных и снижает задержку в условиях высокой нагрузки.\u003c\/p\u003e\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eПовышение пропускной способности до 30% по сравнению с платформами DDR3\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eСнижение энергопотребления благодаря 1x нм техпроцессу\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eУлучшенные характеристики мощности ядра и режима ожидания\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eРазработано для поддержки больших конфигураций памяти до 32 Гбит на устройство\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\u003ch3\u003eСписок номеров деталей – серия Samsung DDR4 32 Гбит\u003c\/h3\u003e\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003eНомер детали\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eПлотность\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003eТип памяти\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4ABG165WB-MCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e32 Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4ABG085WA-MCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e32 Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4ABG165WA-MCWE\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e32 Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4ABG085WA-MCTD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e32 Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eK4ABG165WA-MCTD\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e32 Гбит\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\u003c\/table\u003e\u003ch3\u003e\n\u003cbr\u003eЧасто задаваемые вопросы – Применение, инженерия и закупки\u003c\/h3\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. С точки зрения системного проектирования, где обычно применяется DDR4 32 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУстройства DDR4 32 Гбит обычно используются в платформах рабочих станций большой емкости, системах виртуализации, промышленных вычислениях и встроенных системах с интенсивной обработкой данных. Их более высокая плотность позволяет разработчикам плат сократить количество компонентов при достижении больших общих конфигураций памяти, улучшая эффективность компоновки и управление температурным режимом в компактных конструкциях.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Что следует учитывать инженерам-разработчикам при выборе между 2666 Мбит\/с и 3200 Мбит\/с?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eИнженеры должны проверить возможности контроллера памяти, качество трассировки материнской платы и запасы целостности сигнала. Хотя 3200 Мбит\/с обеспечивает более высокую пропускную способность для требовательных рабочих нагрузок, таких как виртуализация и обработка данных, 2666 Мбит\/с может обеспечить более широкую совместимость в консервативных промышленных разработках. Окончательная частота будет зависеть от ограничений контроллера памяти ЦП и конфигурации BIOS системы.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. С точки зрения закупок, какие факторы важны для долгосрочных поставок?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eДля закупочных команд критически важны согласованность ревизии кристалла, стабильность жизненного цикла и совместимость по напряжению. Устройства DDR4 32 Гбит, работающие при 1,2 В, остаются совместимыми с современными стандартами платформ, упрощая планирование замены и снижая риск перепроектирования. Поддержание квалифицированных номеров деталей из одной серии помогает минимизировать затраты на валидацию в текущих производственных или обслуживающих программах.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747788407023,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4ABG165WB-MCWE.png?v=1771498790"},{"product_id":"samsung-ddr4-4gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 4 ГБ SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eЭнергоэффективная память DDR4 для массовых платформ и экономичных систем\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eУстройства Samsung DDR4 4 Гбит обеспечивают стабильную пропускную способность, сниженное рабочее напряжение и повышенную надежность для современных платформ на базе DDR4. Поддерживая скорости от 2133 Мбит\/с до 3200 Мбит\/с, эта серия широко применяется в настольных компьютерах, ноутбуках, встраиваемых контроллерах и рабочих станциях начального уровня, требующих эффективных и масштабируемых решений для памяти.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля клиентов, закупающих \u003cem\u003eчипы памяти Samsung DDR4 4 Гбит 3200\u003c\/em\u003e, поддерживающих \u003cem\u003eпоставки промышленной памяти DDR4 2666\u003c\/em\u003e или квалифицирующих \u003cem\u003e1.2В DDR4 SDRAM для перехода от устаревших к современным платформам\u003c\/em\u003e, эта серия обеспечивает сбалансированную производительность и долгосрочную доступность.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eАрхитектура и электрические характеристики\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность: 4 Гбит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорости: 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eРабочее напряжение: 1.2В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСтруктура банков: 4 группы банков (всего 16 банков)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eИнтерфейс: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eКонтрольная сумма записи (Write CRC) для обнаружения многобитных ошибок\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЗащита четности для целостности сигналов CMD\/ADD\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eРазработан для совместимости с современными контроллерами DDR4\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eПроизводительность и эффективность\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с DDR3, работающей при 1.5В, DDR4 работает при 1.2В, снижая энергопотребление и увеличивая пропускную способность данных. Улучшенная группировка банков повышает эффективность чередования и уменьшает задержку доступа при умеренных нагрузках.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eДо 30% увеличение пропускной способности по сравнению с платформами DDR3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eБолее низкое энергопотребление благодаря передовой технологической обработке\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eУлучшенная последовательная пропускная способность данных\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eОптимизировано для современных процессоров и системных чипсетов\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eСписок номеров деталей – серия Samsung DDR4 4 Гбит\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eНомер детали\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eПлотность\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eТип памяти\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIW\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eЧасто задаваемые вопросы – Инженерная и закупочная перспективы\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Для инженеров-разработчиков, когда следует выбирать 3200 Мбит\/с вместо 2133\/2400?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eВыбор зависит от возможностей контроллера памяти и запаса целостности сигнала. 3200 Мбит\/с повышает пропускную способность для высоконагруженных сред, таких как многозадачность или легкая виртуализация. Для консервативных промышленных решений, приоритетом которых являются стабильность и совместимость, 2133 или 2400 Мбит\/с могут обеспечить больший запас.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. С точки зрения системной интеграции, каковы преимущества плотности 4 Гбит?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУстройства 4 Гбит обеспечивают гибкие конфигурации памяти при сохранении более низкой стоимости и энергопотребления. Они подходят для массовых настольных компьютеров, ноутбуков и встраиваемых плат, где достаточна умеренная емкость памяти без усложнения теплового дизайна.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. С точки зрения закупок, что обеспечивает стабильность жизненного цикла?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eПоддержание последовательности в семействе кристаллов и проверенных номеров деталей снижает риск перепроектирования. 1.2В DDR4 соответствует современным стандартам платформ, что упрощает планирование замены и минимизирует накладные расходы на квалификацию в текущих производственных или обслуживающих программах.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747869180143,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573"},{"product_id":"samsung-ddr4-8gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 8 ГБ SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 8 Гбит SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eОсновное решение памяти DDR4 для сбалансированной производительности и энергоэффективности\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eУстройства Samsung DDR4 8 Гбит обеспечивают стабильную пропускную способность, низкое рабочее напряжение и повышенную надежность для современных систем на базе DDR4. Поддерживая скорости от 2133 Мбит\/с до 3200 Мбит\/с, эта серия широко используется в настольных компьютерах, ноутбуках, встроенных платформах и производительных системах массового сегмента.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eДля клиентов, закупающих \u003cem\u003eмикросхемы памяти Samsung DDR4 8 Гбит 3200\u003c\/em\u003e, поддерживающих \u003cem\u003eпромышленные поставки DDR4 2666 DRAM\u003c\/em\u003e или квалифицирующих \u003cem\u003e1.2V DDR4 SDRAM для обновления системы\u003c\/em\u003e, эта серия обеспечивает стабильную производительность с долгосрочной совместимостью платформ.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eАрхитектура и электрические характеристики\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eПлотность: 8 Гбит\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eТип памяти: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСкорости: 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Мбит\/с\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eРабочее напряжение: 1.2 В\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСтруктура банка: 4 группы банков (всего 16 банков)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eИнтерфейс: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eCRC-проверка записи для обнаружения многобитовых ошибок\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eЗащита четности для целостности сигнала CMD\/ADD\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eОптимизировано для современных контроллеров DDR4\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eОбзор производительности и эффективности\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eПо сравнению с DDR3, работающей при 1.5 В, DDR4 работает при 1.2 В, что снижает общее энергопотребление и повышает эффективность пропускной способности. Улучшенная группировка банков уменьшает задержки чередования и улучшает последовательную пропускную способность данных при многозадачных нагрузках.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eУвеличение пропускной способности до 30% по сравнению с платформами DDR3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСнижение энергопотребления благодаря передовой технологической обработке\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eУлучшенная скорость доступа для средних и высоких нагрузок\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eСовместимость с современными архитектурами процессоров\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eСписок номеров деталей – серия Samsung DDR4 8 Гбит\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eНомер детали\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eПлотность\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eТип памяти\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8 Гбит\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eЧасто задаваемые вопросы – Инжиниринг, применение и закупки\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Когда следует выбирать 3200 Мбит\/с вместо 2133 или 2400?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eДля производительных систем, таких как игровые платформы, многозадачные рабочие станции или среды с умеренной виртуализацией, 3200 Мбит\/с улучшает эффективную пропускную способность и уменьшает узкие места памяти. Для консервативных промышленных систем, приоритетом которых является долгосрочная стабильность, 2133 или 2400 Мбит\/с могут обеспечить более широкие пределы совместимости.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Какие преимущества дает плотность 8 Гбит в проектировании на уровне платы?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eУстройства 8 Гбит позволяют гибко настраивать общую конфигурацию памяти, поддерживая сбалансированную стоимость и энергопотребление. Они обычно используются в массовых настольных и встроенных системах, где требуется умеренная или высокая емкость памяти без чрезмерного увеличения количества компонентов.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. С точки зрения закупок, что обеспечивает стабильное планирование жизненного цикла?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eВыбор проверенных номеров деталей в рамках того же семейства DDR4 помогает снизить затраты на перепроектирование и повторную квалификацию. DDR4 1.2V остается в соответствии с текущими стандартами платформ, поддерживая долгосрочные программы обслуживания и минимизируя риск перехода в производственных средах.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747920756975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4A8G085WC.png?v=1771498631"}],"url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/ru\/collections\/ddr4.oembed","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}