{"product_id":"samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","title":"Samsung HBM2 Flarebolt - 4 Gbit \/ 8 Gbit","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Flarebolt - 4Gb \/ 8Gb\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI, HPC und Grafikverarbeitung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Flarebolt ist eine High-Bandwidth-DRAM-Lösung, die auf der TSV-Technologie (Through-Silicon Via) basiert. Entwickelt für KI-Beschleuniger, Hochleistungsrechnersysteme und fortschrittliche Grafikprozessoren, liefert HBM2 Flarebolt erhebliche Bandbreitenverbesserungen bei gleichzeitig niedrigerer Betriebsspannung und kompakter Gehäuseintegration.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eErhältlich in 4Gb- und 8Gb-Die-Dichten, ermöglicht Flarebolt skalierbare Speicher-Stack-Konfigurationen, die für datenintensive GPU- und Netzwerkanwendungen geeignet sind.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTechnischer Überblick\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDie-Dichte: 4Gb \/ 8Gb DRAM-Die\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstellenbreite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKanäle: 8 Kanäle pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 256 GB\/s pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSystembandbreite: Bis zu 1 TB\/s (Multi-Stack-Konfiguration)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1,35 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV-gestapelte Architektur\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit einer 1024-Bit-Schnittstelle und 8 unabhängigen Kanälen kann ein einzelner HBM2 Flarebolt-Stack eine Bandbreite von bis zu 256 GB\/s liefern. In Multi-Stack-GPU-Konfigurationen kann die aggregierte Systemspeicherbandbreite auf ca. 1 TB\/s skaliert werden, wodurch eine hohe Bandbreite für KI-Beschleuniger und fortschrittliche HPC-Umgebungen unterstützt wird.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eArchitektur und Leistungsskalierung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 Flarebolt erhöht die I\/O-Dichte auf 1.024 Datenleitungen, was eine deutlich höhere Durchsatzleistung im Vergleich zu GDDR5-basierten Speichersystemen ermöglicht. Das breite Schnittstellendesign reduziert die Abhängigkeit von extrem hohen Taktfrequenzen, was die Signalintegrität und thermische Stabilität verbessert.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu traditionellen GDDR5-Speicherarchitekturen bietet HBM2 Flarebolt eine wesentlich höhere Bandbreite pro Watt und eine verbesserte Leistung pro Leiterplattenfläche.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eMit einer Betriebsspannung von 1,35 V reduziert HBM2 Flarebolt den Stromverbrauch um ca. 20 % im Vergleich zu 1,5 V GDDR5-Lösungen. Der niedrigere Spannungsbetrieb verbessert die Gesamtsystemeffizienz in GPU-Clustern und hochdichten Beschleunigerplattformen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eKompakte Integration\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 integriert Speicher-Stacks direkt neben dem Prozessor unter Verwendung der Silizium-Interposer-Technologie. Dies reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte um bis zu 94 % im Vergleich zu herkömmlichen GDDR-basierten Designs, was eine höhere Rechendichte und eine verbesserte Effizienz der Signalführung ermöglicht.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummern\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA843801B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA883901B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ1: Ist Samsung HBM2 Flarebolt ein DIMM oder ein Steckmodul?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eNein. HBM2 Flarebolt ist eine gestapelte DRAM-Komponente, die zusammen mit GPU- oder Beschleuniger-Dies auf einem Silizium-Interposer integriert ist. Es handelt sich nicht um ein steckbares Speichermodul.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ2: Worauf beziehen sich 4Gb oder 8Gb?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4Gb und 8Gb geben die Speicherdichte pro Die an. Mehrere Dies werden vertikal gestapelt, um einen vollständigen HBM2-Speicher-Stack zu bilden.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ3: Was ist der Unterschied zwischen HBM2 Flarebolt und HBM2E?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM2E erhöht die Die-Dichte und die Datenrate pro Pin im Vergleich zu HBM2. Während beide eine 1024-Bit-Schnittstelle verwenden, unterstützt HBM2E eine höhere Gesamt-Stack-Kapazität und eine verbesserte Bandbreiteneffizienz.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764358004975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/products\/samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}