{"title":"High Bandwidth Memory – HBM","description":"","products":[{"product_id":"samsung-hbm3e","title":"Samsung HBM3E","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung HBM3E\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eGrundlegende Informationen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eKategorie:\u003c\/strong\u003e Speicherchip\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eMarke:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eAnwendungen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Server · Automobil · Netzwerktechnik\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eHauptmerkmale\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eSerie:\u003c\/strong\u003e HBM3E\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 36 GB\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDatenrate:\u003c\/strong\u003e 9,8 Gbit\/s pro Pin\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eStapelung:\u003c\/strong\u003e 12-fach\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eProduktbeschreibung\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung HBM3E 12-High (12H) verwendet fortschrittliche Technologien wie High-K Metal Gate (HKMG),\n    die herkömmliche Isolierschichten durch Materialien ersetzen, die Leckströme reduzieren.\n    Diese Technologie optimiert die interne Schaltung, verbessert die Leistung und erhöht die Energieeffizienz\n    um ca. 12 % im Vergleich zur vorherigen Generation.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Das Gerät liefert eine Datenrate von bis zu 9,8 Gbit\/s pro Pin und ermöglicht eine aggregierte\n    Bandbreite von bis zu 1.250 GB\/s. Samsung HBM3E 12H verwendet die Through-Silicon Via (TSV)-Technologie,\n    um zwölf Schichten von 24-Gbit-DRAM-Dies zu stapeln und so eine branchenführende Kapazität von 36 GB zu erreichen.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Im Vergleich zur vorherigen 8-schichtigen HBM3-Generation erhöht sich die Kapazität um 50 %.\n    Die Advanced Thermal Compression Non-Conductive Film (TC NCF)-Technologie wird angewendet, um\n    die Wärmeableitung zu verbessern und einen stabilen Betrieb innerhalb optimaler Temperaturbereiche zu gewährleisten.\n    HBM3E ist pin-kompatibel mit HBM3, was einen einfachen Übergang von HBM3 zu HBM3E in bestehenden Hardware-Designs ermöglicht.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394863841519,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3E.png?v=1776853156"},{"product_id":"samsung-hbm3","title":"Samsung HBM3","description":"\u003ch2 style=\"margin-bottom:12px;\"\u003eSamsung HBM3\u003c\/h2\u003e\n\n\u003c!-- Basic Information Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eGrundlegende Informationen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eKategorie:\u003c\/strong\u003e Speicherchip\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eMarke:\u003c\/strong\u003e Samsung\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Applications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eAnwendungen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Server · Automobil · Netzwerktechnik\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eWichtige Spezifikationen\u003c\/h3\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eModell:\u003c\/strong\u003e KHBA84A03D-MC1H | \u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 16GB | \u003cstrong\u003eArchitektur:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eDatenrate:\u003c\/strong\u003e 6,4 Gbps\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eModell:\u003c\/strong\u003e KHBAC4A03D-MC1H | \u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 24GB | \u003cstrong\u003eArchitektur:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eDatenrate:\u003c\/strong\u003e 6,4 Gbps\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eModell:\u003c\/strong\u003e KHBA84A03C-MC1H | \u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 16GB | \u003cstrong\u003eArchitektur:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eDatenrate:\u003c\/strong\u003e 6,4 Gbps\u003c\/p\u003e\n\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eModell:\u003c\/strong\u003e KHBAC4A03C-MC1H | \u003cstrong\u003eKapazität:\u003c\/strong\u003e 24GB | \u003cstrong\u003eArchitektur:\u003c\/strong\u003e 1024 | \u003cstrong\u003eDatenrate:\u003c\/strong\u003e 6,4 Gbps\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eProduktbeschreibung\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung HBM3 Icebolt stapelt zwölf Schichten von 10-nm-Klasse 16-Gbit-DRAM-Dies und liefert\n    Kapazitäten von bis zu 24 GB. Es unterstützt Datenübertragungsraten von bis zu 6,4 Gbit\/s und\n    bietet eine Gesamtbandbreite von bis zu 819 GB\/s.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Das Samsung HBM3 ist auf ultrahohe Effizienz ausgelegt und verbessert die Energieeffizienz um\n    etwa 10 % im Vergleich zur vorherigen Generation, wodurch die Serverauslastung reduziert wird\n    und gleichzeitig eine höhere Leistung erzielt wird.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394866823407,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm2-aquabolt-4gb","title":"Samsung HBM2 Aquabolt – 4GB","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Aquabolt – 4GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI, HPC und Grafikbeschleunigung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Aquabolt 4GB ist eine gestapelte High-Bandwidth DRAM-Lösung, die für fortschrittliche Computerplattformen wie KI-Beschleuniger, GPUs und High-Performance Computing (HPC)-Systeme entwickelt wurde. Durch die Nutzung der TSV (Through-Silicon Via)-Technologie und einer breiten I\/O-Architektur ermöglicht Aquabolt eine deutlich höhere Bandbreite im Vergleich zu herkömmlichen Grafikspeicherarchitekturen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eJeder HBM2-Stack unterstützt bis zu 1024 I\/O-Kanäle mit Datenraten von bis zu 2,4 Gbit\/s pro Pin bei 1,2 V. In Multi-Stack-Konfigurationen kann die Systembandbreite je nach Plattformdesign auf bis zu 1,2 TB\/s skaliert werden.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eTechnische Übersicht\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2 (High Bandwidth Memory)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKapazität: 4GB pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eI\/O-Breite: 1024-bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 2,4 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpannung: 1,2 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV-basierter gestapelter DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eZielanwendungen: KI-Beschleuniger, GPUs, Supercomputing-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummern\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eModell\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MC12\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MC13\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MN12\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eKHA844801X-MN13\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eArchitektur \u0026amp; Zuverlässigkeit\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eDer Samsung HBM2 Aquabolt 4GB Speicherstack integriert fortschrittliche Thermal-Bump-Strukturen und ein schützendes Basisschichtdesign, um die mechanische Robustheit und thermische Stabilität in hochdichten GPU-Umgebungen zu verbessern.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Systemdesigner, die den Samsung HBM2 Aquabolt 4GB Stack suchen, bietet diese Lösung High-Bandwidth-Memory für KI-Beschleuniger und GPU-Architekturen, die eine kompakte Bauweise und extremen Datendurchsatz erfordern.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eFAQ\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eQ1: Ist HBM2 Aquabolt ein Speichermodul?\u003cbr\u003eNein. HBM2 Aquabolt ist ein gestapeltes DRAM-Paket, das die TSV-Interconnect-Technologie verwendet und direkt auf einem Interposer oder Substrat in fortschrittlichen GPU- und Beschleunigerdesigns montiert wird.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ2: Was unterscheidet HBM2 von GDDR-Speicher?\u003cbr\u003eHBM2 verwendet eine breite I\/O-Schnittstelle und eine gestapelte Architektur, um eine höhere Bandbreite auf einer kleineren physischen Fläche zu liefern, optimiert für Hochleistungs-Computing-Workloads.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ3: Welche Anwendungen nutzen 4GB HBM2 Stacks?\u003cbr\u003eKI-Trainingsbeschleuniger, Deep-Learning-Prozessoren, High-End-GPUs und Supercomputing-Systeme.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47758620066031,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"},{"product_id":"samsung-hbm2-aquabolt-8gb","title":"Samsung HBM2 Aquabolt – 8 GB","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Aquabolt – 8GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI- und HPC-Plattformen\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Aquabolt 8GB ist eine gestapelte High-Bandwidth DRAM-Lösung, die für fortschrittliche GPUs, KI-Beschleuniger und Hochleistungsrechnersysteme entwickelt wurde. Durch die Nutzung der TSV (Through-Silicon Via)-Technologie und einer 1024 Bit breiten E\/A-Schnittstelle erhöht Aquabolt die Speicherbandbreite erheblich bei kompakter Bauweise.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eJeder Samsung HBM2 Aquabolt 8GB-Stack unterstützt bis zu 1024 E\/A-Kanäle, die mit Datenraten von bis zu 2,4 Gbit\/s pro Pin bei 1,2 V betrieben werden. In Multi-Stack-Konfigurationen kann die gesamte Systembandbreite je nach Plattformarchitektur auf ungefähr 1,2 TB\/s skaliert werden.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eTechnische Daten\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2 (High Bandwidth Memory)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKapazität: 8 GB pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eE\/A-Breite: 1024 Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 2,4 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpannung: 1,2 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eArchitektur: TSV-basierter gestapelter DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eZielanwendungen: KI-Beschleuniger, GPUs, Supercomputing-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummern\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MC13\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MN12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA884901X-MN13\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur und Leistung\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eDie 1024-Bit-High-Bandwidth-Speicherarchitektur von HBM2 ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichen GDDR-Speicherdesigns extrem breite Datenpfade. Dieser Ansatz reduziert die Komplexität der Signalführung und erhöht gleichzeitig die effektive Bandbreite pro Quadratmillimeter.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Systemdesigner, die Hochbandbreiten-Speicher für KI-Beschleuniger entwickeln, bietet der Samsung HBM2 Aquabolt 8GB-Stack einen stabilen Datendurchsatz für Deep Learning, wissenschaftliche Simulationen und grafikintensive Workloads.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eThermisches und Zuverlässigkeitsdesign\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eAquabolt integriert verbesserte thermische Bump-Strukturen und eine verstärkte Basisschicht zum Schutz, um die mechanische Haltbarkeit und thermische Stabilität in Umgebungen mit hoher Dichte von GPUs und Beschleunigern zu verbessern.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eFAQ\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eF: Ist HBM2 Aquabolt ein DIMM oder ein Modul?\u003cbr\u003eNein. HBM2 Aquabolt ist ein gestapeltes DRAM-Paket, das für die Integration auf einem Interposer oder Substrat innerhalb fortschrittlicher GPU- oder Beschleunigerplattformen entwickelt wurde.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eF: Was unterscheidet HBM2 von GDDR5?\u003cbr\u003eHBM2 verwendet eine gestapelte Speicherarchitektur und eine breite E\/A-Schnittstelle, um eine höhere Gesamtbandbreite auf einer kleineren physischen Fläche zu liefern, optimiert für Hochleistungsrechnersysteme.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47758725873903,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"},{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-8gb","title":"Samsung HBM2E Flashbolt - 8 GB","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2E Flashbolt - 8GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI und Hochleistungsrechnen\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2E Flashbolt 8GB ist eine HBM (High Bandwidth Memory)-Lösung mit hoher Bandbreite, die für KI-Beschleuniger, Rechenzentrums-GPUs und fortschrittliche Hochleistungsrechnerplattformen entwickelt wurde. Als Weiterentwicklung der HBM2-Technologie erhöht HBM2E die Bandbreite pro Stapel und die Speicherdichte, während die Signalintegrität und thermische Stabilität unter anhaltender Rechenlast erhalten bleiben.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eVerglichen mit früheren HBM2-Generationen wie Aquabolt, verbessert HBM2E Flashbolt die Pin-Geschwindigkeit und den gesamten Stapel-Durchsatz, was eine höhere effektive Bandbreite für groß angelegte neuronale Netzwerktrainings, Simulationsmodellierung und parallele Datenverarbeitung ermöglicht.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eArchitektur und Bandbreite\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKapazität: 8GB pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eI\/O-Breite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 3,6 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 460 GB\/s pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV (Through-Silicon Via) gestapeltes DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eFehlerkorrektur: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit einer 1024 Bit breiten Schnittstelle und 3,6 Gbit\/s Signalisierung kann ein einzelner HBM2E Flashbolt 8GB Stapel eine Bandbreite von bis zu 460 GB\/s liefern. In Multi-Stapel-Beschleunigerkonfigurationen skaliert die Gesamtbandbreite erheblich und unterstützt Hochbandbreitenspeicher für KI-Beschleuniger und Deep-Learning-Prozessoren.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eDichte und Rechenskalierung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDie Kapazität von 8 GB wird durch das Stapeln von acht Schichten von 16-Gbit-DRAM-Chips der 10-nm-Klasse erreicht. Eine höhere Stapeldichte reduziert den Verbindungsabstand und verbessert die Bandbreiteneffizienz im Vergleich zu herkömmlichen GDDR-Speicherarchitekturen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Ingenieure, die auf Samsung HBM2E Flashbolt 8GB-Stapeln basierende Systeme entwickeln, ermöglicht diese Konfiguration eine verbesserte Speicherlokalität und einen nachhaltigen Durchsatz für rechenintensive KI- und HPC-Workloads.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt verbessert die Energieeffizienz im Vergleich zu früheren HBM2-Implementierungen. Optimierte interne Leitungsführung und erweiterte Power-Bump-Verteilung verbessern die Spannungsstabilität unter hohen Datenburst-Bedingungen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDies macht es für GPU-Speichersysteme der Rechenzentrumsklasse geeignet, wo der thermische Bereich und die langfristige Zuverlässigkeit kritische Designbeschränkungen sind.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eZuverlässigkeit und Datenintegrität\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eIntegrierte On-Die ECC ermöglicht die interne Fehlererkennung und -korrektur vor der Datenübertragung und verbessert so die Stabilität in großen KI-Clustern und Supercomputing-Bereitstellungen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummer-Liste\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA44801B-MC16\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eQ1: Was ist der Unterschied zwischen HBM2 und HBM2E?\u003cbr\u003eHBM2E erhöht die Datenrate pro Pin und die Stapeldichte im Vergleich zu HBM2. Obwohl beide eine 1024-Bit breite I\/O-Schnittstelle verwenden, bietet HBM2E eine höhere Bandbreite und verbesserte Effizienz für KI- und HPC-Systeme.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ2: Ist HBM2E Flashbolt ein Speichermodul?\u003cbr\u003eNein. HBM2E Flashbolt ist ein TSV-basiertes gestapeltes DRAM-Gehäuse, das für die Integration auf einem Interposer oder Substrat innerhalb von GPU- und Beschleunigerarchitekturen entwickelt wurde.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ3: Welche Anwendungen nutzen typischerweise HBM2E 8GB Stapel?\u003cbr\u003eKI-Trainingsbeschleuniger, Deep-Learning-Prozessoren, wissenschaftliche Computersysteme und High-End-GPU-Plattformen, die Hochbandbreitenspeicher erfordern.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764164182255,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754"},{"product_id":"samsung-hbm2e-flashbolt-16gb","title":"SamSung HBM2E Flashbolt - 16 GB","description":"\u003ch1\u003eSamSung HBM2E Flashbolt - 16GB\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI- und Supercomputing-Plattformen\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamSung HBM2E Flashbolt 16GB ist eine gestapelte High-Bandwidth DRAM-Lösung, die für KI-Beschleuniger, Supercomputing-Systeme und GPU-Architekturen der nächsten Generation in Rechenzentren entwickelt wurde. Basierend auf der HBM2E-Technologie erhöht es die Speicherdichte bei gleichzeitig hoher Bandbreite und verbesserter Energieeffizienz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu früheren HBM2-Implementierungen erweitert HBM2E Flashbolt die Stapelkapazität und verbessert die Signalisierungsgeschwindigkeit, was eine effizientere Skalierung in großen neuronalen Netzwerken und Hochleistungsrechnerumgebungen ermöglicht.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eLeistungsarchitektur\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2E\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKapazität: 16 GB pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eI\/O-Breite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 3,6 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 460 GB\/s pro Stapel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV (Through-Silicon Via) gestapeltes DRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eFehlerkorrektur: On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit 3,6 Gbit\/s Signalisierung über eine 1024-Bit-Schnittstelle kann ein einziger Stapel eine Bandbreite von bis zu 460 GB\/s liefern. In Beschleunigerkonfigurationen mit mehreren Stapeln skaliert die Gesamtbandbreite, um KI-Trainingsspeicherarchitekturen und große Matrixverarbeitungs-Workloads zu unterstützen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eErweiterte Kapazität für Deep Learning\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDie Kapazität von 16 GB wird durch acht gestapelte 10-nm-Klasse 16-Gbit-DRAM-Chips erreicht, wodurch die Dichte im Vergleich zu früheren HBM-Generationen effektiv verdoppelt wird. Eine höhere Kapazität pro Stapel ermöglicht tiefere neuronale Netze und reduziert die Abhängigkeit von externer Speichererweiterung.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Ingenieure, die High-Bandwidth-Speicher für KI-Beschleuniger entwickeln, verbessert die erhöhte Stapeldichte die Datenlokalität und minimiert Speicherengpässe bei anhaltenden Rechenoperationen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2E Flashbolt verbessert die Energieeffizienz um ca. 18 % im Vergleich zu früheren HBM2-Lösungen. Eine verbesserte interne Routing und eine erweiterte Power-Bump-Verteilung verbessern die Spannungsstabilität bei hohem Durchsatz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDies macht es für GPU-Speicherplattformen in Rechenzentren geeignet, die unter strengen thermischen und Leistungsbeschränkungen arbeiten.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eZuverlässigkeit und Stabilität\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDie integrierte On-Die ECC unterstützt die interne Fehlerkorrektur vor der Datenübertragung und erhöht die Stabilität bei langzeitigen Supercomputing- und KI-Cluster-Implementierungen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummernliste\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC16\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-JC17\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHAA84901B-MC16\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eQ1: Was ist der Unterschied zwischen HBM2 und HBM2E Flashbolt?\u003cbr\u003eHBM2E erhöht die Stapeldichte und Signalisierungsgeschwindigkeit im Vergleich zu HBM2. Während beide eine 1024-Bit-Schnittstelle verwenden, unterstützt HBM2E eine höhere Kapazität pro Stapel und eine verbesserte Bandbreiteneffizienz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ2: Ist HBM2E Flashbolt 16GB ein Speichermodul?\u003cbr\u003eNein. Es ist ein TSV-basiertes gestapeltes DRAM-Paket, das für die Integration auf einem Interposer innerhalb von GPU- und Beschleunigersystemen entwickelt wurde, kein DIMM oder Steckmodul.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eQ3: Welche Anwendungen verwenden typischerweise HBM2E 16GB?\u003cbr\u003eKI-Trainingsbeschleuniger, Hochleistungsrechnersysteme, GPU-Plattformen für Rechenzentren und groß angelegte Simulationsumgebungen.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764193214703,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/HBM2E.png?v=1776853754"},{"product_id":"samsung-hbm3-icebolt-16gb","title":"Samsung HBM3 Icebolt - 16 Gbit","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM3 Icebolt - 16Gb\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh-Bandwidth-Speicher der nächsten Generation für KI und HPC\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM3 Icebolt 16Gb ist eine High-Bandwidth-Speicherlösung der nächsten Generation, die für KI-Beschleuniger, Hyperscale-Rechenzentren und Hochleistungsrechenplattformen (HPC) entwickelt wurde. Basierend auf einer fortschrittlichen TSV-Stapelarchitektur (Through-Silicon Via) erhöht HBM3 die Bandbreitendichte erheblich und verbessert gleichzeitig die thermische und Energieeffizienz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eEntwickelt für umfangreiches KI-Training und datenintensives Computing, bietet HBM3 Icebolt höhere Pro-Pin-Übertragungsraten und eine verbesserte Stapelskalierbarkeit im Vergleich zu früheren HBM-Generationen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTechnischer Überblick\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDie-Dichte: 16Gb DRAM-Die\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eStapelkonfiguration: Bis zu 12-fach Stapelung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003ePro-Pin-Datenrate: Bis zu 6,4 Gbit\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 819 GB\/s pro Stapel (konfigurationsabhängig)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstellenbreite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eFehlerschutz: Fortschrittliches On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit 6,4 Gbit\/s pro Pin über eine 1024-Bit-Schnittstelle kann HBM3 Icebolt eine Bandbreite von bis zu 819 GB\/s pro Stapelkonfiguration liefern. Dies macht es gut geeignet für High-Bandwidth-Speicher für KI-Beschleuniger, GPU-basierte Trainingscluster und Exascale-Computersysteme.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eStapelarchitektur und Kapazitätsskalierung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt integriert bis zu 12 Schichten von 10nm-Klasse 16Gb DRAM-Dies unter Verwendung der TSV-Vertikalverbindungstechnologie. Abhängig von der Stapelkonfiguration kann die Gesamtstapelkapazität 24 GB erreichen, was die Speicherdichte um etwa das 1,5-fache im Vergleich zu früheren Generationen erhöht.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eEine höhere Dichte und schnellere Übertragungsraten reduzieren Speicherengpässe beim Training tiefer neuronaler Netze, bei großen Simulationsarbeitslasten und bei fortschrittlichen Datenanalyse-Pipelines.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt verbessert die Energieeffizienz um ca. 10 % im Vergleich zu HBM-Lösungen der vorherigen Generation. Optimierte Signalübertragung und verfeinerte interne Routen reduzieren den Energieverbrauch pro übertragenem Bit und tragen dazu bei, den gesamten Systemstromverbrauch bei GPU-Speicherimplementierungen in Rechenzentren zu senken.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eZuverlässigkeitsverbesserung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDie verbesserte On-Die ECC-Implementierung verbessert die interne Fehlerkorrekturfähigkeit. Im Gegensatz zu früheren Generationen, die Einzelbitfehler korrigierten, unterstützt HBM3 Icebolt die Korrektur breiterer Multi-Bit-Fehlermuster, was die Datenintegrität unter anhaltend hohen Durchsatzlasten verbessert.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummer\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBA84A03D-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBA84A03C-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ1: Ist Samsung HBM3 Icebolt 16Gb ein Modul?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eNein. Es ist eine gestapelte DRAM-Komponente, die für die Integration auf Silizium-Interposern in GPUs und KI-Beschleunigern entwickelt wurde. Es ist kein DIMM oder steckbares Speichermodul.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ2: Was ist der Unterschied zwischen HBM2E und HBM3?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM3 erhöht die Pro-Pin-Datenrate (bis zu 6,4 Gbit\/s gegenüber ~3,6 Gbit\/s bei HBM2E), verbessert die Stapelskalierbarkeit und erweitert die ODECC-Zuverlässigkeitsmechanismen. Es liefert auch eine deutlich höhere Bandbreite pro Stapel.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ3: Welche Systeme verwenden typischerweise HBM3 Icebolt?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eKI-Trainingsbeschleuniger, Exascale-Supercomputer, Hyperscale-Cloud-GPU-Plattformen und fortschrittliche HPC-Cluster.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764228276463,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm3-icebolt-24gb","title":"Samsung HBM3 Icebolt - 24 GB","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM3 Icebolt - 24Gb\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh-Density HBM3 für KI und Exascale Computing\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM3 Icebolt 24Gb ist ein High-Bandwidth-Memory-Die der nächsten Generation, entwickelt für KI-Beschleuniger, Hyperscale-Rechenzentren und fortschrittliche HPC-Plattformen. Basierend auf der TSV-Stapelarchitektur (Through-Silicon Via) erhöht es die Dichte pro Die bei gleichzeitig ultrahoher Bandbreite und verbesserter Energieeffizienz.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDie 24-Gbit-Dichte ermöglicht eine höhere Gesamtstapelkapazität bei der Konfiguration in mehrschichtigen HBM3-Stapeln und unterstützt das Training großer KI-Modelle, wissenschaftliche Simulationen und datenintensive GPU-Computing-Umgebungen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTechnische Übersicht\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDie-Dichte: 24-Gbit-DRAM-Die\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eStapelkonfiguration: Bis zu 12-fach Stapelung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstellenbreite: 1024 Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDatenrate: Bis zu 6,4 Gbit\/s pro Pin\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 819 GB\/s pro Stapel (konfigurationsabhängig)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eFehlerschutz: Advanced On-Die ECC (ODECC)\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit bis zu 6,4 Gbit\/s pro Pin über eine 1024-Bit-Schnittstelle liefert HBM3 Icebolt eine Bandbreite von bis zu 819 GB\/s pro Stapelkonfiguration. Diese Durchsatzebene unterstützt High-Bandwidth Memory für KI-Beschleuniger und große GPU-Cluster, wo eine kontinuierliche Datenübertragung entscheidend ist.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eDichteskalierung für fortgeschrittene KI-Workloads\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eMit einer Die-Dichte von 24 Gbit ermöglicht HBM3 Icebolt größere effektive Stapelkapazitäten im Vergleich zu früheren 16-Gbit-Implementierungen. In 12-Schicht-Stapelkonfigurationen erhöht sich die Gesamtspeicherkapazität erheblich, ohne die Bandbreite zu beeinträchtigen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eHöhere Dichte verbessert die Datenlokalität und reduziert Speicherengpässe beim Training großer Sprachmodelle, generativen KI-Workloads, Finanzmodellierungen und Exascale-Computing-Systemen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eVerbesserte Energieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM3 Icebolt führt architektonische Optimierungen ein, die die Energieeffizienz im Vergleich zu früheren HBM-Generationen um etwa 10 % verbessern. Verfeinertes Signalrouting und verbesserte Stromverteilung reduzieren den Energieverbrauch pro übertragenem Bit und unterstützen einen stabilen Betrieb in GPU-Speicher-Implementierungen in Rechenzentren.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eErhöhte Zuverlässigkeit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eDer verbesserte On-Die-ECC-Mechanismus unterstützt die Korrektur breiterer Multi-Bit-Fehlermuster über die Ein-Bit-Korrektur hinaus, die in früheren HBM-Lösungen verwendet wurde. Dies verbessert die Langzeitstabilität in KI-Trainingsservern, HPC-Clustern und dauerhaften Inferenzumgebungen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummern\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBAC4A03D-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHBAC4A03C-MC1H\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eF1: Ist Samsung HBM3 Icebolt 24Gb ein Speichermodul?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eNein. Es handelt sich um eine gestapelte DRAM-Komponente, die zur Integration auf Silizium-Interposern in GPUs und KI-Beschleunigern vorgesehen ist. Es ist kein DIMM- oder Plug-in-Speichermodul.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eF2: Was bedeutet 24Gb?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e24Gb bezieht sich auf die Speicherdichte pro Die. Wenn mehrere Dies vertikal gestapelt werden, erhöht sich die Gesamtspeicherkapazität pro HBM3-Stapel entsprechend.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eF3: Welche Systeme verwenden typischerweise HBM3 Icebolt 24Gb?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eKI-Beschleunigerplattformen, Hyperscale-Cloud-GPU-Infrastruktur, Exascale-Computing-Systeme und fortschrittliche Hochleistungsrechencluster.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764304199919,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM3.png?v=1776853014"},{"product_id":"samsung-hbm2-flarebolt-4gb-8gb-1","title":"Samsung HBM2 Flarebolt - 4 Gbit \/ 8 Gbit","description":"\u003ch1\u003eSamsung HBM2 Flarebolt - 4Gb \/ 8Gb\u003c\/h1\u003e\n\u003ch2\u003eHigh Bandwidth Memory für KI, HPC und Grafikverarbeitung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eSamsung HBM2 Flarebolt ist eine High-Bandwidth-DRAM-Lösung, die auf der TSV-Technologie (Through-Silicon Via) basiert. Entwickelt für KI-Beschleuniger, Hochleistungsrechnersysteme und fortschrittliche Grafikprozessoren, liefert HBM2 Flarebolt erhebliche Bandbreitenverbesserungen bei gleichzeitig niedrigerer Betriebsspannung und kompakter Gehäuseintegration.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eErhältlich in 4Gb- und 8Gb-Die-Dichten, ermöglicht Flarebolt skalierbare Speicher-Stack-Konfigurationen, die für datenintensive GPU- und Netzwerkanwendungen geeignet sind.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTechnischer Überblick\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: HBM2\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eDie-Dichte: 4Gb \/ 8Gb DRAM-Die\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstellenbreite: 1024-Bit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKanäle: 8 Kanäle pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBandbreite: Bis zu 256 GB\/s pro Stack\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSystembandbreite: Bis zu 1 TB\/s (Multi-Stack-Konfiguration)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1,35 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eTechnologie: TSV-gestapelte Architektur\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eMit einer 1024-Bit-Schnittstelle und 8 unabhängigen Kanälen kann ein einzelner HBM2 Flarebolt-Stack eine Bandbreite von bis zu 256 GB\/s liefern. In Multi-Stack-GPU-Konfigurationen kann die aggregierte Systemspeicherbandbreite auf ca. 1 TB\/s skaliert werden, wodurch eine hohe Bandbreite für KI-Beschleuniger und fortschrittliche HPC-Umgebungen unterstützt wird.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eArchitektur und Leistungsskalierung\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 Flarebolt erhöht die I\/O-Dichte auf 1.024 Datenleitungen, was eine deutlich höhere Durchsatzleistung im Vergleich zu GDDR5-basierten Speichersystemen ermöglicht. Das breite Schnittstellendesign reduziert die Abhängigkeit von extrem hohen Taktfrequenzen, was die Signalintegrität und thermische Stabilität verbessert.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu traditionellen GDDR5-Speicherarchitekturen bietet HBM2 Flarebolt eine wesentlich höhere Bandbreite pro Watt und eine verbesserte Leistung pro Leiterplattenfläche.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eEnergieeffizienz\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eMit einer Betriebsspannung von 1,35 V reduziert HBM2 Flarebolt den Stromverbrauch um ca. 20 % im Vergleich zu 1,5 V GDDR5-Lösungen. Der niedrigere Spannungsbetrieb verbessert die Gesamtsystemeffizienz in GPU-Clustern und hochdichten Beschleunigerplattformen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eKompakte Integration\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eHBM2 integriert Speicher-Stacks direkt neben dem Prozessor unter Verwendung der Silizium-Interposer-Technologie. Dies reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte um bis zu 94 % im Vergleich zu herkömmlichen GDDR-basierten Designs, was eine höhere Rechendichte und eine verbesserte Effizienz der Signalführung ermöglicht.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003eTeilenummern\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA843801B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKHA883901B-MC12\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003eFAQ\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ1: Ist Samsung HBM2 Flarebolt ein DIMM oder ein Steckmodul?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eNein. HBM2 Flarebolt ist eine gestapelte DRAM-Komponente, die zusammen mit GPU- oder Beschleuniger-Dies auf einem Silizium-Interposer integriert ist. Es handelt sich nicht um ein steckbares Speichermodul.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ2: Worauf beziehen sich 4Gb oder 8Gb?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4Gb und 8Gb geben die Speicherdichte pro Die an. Mehrere Dies werden vertikal gestapelt, um einen vollständigen HBM2-Speicher-Stack zu bilden.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ3: Was ist der Unterschied zwischen HBM2 Flarebolt und HBM2E?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eHBM2E erhöht die Die-Dichte und die Datenrate pro Pin im Vergleich zu HBM2. Während beide eine 1024-Bit-Schnittstelle verwenden, unterstützt HBM2E eine höhere Gesamt-Stack-Kapazität und eine verbesserte Bandbreiteneffizienz.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47764358004975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/Samsung_HBM2.png?v=1776853573"}],"url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/collections\/high-bandwidth-memory-hbm.oembed","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}