{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-8gb","title":"Samsung HBM2E Flashbolt - 8 GB","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2E Flashbolt - 8GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI und Hochleistungsrechnen\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2E Flashbolt 8GB ist eine HBM (High Bandwidth Memory)-Lösung mit hoher Bandbreite, die für KI-Beschleuniger, Rechenzentrums-GPUs und fortschrittliche Hochleistungsrechnerplattformen entwickelt wurde. Als Weiterentwicklung der HBM2-Technologie erhöht HBM2E die Bandbreite pro Stapel und die Speicherdichte, während die Signalintegrität und thermische Stabilität unter anhaltender Rechenlast erhalten bleiben.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eVerglichen mit früheren HBM2-Generationen wie Aquabolt, verbessert HBM2E Flashbolt die Pin-Geschwindigkeit und den gesamten Stapel-Durchsatz, was eine höhere effektive Bandbreite für groß angelegte neuronale Netzwerktrainings, Simulationsmodellierung und parallele Datenverarbeitung ermöglicht.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eArchitektur und Bandbreite\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKapazität: 8GB pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eI\/O-Breite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 3,6 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 460 GB\/s pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV (Through-Silicon Via) gestapeltes DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eFehlerkorrektur: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit einer 1024 Bit breiten Schnittstelle und 3,6 Gbit\/s Signalisierung kann ein einzelner HBM2E Flashbolt 8GB Stapel eine Bandbreite von bis zu 460 GB\/s liefern. In Multi-Stapel-Beschleunigerkonfigurationen skaliert die Gesamtbandbreite erheblich und unterstützt Hochbandbreitenspeicher für KI-Beschleuniger und Deep-Learning-Prozessoren.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eDichte und Rechenskalierung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDie Kapazität von 8 GB wird durch das Stapeln von acht Schichten von 16-Gbit-DRAM-Chips der 10-nm-Klasse erreicht. Eine höhere Stapeldichte reduziert den Verbindungsabstand und verbessert die Bandbreiteneffizienz im Vergleich zu herkömmlichen GDDR-Speicherarchitekturen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Ingenieure, die auf Samsung HBM2E Flashbolt 8GB-Stapeln basierende Systeme entwickeln, ermöglicht diese Konfiguration eine verbesserte Speicherlokalität und einen nachhaltigen Durchsatz für rechenintensive KI- und HPC-Workloads.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt verbessert die Energieeffizienz im Vergleich zu früheren HBM2-Implementierungen. Optimierte interne Leitungsführung und erweiterte Power-Bump-Verteilung verbessern die Spannungsstabilität unter hohen Datenburst-Bedingungen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDies macht es für GPU-Speichersysteme der Rechenzentrumsklasse geeignet, wo der thermische Bereich und die langfristige Zuverlässigkeit kritische Designbeschränkungen sind.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eZuverlässigkeit und Datenintegrität\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eIntegrierte On-Die ECC ermöglicht die interne Fehlererkennung und -korrektur vor der Datenübertragung und verbessert so die Stabilität in großen KI-Clustern und Supercomputing-Bereitstellungen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummer-Liste\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC16\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eQ1: Was ist der Unterschied zwischen HBM2 und HBM2E?\u003cbr\u003eHBM2E erhöht die Datenrate pro Pin und die Stapeldichte im Vergleich zu HBM2. Obwohl beide eine 1024-Bit breite I\/O-Schnittstelle verwenden, bietet HBM2E eine höhere Bandbreite und verbesserte Effizienz für KI- und HPC-Systeme.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ2: Ist HBM2E Flashbolt ein Speichermodul?\u003cbr\u003eNein. HBM2E Flashbolt ist ein TSV-basiertes gestapeltes DRAM-Gehäuse, das für die Integration auf einem Interposer oder Substrat innerhalb von GPU- und Beschleunigerarchitekturen entwickelt wurde.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ3: Welche Anwendungen nutzen typischerweise HBM2E 8GB Stapel?\u003cbr\u003eKI-Trainingsbeschleuniger, Deep-Learning-Prozessoren, wissenschaftliche Computersysteme und High-End-GPU-Plattformen, die Hochbandbreitenspeicher erfordern.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764164182255,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/products\/samsung-hbm2e-flashbolt-8gb","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}