{"product_id":"samsung-ddr4-4gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 MBit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eEnergieeffizienter DDR4-Speicher für Mainstream-Plattformen und kostenoptimierte Systemdesigns\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDie 4-Gb-DDR4-Geräte von Samsung bieten stabile Bandbreite, reduzierte Betriebsspannung und verbesserte Zuverlässigkeit für moderne DDR4-basierte Plattformen. Mit Unterstützung von Geschwindigkeitsstufen von 2133 Mbit\/s bis zu 3200 Mbit\/s wird diese Serie häufig in Desktop-PCs, Laptops, Embedded Controllern und Einstiegs-Workstations eingesetzt, die effiziente und skalierbare Speicherlösungen benötigen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR4 4Gb 3200 Speicherchips\u003c\/em\u003e beschaffen, die \u003cem\u003eDDR4 2666 industrielle DRAM-Versorgung\u003c\/em\u003e aufrechterhalten oder \u003cem\u003e1.2V DDR4 SDRAM für den Übergang von Legacy- zu modernen Plattformen\u003c\/em\u003e qualifizieren, bietet diese Serie ausgewogene Leistung und langfristige Verfügbarkeit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur \u0026amp; elektrische Eigenschaften\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 4Gb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsstufen: 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1.2V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eWrite CRC zur Multibit-Fehlererkennung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eParitätsschutz für CMD\/ADD-Signalintegrität\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eEntwickelt für Kompatibilität mit modernen DDR4-Controllern\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eLeistung \u0026amp; Effizienz\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu DDR3, das mit 1.5V arbeitet, arbeitet DDR4 mit 1.2V, wodurch der Stromverbrauch reduziert und der Datendurchsatz erhöht wird. Die verbesserte Bankgruppierung verbessert die Interleaving-Effizienz und reduziert die Zugriffsverzögerung unter moderaten Arbeitslasten.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 30% Bandbreitenverbesserung im Vergleich zu DDR3-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeringerer Energieverbrauch durch fortschrittliche Prozesstechnologie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserter sequenzieller Datendurchsatz\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOptimiert für zeitgemäße Prozessoren und System-Chipsätze\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR4 4Gb Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eSpeichertyp\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIW\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Ingenieur- und Beschaffungsperspektive\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Wann sollten Hardware-Ingenieure 3200 Mbps anstelle von 2133\/2400 wählen?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDie Auswahl hängt von der Leistungsfähigkeit des Speichercontrollers und dem Signalintegritätsspielraum ab. 3200 Mbps verbessert den Durchsatz für Umgebungen mit hoher Last, wie Multitasking oder leichte Virtualisierung. Für konservative Industriedesigns, die Stabilität und Kompatibilität priorisieren, bieten 2133 oder 2400 Mbps möglicherweise einen größeren Spielraum.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Welche Vorteile bietet die 4-Gb-Dichte aus Sicht der Systemintegration?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4-Gb-Geräte ermöglichen flexible Speicherkonfigurationen bei gleichzeitig geringeren Kosten und geringerem Stromverbrauch. Sie eignen sich für Mainstream-Desktops, Notebooks und Embedded Boards, bei denen eine moderate Speicherkapazität ausreicht, ohne die Komplexität des thermischen Designs zu erhöhen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Was gewährleistet aus Beschaffungssicht die Stabilität des Lebenszyklus?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDie Beibehaltung einer konsistenten Die-Familie und validierter Teilenummern reduziert das Risiko einer Neuentwicklung. 1.2V DDR4 ist weiterhin auf moderne Plattformstandards abgestimmt, was die Ersatzplanung vereinfacht und den Qualifizierungsaufwand bei laufenden Produktions- oder Wartungsprogrammen minimiert.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747869180143,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/products\/samsung-ddr4-4gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}