{"title":"DDR4","description":"","products":[{"product_id":"samsung-16gb-ddr4-dram-k4aag165wa-bcwe-memory-chip","title":"Samsung 16GB DDR4 DRAM K4AAG165WA-BCWE Speicherchip","description":"\u003cp\u003eMarke: Samsung\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eModell: K4AAG165WA-BCWE\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eMontageart: Oberflächenmontage\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eeStorage Version: DDR4\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eSpeicherkapazität: 16 Gbit\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eGehäusegröße: FBGA\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eHinzugefügter Parameter: 2023+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eProduktserie: DRAM\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eVerpackungsmethode: Box\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eProduktionslosnummer: 2022+\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eAusgangsstrom: Standard\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eAusgangsspannung: Standard\u003cbr data-mce-fragment=\"1\"\u003eSchnellste Lieferzeit: 1-3 Tage\u003cbr 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style=\"margin-top:0;\"\u003eAnwendungen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.6;\"\u003e\n    Server · Luft- und Raumfahrt \u0026amp; Verteidigung · Telekommunikation · Speichermodule · KI\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Specifications Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px; margin-bottom:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eWichtige Spezifikationen\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDichteoptionen:\u003c\/strong\u003e 4 Gbit \/ 8 Gbit \/ 16 Gbit \/ 32 Gbit\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eOrganisation:\u003c\/strong\u003e 512 M x 8 · 256 M x 16 · 1 G x 8 · 1 G x 16 · 2 G x 8 · 2 G x 16 · 4 G x 4 · 4 G x 8\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDatenraten:\u003c\/strong\u003e 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbit\/s\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eBetriebsspannung:\u003c\/strong\u003e 1,2 V\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eBetriebstemperatur:\u003c\/strong\u003e 0 ~ 85 °C\u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eGehäuse:\u003c\/strong\u003e 96 FBGA\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n\n\u003c!-- Description Card --\u003e\n\u003cdiv style=\"border:1px solid #e5e5e5; border-radius:8px; padding:14px;\"\u003e\n\n  \u003ch3 style=\"margin-top:0;\"\u003eProduktbeschreibung\u003c\/h3\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Samsung DDR4 DRAM wird mit der branchenführenden 1x-Nanometer-Klasse-Prozesstechnologie\n    hergestellt, die einen geringeren Stromverbrauch bei höherer Leistung ermöglicht. Im Vergleich zu\n    früheren Generationen wird der Stromverbrauch um bis zu 25 % gesenkt, was dazu beiträgt, die\n    Gesamtsystemkosten zu reduzieren.\n  \u003c\/p\u003e\n\n  \u003cp style=\"line-height:1.7;\"\u003e\n    Mit einer niedrigen Spannung von 1,2 V unterstützt Samsung DDR4 DRAM Datenraten von bis zu\n    3200 Mbit\/s unter Verwendung von Pseudo Open Drain (POD)-Signalisierung, wodurch es für\n    anspruchsvolle Server-, Telekommunikations-, KI- und missionskritische Anwendungen geeignet ist.\n  \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003c\/div\u003e\n","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47394896216303,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/db8bab66165df29913e68c77a53a8a3.jpg?v=1768031975"},{"product_id":"samsung-ddr4-16gb-sdram-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 16Gb SDRAM – 2666 \/ 3200 MBit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 16 Gbit SDRAM – 2666 \/ 3200 Mbit\/s\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDDR4-Speicher mit hoher Bandbreite für moderne Plattformen und leistungskritische Systeme\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eSamsung DDR4 16 Gbit-Speicherbausteine bieten im Vergleich zu früheren DDR-Generationen eine höhere Bandbreite, verbesserte Zuverlässigkeit und einen geringeren Betriebsverbrauch. Mit Geschwindigkeitsstufen von 2666 Mbit\/s und 3200 Mbit\/s wird diese Serie häufig in leistungsstarken Desktops, Workstations, Embedded Systems und datenintensiven Computerplattformen eingesetzt, die eine stabile DDR4-Versorgung erfordern.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR4 16 Gbit 3200 Speicherchips\u003c\/em\u003e beschaffen, \u003cem\u003eDDR4 2666 Industrie-DRAM\u003c\/em\u003e qualifizieren oder die Verfügbarkeit von \u003cem\u003e1,2 V DDR4-Speicherbausteinen mit hoher Bandbreite\u003c\/em\u003e für die Produktion sicherstellen müssen, bietet diese Serie eine ausgewogene Leistung und Effizienz für moderne Prozessorarchitekturen.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur- und Leistungsmerkmale\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 16 Gbit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsstufen: 2666 Mbit\/s \/ 3200 Mbit\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpannung: 1,2 V Betriebsspannung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserte Interleaving-Effizienz zur Reduzierung von Verzögerungen\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserte Bandbreite im Vergleich zu DDR3-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eVerbesserungen bei Leistung und Zuverlässigkeit\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e1x nm Class Prozesstechnologie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eReduzierter Kern- und Standby-Stromverbrauch\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 25 % geringerer Energieverbrauch im Vergleich zu DDR3\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eWrite CRC zur Multibit-Fehlererkennung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eParitätsprüfung für CMD\/ADD-Signale\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu DDR3, das mit 1,5 V arbeitet, arbeitet DDR4 mit 1,2 V, wodurch die Energieeffizienz verbessert und der Datendurchsatz erhöht wird. Mit einer verbesserten Bankarchitektur und höheren Übertragungsraten von bis zu 3200 Mbit\/s ermöglicht dieser Speicher eine schnellere Verarbeitung großer Arbeitslasten und eine verbesserte Systemreaktionsfähigkeit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR4 16 Gbit Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eGeschwindigkeitsklasse\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG085WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG165WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG085WA-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4AAG165WA-BCT\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e16 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Technische Referenz\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Welche Geschwindigkeitsoptionen werden in dieser 16 Gbit DDR4-Serie unterstützt?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDiese Serie unterstützt Geschwindigkeitsstufen von 2666 Mbit\/s und 3200 Mbit\/s, abhängig von der Konfiguration des Systemcontrollers.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Welche Spannung ist für das Platinendesign erforderlich?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDas Gerät arbeitet mit 1,2 V, was den Gesamtstromverbrauch im Vergleich zu DDR3-Plattformen, die mit 1,5 V arbeiten, reduziert.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Welche Zuverlässigkeitsmechanismen sind integriert?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eSamsung DDR4 integriert Write CRC zur Multibit-Fehlererkennung und Paritätsprüfungen an CMD\/ADD-Signalen, um die Systemzuverlässigkeit zu erhöhen.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747744497903,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4AAG085WA.png?v=1771498851"},{"product_id":"samsung-ddr4-32gb-sdram-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 32 GB SDRAM – 2666 \/ 3200 MBit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 32 GB SDRAM – 2666 \/ 3200 Mbit\/s\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eDDR4-Speicher mit hoher Dichte für Workstations, Datensysteme und leistungskritische Plattformen\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDie 32-GB-DDR4-Geräte von Samsung bieten eine höhere Dichte, eine größere Bandbreite und eine verbesserte Energieeffizienz für moderne Computerarchitekturen. Diese Serie unterstützt Geschwindigkeitsstufen von 2666 Mbit\/s und 3200 Mbit\/s und wird häufig in leistungsstarken Desktop-Computern, professionellen Workstations, Virtualisierungssystemen und datenintensiven Embedded-Plattformen eingesetzt.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR4 32-GB-3200-Speicherchips\u003c\/em\u003e beziehen, \u003cem\u003eDDR4 2666 Industrial DRAM\u003c\/em\u003e qualifizieren oder die Kontinuität von \u003cem\u003e1,2-V-High-Density-DDR4-SDRAM\u003c\/em\u003e für die Systemproduktion sicherstellen möchten, bietet diese Serie ausgewogene Leistung, Skalierbarkeit und langfristige Zuverlässigkeit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur und elektrische Eigenschaften\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 32 Gbit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsstufen: 2666 Mbit\/s \/ 3200 Mbit\/s\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1,2 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eWrite CRC zur Multibit-Fehlererkennung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eParitätsprüfung für die CMD\/ADD-Signalintegrität\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOptimiert für Prozessoren und Plattformen der neuesten Generation\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eLeistung und Effizienz im Überblick\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu DDR3, das mit 1,5 V betrieben wird, arbeitet DDR4 mit 1,2 V, wodurch der gesamte Stromverbrauch des Systems gesenkt und die effektive Bandbreite erhöht wird. Mit einer verbesserten Bankarchitektur und Interleaving-Effizienz verbessert DDR4 den sequentiellen Datendurchsatz und reduziert die Latenz in Umgebungen mit hoher Last.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 30 % Bandbreitenverbesserung im Vergleich zu DDR3-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eReduzierter Energieverbrauch durch 1x nm Prozesstechnologie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserte Kern- und Standby-Leistungseigenschaften\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eEntwickelt, um große Speicherkonfigurationen von bis zu 32 Gbit pro Gerät zu unterstützen\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR4 32-Gbit-Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eSpeichertyp\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4ABG165WB-MCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e32 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4ABG085WA-MCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e32 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4ABG165WA-MCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e32 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4ABG085WA-MCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e32 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4ABG165WA-MCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e32 Gbit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Anwendungs-, Engineering- und Beschaffungsperspektive\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Aus Sicht des Systemdesigns: Wo wird 32-Gbit-DDR4 typischerweise eingesetzt?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e32-Gbit-DDR4-Geräte werden üblicherweise in Workstation-Plattformen mit hoher Kapazität, Virtualisierungssystemen, Industriecomputern und datenintensiven Embedded-Systemen eingesetzt. Ihre höhere Dichte ermöglicht es Platinendesignern, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren und gleichzeitig größere Speicherkonfigurationen zu erreichen, wodurch die Layout-Effizienz und das Wärmemanagement in kompakten Designs verbessert werden.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Was sollten Hardware-Ingenieure bei der Auswahl zwischen 2666 Mbit\/s und 3200 Mbit\/s beachten?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eIngenieure sollten die Fähigkeiten des Speichercontrollers, die Qualität des Leiterbahnlayouts des Motherboards und die Signalintegritätsmargen überprüfen. Während 3200 Mbit\/s einen höheren Durchsatz für anspruchsvolle Arbeitslasten wie Virtualisierung und Datenverarbeitung bietet, kann 2666 Mbit\/s eine breitere Kompatibilität in konservativen Industriedesigns bieten. Die endgültige Frequenz hängt von den Grenzen des CPU-Speichercontrollers und der System-BIOS-Konfiguration ab.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Welche Faktoren sind aus Beschaffungssicht für eine langfristige Versorgung wichtig?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eFür Beschaffungsteams sind die Konsistenz der Chiprevision, die Lebenszyklusstabilität und die Spannungskompatibilität entscheidend. 32-Gbit-DDR4-Geräte, die mit 1,2 V betrieben werden, entsprechen weiterhin modernen Plattformstandards, was die Ersatzplanung vereinfacht und das Risiko einer Neukonstruktion verringert. Die Beibehaltung qualifizierter Teilenummern aus derselben Serie trägt dazu bei, die Validierungskosten bei laufenden Produktions- oder Wartungsprogrammen zu minimieren.\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747788407023,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4ABG165WB-MCWE.png?v=1771498790"},{"product_id":"samsung-ddr4-4gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 MBit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 4Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eEnergieeffizienter DDR4-Speicher für Mainstream-Plattformen und kostenoptimierte Systemdesigns\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eDie 4-Gb-DDR4-Geräte von Samsung bieten stabile Bandbreite, reduzierte Betriebsspannung und verbesserte Zuverlässigkeit für moderne DDR4-basierte Plattformen. Mit Unterstützung von Geschwindigkeitsstufen von 2133 Mbit\/s bis zu 3200 Mbit\/s wird diese Serie häufig in Desktop-PCs, Laptops, Embedded Controllern und Einstiegs-Workstations eingesetzt, die effiziente und skalierbare Speicherlösungen benötigen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR4 4Gb 3200 Speicherchips\u003c\/em\u003e beschaffen, die \u003cem\u003eDDR4 2666 industrielle DRAM-Versorgung\u003c\/em\u003e aufrechterhalten oder \u003cem\u003e1.2V DDR4 SDRAM für den Übergang von Legacy- zu modernen Plattformen\u003c\/em\u003e qualifizieren, bietet diese Serie ausgewogene Leistung und langfristige Verfügbarkeit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur \u0026amp; elektrische Eigenschaften\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 4Gb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsstufen: 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1.2V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eWrite CRC zur Multibit-Fehlererkennung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eParitätsschutz für CMD\/ADD-Signalintegrität\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eEntwickelt für Kompatibilität mit modernen DDR4-Controllern\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eLeistung \u0026amp; Effizienz\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu DDR3, das mit 1.5V arbeitet, arbeitet DDR4 mit 1.2V, wodurch der Stromverbrauch reduziert und der Datendurchsatz erhöht wird. Die verbesserte Bankgruppierung verbessert die Interleaving-Effizienz und reduziert die Zugriffsverzögerung unter moderaten Arbeitslasten.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 30% Bandbreitenverbesserung im Vergleich zu DDR3-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeringerer Energieverbrauch durch fortschrittliche Prozesstechnologie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserter sequenzieller Datendurchsatz\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOptimiert für zeitgemäße Prozessoren und System-Chipsätze\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR4 4Gb Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eSpeichertyp\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WF-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G045WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G085WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A4G165WE-BIW\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e4Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Ingenieur- und Beschaffungsperspektive\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Wann sollten Hardware-Ingenieure 3200 Mbps anstelle von 2133\/2400 wählen?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDie Auswahl hängt von der Leistungsfähigkeit des Speichercontrollers und dem Signalintegritätsspielraum ab. 3200 Mbps verbessert den Durchsatz für Umgebungen mit hoher Last, wie Multitasking oder leichte Virtualisierung. Für konservative Industriedesigns, die Stabilität und Kompatibilität priorisieren, bieten 2133 oder 2400 Mbps möglicherweise einen größeren Spielraum.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Welche Vorteile bietet die 4-Gb-Dichte aus Sicht der Systemintegration?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e4-Gb-Geräte ermöglichen flexible Speicherkonfigurationen bei gleichzeitig geringeren Kosten und geringerem Stromverbrauch. Sie eignen sich für Mainstream-Desktops, Notebooks und Embedded Boards, bei denen eine moderate Speicherkapazität ausreicht, ohne die Komplexität des thermischen Designs zu erhöhen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Was gewährleistet aus Beschaffungssicht die Stabilität des Lebenszyklus?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDie Beibehaltung einer konsistenten Die-Familie und validierter Teilenummern reduziert das Risiko einer Neuentwicklung. 1.2V DDR4 ist weiterhin auf moderne Plattformstandards abgestimmt, was die Ersatzplanung vereinfacht und den Qualifizierungsaufwand bei laufenden Produktions- oder Wartungsprogrammen minimiert.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747869180143,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/DDR4GB.png?v=1771779573"},{"product_id":"samsung-ddr4-8gb-sdram-2133-2400-2666-3200-mbps","title":"Samsung DDR4 8GB SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbit\/s","description":"\u003ch2\u003eSamsung DDR4 8Gb SDRAM – 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eMainstream DDR4 Speicherlösung für ausgewogene Leistung und Energieeffizienz\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eSamsung DDR4 8Gb-Bausteine bieten stabile Bandbreite, niedrige Betriebsspannung und verbesserte Zuverlässigkeit für moderne DDR4-basierte Systeme. Diese Serie unterstützt Geschwindigkeitsstufen von 2133 Mbps bis 3200 Mbps und wird häufig in Desktops, Notebooks, Embedded-Plattformen und leistungsorientierten Mainstream-Systemen eingesetzt.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eFür Kunden, die \u003cem\u003eSamsung DDR4 8Gb 3200 Speicherchips\u003c\/em\u003e beschaffen, eine \u003cem\u003eDDR4 2666 industrielle DRAM-Versorgung\u003c\/em\u003e aufrechterhalten oder \u003cem\u003e1.2V DDR4 SDRAM für System-Upgrades\u003c\/em\u003e qualifizieren, bietet diese Serie konsistente Leistung mit langfristiger Plattformkompatibilität.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eArchitektur \u0026amp; elektrische Eigenschaften\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eDichte: 8Gb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSpeichertyp: DDR4 SDRAM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eGeschwindigkeitsstufen: 2133 \/ 2400 \/ 2666 \/ 3200 Mbps\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBetriebsspannung: 1.2V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eBankstruktur: 4 Bankgruppen (insgesamt 16 Bänke)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eSchnittstelle: Pseudo Open Drain (POD)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eWrite CRC für Mehrbit-Fehlererkennung\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eParitätsschutz für CMD\/ADD Signalintegrität\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eOptimiert für zeitgemäße DDR4-Controller\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eLeistungs- \u0026amp; Effizienz-Übersicht\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIm Vergleich zu DDR3 mit 1,5 V arbeitet DDR4 mit 1,2 V, wodurch der Gesamtstromverbrauch gesenkt und die Bandbreiteneffizienz verbessert wird. Eine verbesserte Bankgruppierung reduziert Interleaving-Verzögerungen und verbessert den sequenziellen Datendurchsatz bei Multitasking-Arbeitslasten.\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003eBis zu 30 % Bandbreitensteigerung gegenüber DDR3-Plattformen\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eReduzierter Energieverbrauch durch fortschrittliche Prozesstechnologie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eVerbesserte Zugriffsgeschwindigkeit für Umgebungen mit moderater und hoher Last\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003eKompatibel mit modernen Prozessorarchitekturen\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eTeilenummerliste – Samsung DDR4 8Gb Serie\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\" border=\"1\"\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003cth\u003eTeilenummer\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eDichte\u003c\/th\u003e\n\n\u003cth\u003eSpeichertyp\u003c\/th\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G045WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WB-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G085WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BIRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BITD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WB-BIWE\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCPB\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCRC\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003eK4A8G165WC-BCTD\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e8Gb\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003eDDR4\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e\n\n\u003cbr\u003eFAQ – Engineering, Anwendung \u0026amp; Beschaffung\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e1. Wann sollte 3200 Mbps gegenüber 2133 oder 2400 gewählt werden?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eFür leistungsorientierte Systeme wie Gaming-Plattformen, Multitasking-Workstations oder moderate Virtualisierungsumgebungen verbessert 3200 Mbps den effektiven Durchsatz und reduziert Speicherengpässe. Für konservative Industriesysteme, die langfristige Stabilität priorisieren, bieten 2133 oder 2400 Mbps möglicherweise breitere Kompatibilitätsmargen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e2. Welche Vorteile bietet die 8Gb-Dichte im Board-Level-Design?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003e8Gb-Bausteine ermöglichen flexible Gesamtspeicherkonfigurationen bei ausgewogenen Kosten und Stromverbrauch. Sie werden häufig in Mainstream-Desktop- und Embedded-Designs eingesetzt, bei denen eine moderate bis hohe Speicherkapazität erforderlich ist, ohne die Komponentenanzahl übermäßig zu erhöhen.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e3. Was gewährleistet aus Beschaffungssicht eine stabile Lebenszyklusplanung?\u003c\/strong\u003e\u003cbr\u003eDie Auswahl validierter Teilenummern innerhalb derselben DDR4-Familie hilft, Kosten für Neuentwicklung und Requalifizierung zu reduzieren. 1.2V DDR4 ist weiterhin auf die aktuellen Plattformstandards abgestimmt, unterstützt langfristige Wartungsprogramme und minimiert das Übergangsrisiko in Produktionsumgebungen.\u003c\/p\u003e","brand":"我的商店","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":47747920756975,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0771\/8305\/8159\/files\/K4A8G085WC.png?v=1771498631"}],"url":"https:\/\/www.sourcememorychips.com\/de\/collections\/ddr4.oembed","provider":"SMC","version":"1.0","type":"link"}