{"product_id":"samsung-9th-generation-v-nand","title":"Samsung V-NAND der 9. Generation","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom: 12px;\"\u003eSamsung V-NAND der 9. Generation\u003c\/h2\u003e\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border: 1px solid #e5e5e5; border-radius: 8px; padding: 14px; margin-bottom: 14px;\"\u003e\n\n\u003ch3 style=\"margin-top: 0;\"\u003eGrundlegende Informationen\u003c\/h3\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eKategorie:\u003c\/strong\u003e Flash-Speicherchip\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eMarke:\u003c\/strong\u003e :SAMSUNG\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border: 1px solid #e5e5e5; border-radius: 8px; padding: 14px; margin-bottom: 14px;\"\u003e\n\n\u003ch3 style=\"margin-top: 0;\"\u003eAnwendungen\u003c\/h3\u003e\n\n\u003cp style=\"line-height: 1.6;\"\u003eMobile Speicher · eMMC · Micro SD · Flash Card · Eingebetteter Speicher · SSD\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border: 1px solid #e5e5e5; border-radius: 8px; padding: 14px; margin-bottom: 14px;\"\u003e\n\n\u003ch3 style=\"margin-top: 0;\"\u003eWichtige Spezifikationen\u003c\/h3\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eGeneration:\u003c\/strong\u003e V-NAND der 9. Generation\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 1 Tb\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eNAND I\/O-Geschwindigkeit:\u003c\/strong\u003e Bis zu 3,2 Gb\/s\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eSchnittstelle:\u003c\/strong\u003e Toggle 5.1\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border: 1px solid #e5e5e5; border-radius: 8px; padding: 14px;\"\u003e\n\n\u003ch3 style=\"margin-top: 0;\"\u003eProduktbeschreibung\u003c\/h3\u003e\n\n\u003cp style=\"line-height: 1.7;\"\u003eDie Samsung V-NAND 1Tb TLC der 9. Generation ist in die Massenproduktion gegangen. Mit der bisher kleinsten Zellgröße und der dünnsten Stapelhöhe von Samsung hat sich die Bitdichte im Vergleich zur vorherigen V-NAND der 8. Generation um ca. 50 % erhöht.\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp style=\"line-height: 1.7;\"\u003eAusgestattet mit der nächsten Generation der NAND-Flash-Schnittstelle, Toggle 5.1, erhöht sich die Daten-Input- und Output-Geschwindigkeit um 33 % und erreicht bis zu 3,2 Gb\/s.\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp style=\"line-height: 1.7;\"\u003eIm Vergleich zur Vorgängergeneration wird der Stromverbrauch um ca. 10 % reduziert.\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp style=\"line-height: 1.7;\"\u003eSamsung plant, die Massenproduktion von Quad-Level Cell (QLC) V-NAND der 9. Generation in der zweiten Jahreshälfte aufzunehmen.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47369959211247,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/SS1.jpg?v=1767454796","url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/products\/samsung-9th-generation-v-nand","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}