{"product_id":"samsung-ddr5-16gb-sdram-4800-mbps","title":"Samsung DDR5 16GB SDRAM – 4800 Mbit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR5 16Gb SDRAM – 4800 MBit\/s\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDDR5-Speicher der nächsten Generation für Bandbreiten-intensive, datenintensive Plattformen\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eSamsung DDR5 16Gb-Geräte führen ein neues Niveau an Bandbreite, Kapazitätsskalierbarkeit und Energieeffizienz für moderne Computersysteme ein. Mit einer Basisgeschwindigkeit von 4800 MBit\/s und architektonischen Verbesserungen gegenüber DDR4 wurde diese Serie entwickelt, um datenintensive Workloads, Prozessoren der nächsten Generation und Hochleistungsplattformen zu unterstützen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR5 16Gb 4800 Speicherchips\u003c\/em\u003e beschaffen, die Migration von \u003cem\u003eDDR4- auf DDR5-Plattformen\u003c\/em\u003e planen oder \u003cem\u003e1.1V DDR5 SDRAM mit On-Die ECC\u003c\/em\u003e für fortschrittliche Systeme qualifizieren, bietet diese Serie einen verbesserten Durchsatz und eine langfristige Plattformausrichtung.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur \u0026amp; Technische Eigenschaften\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 16Gb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR5 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsklasse: 4800 MBit\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1,1V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 32 Bänke (doppelt so viele wie die 16 Bänke von DDR4)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBurst-Länge: 16 (doppelt so lange wie die Burst-Länge von 8 bei DDR4)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eZwei 32-Bit-Unterkanäle für verbesserte Effizienz\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOn-Die ECC (ODECC) für erhöhte Zuverlässigkeit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOn-DIMM PMIC für verbesserte Spannungsregelung\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eLeistungsentwicklung\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eDDR5 erhöht die Speicherbandbreite im Vergleich zu DDR4 erheblich, verbessert die Verarbeitung großer Datenmengen und reduziert Engpässe in Umgebungen mit hoher Last. Mit der doppelten Bankanzahl und der erweiterten Burst-Länge verbessert DDR5 die Parallelität und Effizienz in Echtzeit-Computerszenarien.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBasisübertragungsrate: 4800 MBit\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenübertragungsrate: 38,4 GB\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserte Skalierbarkeit für KI-, Virtualisierungs- und 8K-Workloads\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eEntwickelt für CPUs und Chipsätze der nächsten Generation\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eEnergieeffizienz \u0026amp; Zuverlässigkeit\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eMit einer Betriebsspannung von 1,1 V reduziert DDR5 den Stromverbrauch im Vergleich zu DDR4 (1,2 V), was zu einer verbesserten Energieeffizienz und geringeren Wärmeabgabe führt. Die ODECC-Technologie hilft, Einzelbitfehler auf Die-Ebene zu mindern, wodurch die Signalintegrität und Systemstabilität unter anspruchsvollen Workloads verbessert werden.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 30 % höhere Energieeffizienz im Vergleich zu DDR4\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eIntegrierte On-Die-Fehlerkorrektur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbessertes Power Management über PMIC\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR5 16Gb Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eSpeichertyp\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4RAH086VB-BCQK\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR5\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4RAH165VB-BCQ\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR5\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Ingenieur-, Anwendungs- und Beschaffungsperspektive\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Welche Designüberlegungen sind beim Migrieren von DDR4 zu DDR5 erforderlich?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDDR5 führt architektonische Änderungen ein, darunter zwei Unterkanäle, eine erhöhte Bankanzahl und die Integration von On-DIMM PMIC. Ingenieure müssen die Kompatibilität des Motherboard-Layouts, die Controller-Unterstützung und die BIOS-Konfiguration überprüfen. DDR5 ist nicht abwärtskompatibel mit DDR4-Steckplätzen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Wie verbessert ODECC die Systemzuverlässigkeit?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eOn-Die ECC (ODECC) korrigiert Einzelbitfehler innerhalb des DRAM-Dies, bevor Daten extern übertragen werden. Obwohl es nicht dem ECC auf Systemebene entspricht, verbessert es die Signalrobustheit und reduziert das Risiko stiller Fehler in hochdichten Speicherkonfigurationen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Warum sollte man aus Beschaffungssicht jetzt DDR5 4800 einführen?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDDR5 ist auf die neuesten CPU-Generationen abgestimmt und bietet eine höhere Bandbreitenreserve für zukünftige Workloads. Eine frühe Qualifizierung reduziert Redesign-Zyklen und gewährleistet die Kompatibilität mit Plattformen der nächsten Generation, während die langfristige Lebenszyklusplanung verbessert wird.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47748591714543,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4RAH086VB.png?v=1771500154","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/products\/samsung-ddr5-16gb-sdram-4800-mbps","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}